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[发明专利]面心立方材料疲劳过程晶体塑性本构模型建立方法-CN201910507805.8有效
发明人：张宏;王清远;刘永杰;王宠;李浪 -专利权人：四川大学
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种面心立方材料疲劳过程晶体塑性本构模型建立方法。本发明解决了在计算材料损伤和疲劳失效过程中无法考虑介观尺度塑性演化和材料微观结构特征问题，提供了更准确的革新的介观晶体建模方法和晶体塑性本构模型及相关稳定高效的计算方法。本发明提出的晶体塑性本构模型与计算方法考虑了晶体滑移面法线方向和滑移方向，利用运动和等向硬化准则考虑背应力效应，最后建立晶体滑移和位错密度与塑性剪切应变速率函数关系的面心立方金属材料晶体塑性本构模型。可以从介观尺度研究材料微观特征对材料损伤与疲劳寿命的影响作用和贡献程度，为研究材料损伤演化和疲劳失效过程提供重要的理论指导和技术支撑，具有重要的科学意义和工程应用价值。
立方材料疲劳过程晶体塑性模型建立方法

[发明专利]一种高导电电极结构及其制备方法-CN202310409638.X有效
发明人：王亚超;朱小宝;黄靛 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明提供了一种高导电电极结构及其制备方法，该高导电电极结构包括涂布基材和电极浆料，电极浆料包括若干低维导电碳材料，各低维导电碳材料的高导电晶体方向与涂布基材的平面呈垂直关系，低维导电碳材料均匀弥散分布于电极浆料的内部，低维导电碳材料包括石墨化晶体结构，石墨化晶体结构为碳纳米管、石墨烯微片和石墨片中的一种或至少两种混合物，高导电晶体方向为石墨化晶体的ab平面方向。通过本申请，利用等离子传导和电泳原理将各低维导电碳材料的高导电晶体方向垂直于涂布基材的平面，使得各低维导电碳材料的高导电晶体方向与电流移动方向一致，以发挥出低维导电碳材料的导电优势，提升该高导电电极结构的导电性能
一种导电电极结构及其制备方法

[发明专利]串并联压电复合材料及其制备方法-CN200410009179.3无效
发明人：李光;王丽坤;栾桂冬;张金铎;张福学;唐劲松;岳军 -专利权人：北京信息工程学院
申请日： 2004-06-07 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： H01L41/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于水声、超声和医用换能器的串并联压电复合材料及其制备方法，属于功能材料及其制备技术领域。该串并联压电复合材料包括：并联压电复合材料、压电晶体基板和上、下电极。并联压电复合材料是由压电晶体骨架和环氧树脂组成，并联压电复合材料固定在压电晶体基板上，并联压电复合材料的压电晶体骨架与压电晶体基板连为一体，其结构特点是串并联组合，横向和纵向都有陶瓷骨架支撑。兼有并联和串联压电复合材料的特点，性能稳定，在受热和外力冲击下不易变形，且制作工艺简单。
串并联压电复合材料及其制备方法

[发明专利]半导体材料、包括其的晶体管和包括晶体管的电子装置-CN201310633699.0有效
发明人：金兑相;金善载;金炫奭;柳明官;朴晙晳;徐锡俊;宣钟白;孙暻锡 -专利权人：三星电子株式会社;三星显示有限公司
申请日： 2013-12-02 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明提供了半导体材料、包括半导体材料的晶体管和包括晶体管的电子装置。半导体材料可以包括锌、氮和氟。半导体材料还可以包括氧。半导体材料可以包括化合物。例如，半导体材料可以包括氟氧氮化锌。半导体材料可以包括含有氟的氮氧化锌。半导体材料可以包括氟氮化锌。半导体材料可以被应用为薄膜晶体管（TFT）的沟道材料。
半导体材料包括晶体管电子装置

