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[发明专利]一种利用废铬系晶体材料冶炼二元合金的制备方法-CN202310575570.2在审
发明人：袁兆鑫;何玲玲 -专利权人：四川华铸新材料有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：一种利用废铬系晶体材料冶炼二元合金的制备方法，包括步骤：步骤01，废铬系晶体材料的破碎；步骤02，将铝粒称重并装入带有水冷铜坩埚的感应炉内；步骤03，向感应炉通电加热，铝粒进行熔化；步骤04，称取废铬系晶体材料颗粒，并进行配比；步骤05，对废铬系晶体材料颗粒进行预热；步骤06，将废铬系晶体材料颗粒投入熔化铝的感应炉内，并进行氧化还原反应；步骤07，待反应完全后，将炉内熔液倒入含有镁质炉衬的钢包中，静置冷却至少24小时；步骤08，将步骤07所得的钢包进行脱壳，并进行渣铁分离；步骤09，对铬锆二元合金，经抛丸、破碎、装桶后作为产品；对含铬氧化铝晶体材料，经破碎、装包后作为副产品。在进行废铬系晶体材料的再次利用时，不会产生含盐废物，从而提高环保效果。
一种利用废铬系晶体材料冶炼二元合金制备方法

[发明专利]含镉离子的噻吩类功能配合物晶体材料及其制备方法和应用-CN201810983684.X有效
发明人：张乐喜;殷艳艳;邢月;刘璐;别利剑;李亚宁;王佳楠 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C07F3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种含镉离子的噻吩类功能配合物晶体材料及其制备方法和应用，噻吩类功能配合物晶体材料具体组成为[Cd(TMA)(DPP)0.5]n，该噻吩类功能配合物晶体材料的分子结构中Cd(II)离子为变形八面体配位环境。噻吩类功能配合物晶体材料的制备方法为：将四水合硝酸镉、3‑噻吩丙二酸和1,3‑二(4‑吡啶基)丙烷在溶剂水中混合，滤液于室温沉降反应，得到大量无色片状晶体。在不同的相对湿度下，噻吩类功能配合物晶体材料的阻抗具有快速灵敏的响应，说明其可以作为一种性能优异的湿敏材料。本发明的优点是：该噻吩类功能配合物晶体材料制备方法操作简单，易工业放大，制备工艺成本低廉，条件温和，合成时间短，产品稳定性高，在湿敏传感器等电化学传感领域具有广阔的应用前景。
离子噻吩功能配合晶体材料及其制备方法应用

[发明专利]三元稀土铜碲晶体材料用作热电材料的用途-CN201710035154.8有效
发明人：吴立明;林华;陈玲 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2017-01-18 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明涉及三元稀土铜碲晶体材料用作热电材料的用途。该晶体材料分子通式为RECuTe₂且空间群为RE为Tb或Dy。该晶体材料为纯相结构，具有较高的稳定性。采用该晶体材料热压制备的热电材料性能优异，在750K时热导率为0.44–0.49W/m·K，电导可达93–120S/cm，塞贝克系数可达226–248μV/K，ZT值为0.95–1.0，可与目前被广泛研究甚至商业化的中温热电材料相媲美
三元稀土晶体材料用作热电用途

[发明专利]二氧化钛产品-CN201780048295.1有效
发明人： J·L·爱德华兹;J·罗布;J·坦珀利;R·M·埃文斯 -专利权人：维纳特材料英国有限公司
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C01G23/047 文献下载
摘要：本发明提供一种选自二氧化钛、掺杂的二氧化钛及其混合物的颜料颗粒材料，其中所述颗粒材料的平均晶体尺寸为0.3‑0.5微米，并且晶体尺寸分布使得40重量％或更多的颗粒材料具有0.3‑0.5微米的晶体尺寸，并且其中平均粒径与平均晶体尺寸的比例为所述颜料材料可用于包含分散在载体中的颜料材料的组合物中，从而为所述组合物提供改进的不透明度。
氧化产品

[发明专利]氧化钇材料在制备晶体管中的应用、晶体管及其制备方法-CN202210290818.6在审
发明人：梁世博;谢雨农;杨英君;赵俊峰;唐文涛;罗时江 -专利权人：华为技术有限公司;北京元芯碳基集成电路研究院
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10K71/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供了氧化钇材料在制备晶体管中的应用，其中，氧化钇材料可以用作制备晶体管过程中的硬掩膜。采用氧化钇材料作晶体管制造过程中的硬掩膜，可以解决光刻胶作为晶体管的微结构的刻蚀掩膜时存在的抗刻蚀能力不足、残余物难以去除的问题，以及解决常规的无机硬掩膜存在的热预算过高、可能破坏晶体管结构的问题。本申请实施例还提供了晶体管及其制造方法。
氧化钇材料制备晶体管中的应用及其方法

