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[发明专利]光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料及其制备方法-CN200810064778.3无效
发明人：王锐;王佳;刘维海;徐超;徐衍岭 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料及其制备方法，它涉及一种铌酸锂晶体上转换材料及其制备方法。它解决了现有技术制备的Er掺杂铌酸锂晶体上转换材料存在发光强度不高的问题。本发明光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料由Li₂CO₃、Nb₂O₅、ZnO和Er_{2晶体；4.极化处理，即得光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料。本发明在Er掺杂铌酸锂晶体中掺杂元素Zn，使其上转换机制由双光子过程改变为光子雪崩机制，明显提高了铌酸锂晶体上转换材料的发光强度。}
光子雪崩机制 zn er 掺杂铌酸锂晶体转换材料及其制备方法

[发明专利]具有电子快门的图像传感器-CN201780012102.7在审
发明人： E·曼德利;D·M·布瓦韦尔 -专利权人：因维萨热技术公司
申请日： 2017-03-10 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H04N5/353 文献下载
摘要：在实施方案中，图像传感器包括光学敏感材料和包括与光学敏感材料电连通的感测节点的像素电路。像素电路在集成周期期间存储与入射在光学敏感材料上的光强度成比例的电信号。像素电路包括与光学敏感材料电连通的差分晶体管对。所述差分晶体管对包括第一晶体管和第二晶体管，其中所述第一晶体管设置在所述光学敏感材料和所述感测节点之间。所述差分晶体管对在所述集成周期期间通过所述第一晶体管引导所述光学敏感材料和所述感测节点之间的电流，并且在所述集成周期之后通过所述第二晶体管引导电流以停止将所述电信号集成到所述感测节点上。
敏感材料晶体管感测节点差分晶体管图像传感器集成周期像素电路电连通电子快门入射存储

[发明专利]采用载流子俘获材料的单极性纳米管晶体管及其制造方法-CN200510106780.9无效
发明人：姜东勋;朴鲁政;朴玩浚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-10-12 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及采用载流子俘获材料的单极性纳米管晶体管，所述晶体管通过为纳米管提供诸如氧气分子的载流子俘获材料，例如通过纳米管吸收或在邻近纳米管的位置处提供含有载流子俘获材料的材料层的方法，将双极纳米管场效应晶体管转化为单极纳米管场效应晶体管
采用载流子俘获材料极性纳米晶体管及其制造方法

[发明专利]一种晶体的切片方法-CN202210103472.4在审
发明人：彭杰 -专利权人：威科赛乐微电子股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及半导体晶片制造技术领域，公开了一种晶体的切片方法，步骤包括，S1、将晶体进行定位边的磨削；S2、将定位边磨削完成的晶体进行晶面角度定向；S3、取方形模具和固化材料，将晶面角度定向后的晶体置于方形模具的方形通孔内，在晶体与方形模具内壁之间填充固化材料，带完全固化后脱模，得到晶体与固化材料共同组成的切割体；S4、将切割体安装于多线切割腔内，设定参数，对切割体进行多线切割，得到若干晶体与固化材料共同组成的切割片；S5、将切割片的砂浆清洗后，去除切割片上的固化材料，得到晶片。本发明能够解决钢线对晶体切割的有效长度变化所导致晶片表面出现的锯纹和翘曲度大的质量问题。
一种晶体切片方法

[发明专利]含能晶体材料的高品质细颗粒制备方法-CN201110160995.4有效
发明人：康彬;徐瑞娟;黄辉;姜燕;陈娅;夏云霞 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所
申请日： 2011-06-16 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： C30B30/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种含能晶体材料的高品质细颗粒制备方法，核心内容是在降温结晶过程中引入功率超声技术，采用超声降温结晶方法制备平均粒径约10μm至50μm的含能晶体材料的高品质细颗粒产品。即：(1)将普通含能晶体材料高温溶解于不同溶剂中形成饱和结晶溶液；(2)将结晶溶液按一定速率降温，同时搅拌并超声处理；(3)等结晶溶液温度接近设定温度时，停止超声、降温和搅拌，过滤，洗涤，干燥，得到含能晶体材料的高品质细颗粒产品采用本发明的超声降温结晶方法制备的含能晶体材料的高品质细颗粒产品晶体缺陷少，晶体表观密度达到晶体理论密度的99.9％以上，颗粒形态好，球形度高，粒度分布窄，冲击波感度显著降低。
晶体材料品质颗粒制备方法