[发明专利]一种材料晶体结构特征的自动化获取方法-CN202010287897.6在审
发明人：杨小渝 -专利权人：北京迈高材云科技有限公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种材料晶体结构特征的自动化获取方法，包括：A、获取特定材料性质数据作为训练数据集的步骤；B、从所述训练数据集中最大化的提取材料特征构建基础数据特征库的步骤；C、提取有效特征，即与目标值关联度较高特征的步骤；D、将所述有效特征进行组合的步骤；E、将筛选出的晶体结构特征，以及各种晶体结构特征组合，即最合适的晶体结构特征，作为最终用于描述特定化合物类或特定材料体系的晶体结构特征。采用本发明的方法，无需领域知识，就能从给定的晶体结构‑性能训练数据集中，高效提取最合适的晶体结构特征，以解决构建QSPR模型及预测晶体结构的特定目标性质的关键问题。
一种材料晶体结构特征自动化获取方法

[发明专利]从二维晶体上脱吸附气体的方法及应用-CN202310596777.8在审
发明人：高力波;袁国文;黄贤雷;刘伟林 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B01D53/32 文献下载
摘要：本发明属于气体存储技术领域，涉及一种从二维晶体上脱吸附气体的方法，包括：1）选取吸附有待脱吸附气体的二维晶体材料；2）将步骤1）中的二维晶体材料置于气体脱吸附腔中；3）对步骤1）中的二维晶体材料进行处理；所述处理方式是加热处理、光照辐射处理、等离子体处理和/或通过外电场处理；4）在步骤3）处理方式的作用下，降低吸附在二维晶体材料上的吸附气体和二维晶体之间的相互作用力，完成从二维晶体上对吸附气体进行脱吸附本发明提供了一种便于操作、吸附稳定性强以及便于操控的二维晶体吸附气体的方法及应用。
二维晶体吸附气体方法应用

[发明专利]脊形波导与二维光子晶体相结合的硅基拉曼激光器结构-CN200510011900.7无效
发明人：许兴胜;王春霞;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-06-09 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：一种脊形波导与二维光子晶体相结合的硅基拉曼激光器结构，包括：一SOI材料；一脊形波导，该脊形波导做在SOI材料上；一P型硅，该P型硅制作在脊形波导的一侧边；一N型硅，该N型硅制作在脊形波导的另一侧边；一光子晶体后端反射镜，该光子晶体后端反射镜位于脊形波导的后端，刻蚀在SOI材料上；一光子晶体前端反射镜，该光子晶体前端反射镜位于脊形波导的输入端，刻蚀在SOI材料上；该光子晶体前端反射镜和光子晶体后端反射镜和脊形波导组成激光器的谐振腔，光子晶体对光起到全反射镜的作用。
脊形波导二维光子晶体相结合硅基拉曼激光器结构

[实用新型]一种光子晶体光纤电光开关-CN201720848395.X有效
发明人：张峰;王义平;王英;廖常锐;何俊 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光子晶体光纤电光开关，所述光子晶体光纤电光开关包括光子晶体光纤、两个电极、波导及外接电压装置；所述电极及所述波导位于所述光子晶体光纤的内部；所述波导包括所述光子晶体光纤的纤芯及填充在所述光子晶体光纤的第一包层区气孔中的液体材料；所述电极由填充在所述光子晶体光纤的第二包层区气孔中的金属材料所形成；所述光子晶体光纤的侧面设有两个孔，两个所述孔分别与两个所述电极相连，所述孔中填充导电材料，所述外接电压装置通过所述导电材料与所述电极连接成通路
一种光子晶体光纤电光开关

[发明专利]一种紫外晶体材料Ba[BO(OH)2]F其制备方法及用途-CN201610925083.4在审
发明人：宋俊玲;郭钿烁;张弛 -专利权人：江南大学
申请日： 2016-10-24 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种新型紫外晶体材料，其制备方法及应用。该晶体材料的化学式为Ba[BO(OH)2]F，属于四方晶系，空间群为P‑4m2，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝4。该晶体材料具有二阶非线性倍频效应，约为KDP晶体的0.8倍。此外，该晶体材料具有较宽的透过范围，其紫外透过截止边约为330nm，在二阶非线性光学、电光调制、光通讯信息处理等领域有广泛的应用前景。
一种紫外晶体材料 ba bo oh 制备方法用途

