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[发明专利]一种用于石英晶体材料生产的干燥装置及其使用方法-CN202310590235.X在审
发明人：皇甫振东;陈伟鹏;边疆;李鹏;施伟 -专利权人：内蒙古赛宝伦科技有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： F26B11/16 文献下载
摘要：本发明涉及石英技术领域，尤其为一种用于石英晶体材料生产的干燥装置及其使用方法，包括：底板，所述底板的顶部固定连接有四个固定架，四个固定架之间共同固定连接有进料架。本发明具备均匀干燥和分类干燥的优点，在实际的使用过程中，将石英晶体材料输送至筛板的内腔，接着利用抖动组件对筛板进行抖动，此过程起到了将石英晶体材料按照体积进行分类的作用，接着石英晶体材料通过导流板落入干燥组件的内腔中，进而利用干燥组件对石英晶体材料进行干燥，并且随着分散杆的转动，可对石英晶体材料进行分散，避免堆积的石英晶体材料出现干燥不均匀的情况，在提高干燥效果的同时，也提高了干燥效率，因此具有良好的市场前景。
一种用于石英晶体材料生产干燥装置及其使用方法

[发明专利]一种二维无机分子晶体材料及其制备方法-CN201910684073.X有效
发明人：翟天佑;韩伟 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维无机分子晶体材料及其制备方法，属于二维材料的制备领域。所述二维无机分子晶体材料为无机分子平铺形成的二维片状材料，所述二维片状材料中的无机分子通过范德华力连接。制备方法为采用气相沉积法以分子晶体粉末作为原材料，分子晶体粉末蒸发出气态前驱体，随载气输运，在钝化剂的作用下，在衬底上沉积得到二维无机分子晶体薄片。本发明获得的二维无机分子晶体是由无机分子组成的二维片状结构，分子间通过范德华力连接。该制备方法简单，成本低，普适性强。利用本发明方法，制备出了厚度均匀、形态一致的二维无机分子晶体材料，在相变器件的应用中具有广阔前景。
一种二维无机分子晶体材料及其制备方法

[实用新型]一种磁响应光子晶体材料展示装置-CN201620223600.9有效
发明人：汪彩虹;马金锁;杨雯婷;朱琳;张曼玲;窦仁美;叶常青;宋延林 -专利权人：苏州科技学院
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： A47F7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种磁响应光子晶体材料展示装置，包括方形底座、平板、连接杆、电机、磁场装置、透明样品板；电机安装在底座上；连接杆一端安装在电机的转轴上，另一端与平板转动连接；平板表面设有凹槽；磁场装置的磁场强度可调控，使光子晶体材料随着磁场强度的变化而呈现出不同的颜色；透明样品板为空心结构，用于装入磁响应光子晶体材料。本实用新型的平板可以旋转，同时可以通过调节连接杆与平板的倾角从而调节平板与观察者视线之间的角度，因此当光线照射磁响应光子晶体材料时，透明样品板内的磁响应光子晶体材料呈现的颜色会随着平板的旋转而发生变化，全方位多角度体现磁响应光子晶体材料的特点，有利于磁响应光子晶体材料推广应用。
一种响应光子晶体材料展示装置

[发明专利]一种有序多孔含能晶体材料的制备方法-CN201210519633.4有效
发明人：沈金朋;杨光成;谯志强;李瑞 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所;四川省新材料研究中心
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C06B21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种有序多孔含能晶体材料的制备方法，包括以下步骤：将一定量的含能材料在室温下溶解于良性溶剂中；向上一步的溶液中加入一定量的晶体形貌控制剂，搅拌溶解；将上一步的溶液在磁力搅拌的条件下缓慢的加入到含能材料和晶体形貌控制剂的不良溶剂中；将上一步的溶液继续搅拌一定时间之后，过滤，得到含能材料与晶体形貌控制剂的复合物；将所得的复合物中加入到溶剂中，所述的溶剂为含能材料的不良溶剂，晶体形貌控制剂的良性溶剂；多次洗涤，除去晶体形貌控制剂；干燥，得到纯的有序多孔含能晶体材料。本发明的制备方法工艺流程简单，反应条件温和，反应条件易于控制，适用于多种含能材料，制备的有序多孔含能晶体材料的纯度大于99.5%。
一种有序多孔晶体材料制备方法