[发明专利]半导体晶体的生产方法-CN200610137998.5有效
发明人：山崎史郎;平田宏治;今井克宏;岩井真;佐佐木孝友;森勇介;吉村政志;川村史朗;山田祐嗣 -专利权人：丰田合成株式会社;日本碍子株式会社;国立大学法人大阪大学
申请日： 2006-11-01 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种用于生产III族氮化物化合物半导体晶体的方法，该半导体晶体通过利用助熔剂的助熔剂法而生长。在其上将生长半导体晶体的至少部分衬底由助熔剂可溶材料制成。当半导体晶体在衬底表面上生长时，助熔剂可溶材料从与生长半导体晶体的表面相对的衬底表面上溶于助熔剂中。作为替代方案，在半导体晶体已经在衬底表面上生长之后，助熔剂可溶材料从与已经生长半导体晶体的表面相对的衬底表面上溶于助熔剂中。助熔剂可溶材料由硅形成。作为替代方案，助熔剂可溶材料或衬底由III族氮化物化合物半导体形成，所述III族氮化物化合物半导体具有比所生长的半导体晶体更高的位错密度。
半导体晶体生产方法

[发明专利]一种二维材料场效应晶体管失效样品的制备方法-CN202111486151.9在审
发明人：吴幸;盛智伟;董作院;叶长青 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维材料场效应晶体管失效样品的制备方法，属于晶体管失效领域，包括：(1)在二维材料场效应晶体管的电极上施加正压，采用I‑V sweep模式测量得到电流突变(0.5～1.5)倍时的电压P1；所述二维材料场效应晶体管包括电极、栅介质层、沟道和衬底；(2)对所述步骤(1)的二维材料场效应晶体管进行恒压击穿，得到击穿后样品；所述恒压击穿的电压为P1－(0.6～0.8)V。本发明控制击穿时的电压，模拟并加速二维材料场效应晶体管击穿的过程，控制了击穿的程度避免二维材料场效应晶体管中的二维材料被完全烧毁，与实际失效样品更接近，通过观察击穿后样品的形貌更有利于晶体管失效过程及机理的研究
一种二维材料场效应晶体管失效样品制备方法

[发明专利]一种提高电容触摸屏灵敏度的方法-CN201410022302.9有效
发明人：季泳 -专利权人：贵阳嘉瑜光电科技咨询中心
申请日： 2014-01-17 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高电容触摸屏灵敏度的方法，所述电容触摸屏包括表面电容触摸屏和投射电容触摸屏，采用透明、高介电常数的材料作为所述电容触摸屏的面板材料,用于提高所述电容触摸屏操作敏感度和信号噪音比，其中，所述高介电常数的材料可采用单晶体材料、多晶体材料或非晶体材料，所述单晶体材料可通过改变晶向或添加掺杂剂来提高其介电常数。本发明采用透明、高介电常数的材料作为电容触摸屏的面板材料,且通过改变单晶体材料的晶向或添加掺杂剂等方法提高介电常数，进而有效的提高电容式触摸屏的操作敏感度和信号噪音比。
一种提高电容触摸屏灵敏度方法

[发明专利]半导体结构-CN201911043770.3在审
发明人：陈建宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明实施例公开具有双阈值电压晶体管的设备和电路以及其制造方法。在一实例中，公开一种半导体结构。半导体结构包含衬底、第一层、第一晶体管及第二晶体管。第一层形成于衬底上方且包括第一III‑V半导体材料。第一晶体管形成于第一层上方。第二晶体管形成于第一层上方。第一晶体管包括：包含第一材料的第一栅极结构、第一源极区以及第一漏极区。第二晶体管包括：包含第二材料的第二栅极结构、第二源极区以及第二漏极区。第一材料不同于第二材料。
半导体结构

[发明专利]一种二维晶体材料场效应管及其制备方法-CN201710685063.9有效
发明人：钟旻;陈寿面 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种二维晶体材料场效应管,包括：半导体衬底、介质层、金属栅极、栅极介质层、沟道层、石墨烯层、二维晶体保护层和源、漏电极。本发明还公开了一种制造二维晶体材料场效应管的方法，将二维晶体材料自对准直接生长在栅极介质层上，采用掺杂的石墨烯作为源漏，并连接金属作为源、漏极来制备场效应管。本发明提出的二维晶体材料场效应管及其制备方法，利用常规CMOS制程，能够制造具有稳定的二维晶体材料薄膜性质的场效应管，实现了制备出小尺寸、大规模的二维晶体场效应管阵列的最终目的。
一种二维晶体材料场效应及其制备方法