[发明专利]一种荧光薄膜传感复合材料及其制备方法和应用-CN201510943978.6有效
发明人：张秀芳;陈禹彤;何雯雯;余春林 -专利权人：大连工业大学
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明涉及一种荧光薄膜传感复合材料及其制备方法和应用，属于荧光薄膜传感材料领域，所述材料包括导电玻璃、光子晶体、量子点；所述光子晶体覆盖于导电玻璃表面上形成光子晶体薄膜，所述量子点在光子晶体薄膜表面上自组装而成量子点薄膜，所述量子点的发射峰在光子晶体的光子禁带范围内，本发明有益效果为所述荧光薄膜传感复合材料具有耐水性好、荧光薄膜不易脱落、灵敏度高等特点。
一种荧光薄膜传感复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种晶体材料、制备方法及作为红外非线性光学材料的应用-CN201610331499.3有效
发明人：李淑芳;郭国聪;姜小明;刘彬文;曾卉一;徐忠宁 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体材料，其特征在于，化学式为：BaCdSnS₄；所述晶体材料属于正交晶系的Fdd2空间群，一种晶体材料制备方法作为红外非线性光学材料应用

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN201911048699.8有效
发明人：刘智维;蓝义信 -专利权人：台州观宇科技有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10K59/122 文献下载
摘要：一发光装置包括一晶体管以及位于所述晶体管上的一发光像素。所述发光像素包括一有机发光材料及一透明电极。所述透明电极介于有机发光材料与晶体管间。所述发光装置包括介于晶体管与透明电极间的黑体材料(black material，BM)。所述发光装置还包括被黑体材料环绕的通路，且该通路一端与所述晶体管电性连接，而另一端与透明电极电性连接。
发光装置及其制造方法

[发明专利]一种闪烁体面板及其制造方法-CN201410415050.6有效
发明人：焦启刚;谢舒平 -专利权人：平生医疗科技（昆山）有限公司
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： G21K4/00 文献下载
摘要：本发明提供一种闪烁体面板及其制造方法，所述制造方法至少包括步骤：首先，提供一基板，对所述基板进行预处理使其适于闪烁晶体材料的生长；然后，在所述基板上生长掺有色素的Ce3+卤化物闪烁晶体材料；最后在所述闪烁晶体材料表面进行封装本发明通过在Ce3+卤化物闪烁晶体材料中掺杂色素，使Ce3+卤化物闪烁晶体材料的发光谱从紫外光波段转换至可见光波段，从而可以使Ce3+卤化物闪烁晶体材料应用于高能放射线的探测领域。
一种闪烁体面及其制造方法

[发明专利]阵列基板及显示装置-CN201911259325.0有效
发明人：梅园;李金城;吴豪旭 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及显示装置，该阵列基板的驱动电路层形成有第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管，例如P型薄膜晶体管的有源层材料为有机导电高分子材料；基于该结构，通过使用有机导电高分子材料作为第一薄膜晶体管的有源层材料，解决了陈列基板的柔性受制于低温多晶硅材料特性的技术问题，增强了阵列基板的柔性，同时基于有机导电高分子材料的高迁移率，实现了第一薄膜晶体管的高迁移率，减小了显示器件大小，提高了开口率，降低了漏电流。
阵列显示装置

[实用新型]一种三层复合隔声板-CN202122713884.3有效
发明人：黄晓锋 -专利权人：厦门环寂高科有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： E04B1/86 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种三层复合隔声板，包括声子晶体层与中间层，所述中间层设置在两层所述声子晶体层之间，所述中间层由吸声或者隔声材料制成，且该材料与声子晶体层不同。本实用新型将由不同吸声或者隔声材料制成的声子晶体层与中间层复合成一体，利用不同吸声或者隔声材料物理性质的不同，使得声子晶体层与中间层阻隔声波频谱的波谷相错开，改善单质材料在某个频率或者频段上隔声效果不佳的问题，有效提高复合隔声板的隔声量，隔声效果较好，而且声子晶体层与中间层复合之后，材料强度、刚度等物理特性有所加强。
一种三层复合隔声板