[发明专利]Eu-MOF多色发光晶体材料和Tb-MOF绿光晶体材料及其制备方法-CN201611065252.8有效
发明人：房贞兰;杨丹丹;田云;曹小薇;鞠强;黄维 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明公开了Eu‑MOF多色发光晶体材料和Tb‑MOF绿光晶体材料及其制备方法，其中，Eu‑MOF多色发光晶体材料和Tb‑MOF绿光晶体材料均为单组份，化学组成分别为：{[Eu₄(Tb₄(4,4’‑二苯醚二甲酸)₆(H₂O)₉]·(H₂O)}∞，并且Eu‑MOF多色发光晶体材料可实现白光发射本发明的有益之处在于：(1)Eu‑MOF多色发光晶体材料和Tb‑MOF绿光晶体材料不仅具有良好的热稳定性和光稳定性，而且还具有较高的发光效率，是一种优良的新型高效发光晶体材料；(2)在低温水热条件下进行制备
晶体材料多色发光绿光制备二苯醚二甲酸白光发射发光效率高效发光光稳定性化学组成热稳定性条件要求单组份低温水热条件污染生产

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310333531.1在审
发明人：李永亮;刘昊炎;罗军;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于简化三维叠层互补晶体管的制造过程，降低三维叠层互补晶体管的制造难度，进而利于提升三维叠层互补晶体管的工作性能。所述半导体器件包括：半导体基底、第一环栅晶体管和第二环栅晶体管。上述第一环栅晶体管形成在半导体基底上。第一环栅晶体管包括的沟道区的材料为单晶半导体材料。第二环栅晶体管形成在第一环栅晶体管的上方、且与第一环栅晶体管间隔设置。第二环栅晶体管包括的沟道区的材料为多晶半导体材料。第二环栅晶体管和第一环栅晶体管构成三维叠层互补晶体管。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种二阶非线性晶体材料溴化次磷酸亚锡制备方法及用途-CN201710022271.0在审
发明人：宋俊玲;谢杰灵 -专利权人：江南大学
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： C30B29/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种新型二阶非线性晶体材料及其制备方法。该晶体材料的化学式为Sn2[H2PO2]3Br，属于正交晶系，空间群为Pmn21，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝2。该晶体材料具有二阶非线性倍频效应，约为KDP晶体的3.0倍。此外，该晶体材料具有荧光特性，激发波长为348nm，发射波长为580nm。因此，该晶体在二阶非线性光学、电光调制、光通讯信息处理发光系统、等领域有广泛的应用前景。
一种非线性晶体材料溴化次磷酸制备方法用途

[发明专利]半导体器件和同一芯片上集成角形器件与平面器件的方法-CN200810081344.4有效
发明人：拉齐夫·V·约什;许履尘;欧阳旭 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-02-25 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：该半导体器件包括具有两种晶体取向的半导体材料。该半导体材料形成器件的有源区。在两个晶体取向上形成器件沟道，其包括在半导体材料的第一晶体取向表面中形成的第一区域、以及在半导体材料的第二晶体取向表面中形成的第二区域，其中第一晶体取向表面与第二晶体取向表面形成夹角，并且器件沟道至少覆盖夹角的交叉点
半导体器件同一芯片集成角形器件平面方法

[发明专利]包括细长的晶体状纳米结构的纳米级器件-CN201580036397.2在审
发明人： P·克罗格斯拉普;T·S·叶斯帕森;C·M·马卡斯;J·尼加德 -专利权人：哥本哈根大学
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及一种纳米级器件及其制备方法，该纳米级器件包括细长的晶体状纳米结构，如纳米线晶体、纳米晶须晶体或纳米棒晶体。一个实施方案涉及纳米级器件，其包括细长的晶体状半导体纳米结构例如纳米线(晶体)或纳米晶须(晶体)或纳米棒(晶体)，优选由砷化铟制成，其具有多个基本上平的侧面；超导体材料(优选铝)的晶体状结构的第一面层，其覆盖一个或多个所述侧面的至少一部分；以及超导体材料(优选钒)的第二面层，其覆盖第一面层的至少一部分，第二面层的超导体材料不同于第一面层的超导体材料，其中半导体纳米结构的晶体状结构与两个晶体状结构之间的界面上的第一面层的晶体状结构为外延匹配
包括细长晶体纳米结构器件

[发明专利]一种发蓝光的单晶体材料的制备方法-CN201510386541.7在审
发明人：陈柳青;王忠强;施昆雁;郭芸;王华;刘旭光;许并社 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种发蓝光的单晶体材料的制备方法，是以4-甲基苯肼盐酸盐、甲酰胺为原料，先制备配体、氯桥物，然后合成发蓝光的白色单晶体材料，此制备方法工艺先进，数据精确翔实，产物为白色单晶体，发蓝光，色坐标为X＝0.1645、Y＝0.0628，晶体颗粒呈长条形，产物纯度达99.9％，可与红、绿材料合成白光，是十分理想的发蓝光的单晶体材料的制备方法。
一种发蓝单晶体材料制备方法