[发明专利]晶体材料、该材料的制备方法及应用-CN201410321820.0有效
发明人：龙西法;王祖建;李修芝;何超;刘颖 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及材料领域，尤其涉及一种晶体材料、该材料的制备方法及应用。该材料组成为xBaSnO3‑yPbSnO3‑(1‑x‑y)PbTiO3。该制备方法包括下列步骤(1)将晶体原料和助熔剂进行称重，并进行混合、研磨，之后装入耐热器皿中；(2)切籽晶，并将切好的籽晶绑在籽晶杆的一端；(3)把耐热器皿放入加热炉中，籽晶杆固定在炉架上，调中，盖好炉盖；(4)升温后恒温，之后下籽晶，调整温度找饱和点，之后匀速率降温，开始晶体生长；(5)待温度及晶体尺寸达到要求时，提起晶体，以匀速率冷却至室温，开炉取出晶体。本发明所提供的晶体材料具有较高的居里温度，以及优良的压电、铁电性能，能够应用于机电耦合领域中。
晶体材料制备方法应用

[发明专利]一种含金属铱-4′-溴苯基-三联吡啶晶体材料的制备方法和用途-CN201811359087.6有效
发明人：钱军;聂谦英;谭倩;李璐 -专利权人：江苏大学
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C07F15/00 文献下载
摘要：本专利属于晶体材料技术领域，具体公开了一种含金属铱‑4′‑溴苯基‑三联吡啶晶体材料的制备方法，具体为一种通过阳离子型金属铱二聚体与4′‑溴苯基‑2,2′,6′,2″‑三联吡啶配位连接形成配位化合物，再通过晶体工程方法得到最终晶体材料的制备方法对晶体材料进行了紫外可见吸收、荧光发射、X射线单晶衍射、热重分析以及非线性光学吸收等表征。表明该晶体材料具有优异的荧光发射和三阶非线性吸收性能。利用X射线单晶衍射方法测定晶体结构表明：该配合物属于三斜晶系，铱金属离子的配位构型为六配位八面体空间构型。
一种金属苯基三联吡啶晶体材料制备方法用途

[发明专利]一种高效率的材料微观结构智能识别分析方法-CN202110295244.7在审
发明人：田晓宝;楼旭辉;陈宇;周志宏;范海冬;张卓;王清远;吴主龙 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G01N23/20058 文献下载
摘要：本发明提供一种高效率的材料微观结构智能识别分析方法，涉及材料微观结构分析技术领域。该种高效率的材料微观结构智能识别分析方法，包括以下具体内容：S1.将待测材料放置在X射线单晶体衍射仪中，关闭X射线单晶体衍射仪中的灯光，启动X射线单晶体衍射仪的X射线扫描机构，从而利用X射线扫描机构对待测材料的表面进行扫描和分析；S2.将X射线单晶体衍射仪扫描后得到的材料晶体结构数据导入计算机文件夹中存储备用；S3.将经过X射线扫描后的待测材料从X射线单晶体衍射仪中取出。通过设计简单的智能识别分析方法，不仅可以快速的分析材料的晶体结构以及相关缺陷，同时也能够结合图形信息观察材料表面成分的分布情况，从而使其整体的工作效率大大提高。
一种高效率材料微观结构智能识别分析方法

[发明专利]一种可通电膨胀胶体晶体薄膜的制备方法-CN201710045823.X有效
发明人：赵九蓬;华春霞;杨大春;侯帅;张盼盼;徐洪波;李垚 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：一种可通电膨胀胶体晶体薄膜的制备方法，本发明涉及胶体晶体薄膜的制备方法。本发明解决现有电膨胀聚合物材料制备难的问题。方法：一、单分散聚苯乙烯微球的制备；二、二茂铁衍生物的合成；三、电膨胀胶体晶体材料的制备，得到电膨胀胶体晶体材料。本发明用于一种可通电膨胀胶体晶体薄膜的制备方法。
一种通电膨胀胶体晶体薄膜制备方法

[发明专利]一种紫色发光晶体材料偏磷酸铈-CN200610008453.4无效
发明人：童华南;程文旦;张浩;吴东升;龚亚京;朱静;黄淑萍;赵丹 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2006-01-23 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： C01B25/44 文献下载
摘要：一种紫色发光晶体材料偏磷酸铈晶体，涉及新型的光致发光材料领域。该晶体分子式为：CeP₃O₉，属于正交晶系，空间群为C222(1)，晶胞参数为a＝8.6059，b＝11.2437，c＝7.3518，α＝β＝γ＝90，该晶体采用高温固相法从助熔剂中生长得到。该晶体材料可用于小型高功率紫色固体激光器中。
一种紫色发光晶体材料磷酸

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