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- [发明专利]基于多铁或铁电材料的自旋晶体管-CN201210211089.7在审
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陶玲玲;刘东屏;刘厚方;韩秀峰
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中国科学院物理研究所
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2012-06-20
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2014-01-15
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H01L29/66
- 公开了一种基于多铁/铁电材料利用电场驱动的自旋晶体管器件，该晶体管具有多层膜结构，势垒层可选用多铁材料或铁电材料。该自旋晶体管可采用共振隧穿方式工作，该共振隧穿模式可在外电场下通过多铁性材料或铁电性材料调节，实现传统晶体管的开关和放大特性；该自旋晶体管也可采用电场调节磁化强度的方式工作，该电场调节磁化强度通过多铁材料或铁电性材料的磁电耦合特性来调控磁性层材料的磁化强度方向，实现传统晶体管的开关和放大特性。上述两种基于多铁材料或铁电性材料的新型的自旋晶体管与传统的自旋晶体管相比，自由层磁矩方向的改变不需要外加磁场的调控。该自旋晶体管与传统的半导体晶体管相比具有结构简单，有利于集成和加工等特性。
- 基于材料自旋晶体管
- [发明专利]滤波装置与滤波装置的制造方法-CN202211436389.5在审
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黄君雅
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中国电信股份有限公司
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2022-11-16
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2023-03-07
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G02B5/28
- 装置包括第一耦合腔结构和第二耦合腔结构；第一耦合腔结构包括第一光子晶体和第二光子晶体；第二耦合腔结构包括第一光子晶体和第三光子晶体；第一光子晶体包括第一厚度的第一介电材料和第二厚度的第二介电材料，第二光子晶体包括第三厚度的第一介电材料和第四厚度的第二介电材料，第三光子晶体包括第五厚度的第一介电材料和第六厚度的第二介电材料。并且本公开可以通过设置第一介电材料与第二介电材料的不同厚度，得到不同的第一光子晶体、第二光子晶体和第三光子晶体，从而适应不同的信号频段。
- 滤波装置制造方法
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