[发明专利]改善有缺陷的半导体材料质量的方法-CN200410077160.2有效
发明人：斯蒂芬·W·比戴尔;基思·E·佛格尔;谢里斯·纳拉斯赫姆哈 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-09-10 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：提供了一种方法，其中，对有缺陷的半导体晶体材料执行非晶化步骤，随之以热处理步骤。非晶化步骤使有缺陷的半导体晶体材料的包括表面区的区域部分或完全非晶化。然后执行热处理步骤，以便使有缺陷的半导体晶体材料的非晶化区域再结晶。在本发明中，利用从有缺陷的半导体晶体材料的非非晶化区域的固相晶体再生长，达到了再结晶。
改善缺陷半导体材料质量方法

[发明专利]一种基于晶体结构数据库的材料解析方法、系统及应用-CN202180009006.3在审
发明人：潘锋;李舜宁;董成;张文韬;侯晨昕;陈历涛;潘俊杰;郑世胜;林原;林海 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01N23/20 文献下载
摘要：一种基于晶体结构数据库的材料解析方法、系统、计算机可读存储介质及应用。上述材料解析方法包括，将待测样本检测的实验图谱信息与晶体结构数据库中材料结构数据计算的理论图谱信息进行比对，通过智能分析获得待测样本的晶体学信息及物相成分；晶体学信息包括空间群、晶胞参数、晶胞中原子具体坐标；晶体结构数据库具有实验测量和/或理论预测得到的材料结构数据，包含化学式、空间群、晶胞参数，和晶胞中原子具体坐标。上述方法，采用材料基因大数据研究新范式，通过晶体结构数据库实现自动化的晶体学信息及物相成分分析，是一种新型材料解析方法；基于该方法，可实现大规模高通量高精度的材料解析，为搭建材料学图谱数据挖掘分析平台奠定了基础
一种基于晶体结构数据库材料解析方法系统应用

[发明专利]一种在水热条件下多步原位反应合成氮化物微晶和体块晶体的方法-CN03111724.4无效
发明人：崔得良;于美燕;郝宵鹏;刘振刚;蒋民华 -专利权人：山东大学
申请日： 2003-01-16 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： C01B21/06 文献下载
摘要：一种在水热条件下多步原位反应合成氮化物微晶和体块晶体的方法，属于纳米材料和晶体材料生长技术领域。通过在维持反应体系的温度和压力不变的情况下，用多次或者连续向反应体系中补充原料的方法控制晶核的形成和晶体的生长过程。另外，为了消除还原剂反应后的副产物对氮化物微晶和晶体的污染，选用了水合肼等新的还原剂，提出了在水热条件下制备粒度均匀、结晶完整的BN、GaN、AlN、InN微晶和体块晶体材料的技术方案，以实现氮化物微晶和体块晶体材料的低成本大批量生产本发明方法制备的氮化物微粉以及晶体材料，广泛用于金属切削、超硬耐腐蚀防护涂层制造、光电子器件的衬底材料、军用特种窗口材料、大功率电子器件封装材料等。
一种条件下原位反应合成氮化物晶体方法

[发明专利]一种高分子材料自成核的方法-CN201711338793.8在审
发明人：叶海木;陈晓彤;刘萍;姚淑芳 -专利权人：中国石油大学（北京）
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： C08L67/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高分子材料自成核的方法。它包括如下步骤将伸直链晶体作为自成核剂与高分子材料进行共混，即得到含自成核剂的高分子材料。所述伸直链晶体与所述高分子材料的质量比为0.1～20100。本发明采用高分子材料制备的具有高熔点的伸直链晶体，伸直链晶体作为高分子基体自身的成核剂来改善材料结晶与性能；伸直链晶体在高分子基体的熔体中能够保持其晶体，并在降温时作为基体的成核剂使用，提高了成核的效率；制备过程可操作性好、生产效率高，所获得材料性能好，具有显著的经济和社会效益。
一种高分子材料成核方法

[发明专利]一种基于二维材料晶体管的阶梯电极结构及其制备方法-CN202111624267.4在审
发明人：蔡斐 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维材料晶体管的阶梯电极结构及其制备方法，属于半导体技术领域，本发明中二维材料晶体管是指沟道中采用二维半导体材料的晶体管。阶梯电极结构是指晶体管电极与沟道二维材料的每层接触面，随着不同层厚高低起伏，呈现阶梯状。本发明的制备方法包括：光刻胶旋涂、图形化曝光、刻蚀、金属镀膜、镀膜剥离。本发明提出的一种基于二维材料晶体管的阶梯电极结构，解决了二维材料与金属电极接触的问题，降低了接触电阻，提高了电荷迁移率。此发明为二维材料在晶体管中的广泛应用提供了基础。
一种基于二维材料晶体管阶梯电极结构及其制备方法