[发明专利]实时抛光工艺监视-CN200580019482.4无效
发明人：张剑;伊恩·怀利 -专利权人：卡伯特微电子公司
申请日： 2005-06-10 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：一种用于就地监视抛光工艺及其他材料移除工艺的技术使用嵌入晶片载体中的石英晶体纳米天平(225)。自晶片移除的材料沉积于该晶体的表面上。由此引起的该晶体的频率漂移指示了经移除的材料的量，从而允许判定瞬时移除速率以及工艺终点。该石英晶体纳米天平(225)上的沉积可由所施加的偏压控制。可使用多个石英晶体纳米天平。在本发明的另一实施例中，该石英晶体纳米天平用于在抛光工艺期间侦测诸如划伤的缺陷导致事件。
实时抛光工艺监视

[发明专利]经溶液加工的器件-CN00818580.8有效
发明人：翰宁·瑟林浩斯;理查德·H·费莱恩德;塔克·卡瓦斯 -专利权人：造型逻辑有限公司
申请日： 2000-12-21 - 公布日： 2003-06-18 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：一种制作晶体管的方法，包括：从第一溶剂的溶液中沉积出第一材料，形成晶体管的第一层；随后在第一材料保持溶解在第一溶剂中时，通过从第一材料基本不溶解的第二溶剂的溶液中在第一材料上沉积第二材料，形成晶体管的第二层
溶液加工器件

[发明专利]扩展的实现全环栅的纳米梳晶体管装置-CN202110973600.6在审
发明人： V·米什拉;S·M·塞亚;C·E·韦伯;J·T·卡瓦列罗斯;T·加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开内容的实施例基于扩展的实现全环栅的纳米梳晶体管架构，这意味着将具有至少栅极电介质材料或栅极电介质材料和栅电极材料两者的栅极壳体提供在纳米梳晶体管装置的横向纳米带的垂直叠层的每个纳米带的所有侧面上。特别地，本文所提出的扩展的实现全环栅的纳米梳晶体管架构包括使用相对于彼此具有蚀刻选择性的两种电介质壁材料，而不是仅使用用于实现常规纳米梳晶体管装置的单种电介质壁材料。如本文所述的实现全环栅的基于纳米梳的晶体管装置可以在常规纳米梳晶体管装置的短沟道效应方面提供改进。
扩展实现全环栅纳米晶体管装置

[发明专利]具有高电荷迁移率沟道材料的全环绕栅极晶体管-CN202180010221.5在审
发明人：杨斌;杨海宁;李夏 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件(200)，该半导体器件包括具有高电荷迁移率沟道材料的N型金属氧化物半导体(NMOS)全环绕栅极(GAA)晶体管(206)和P型金属氧化物半导体(PMOS)GAA晶体管(222)。半导体器件还可以包括在衬底上的NMOS GAA晶体管，其中NMOS GAA晶体管包括第一沟道材料(210，214)。半导体器件还可以包括在衬底上的PMOS GAA晶体管，其中PMOS GAA晶体管包括第二沟道材料(230，234)。第一沟道材料可以具有大于硅(Si)的电子迁移率的电子迁移率，并且第二沟道材料可以具有大于Si的空穴迁移率的空穴迁移率。
具有电荷迁移率沟道材料环绕栅极晶体管

[发明专利]模拟晶体结构两步法的强化学习绝热环境搭建方法-CN202210348045.2在审
发明人：李翔宇 -专利权人：上海图灵智算量子科技有限公司
申请日： 2022-04-03 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明提供一种模拟晶体结构两步法的强化学习绝热环境搭建方法，属于强化学习和材料合成技术领域。因为该方法针对绝热环境下利用两步法制备晶体材料的过程进行模拟，通过近似地建立晶体结构相变过程与补给能量之间的关系来搜寻晶体在实验过程中可能经历的相变路径，具体该方法先获取晶体材料发生相变过程的所有可能结构从而构建模拟环境，然后将所有可能结构信息包含的特定信息处理后进行结构变换并制定变换规则，从而模拟晶体材料的相变过程，所以，该方法可以有效地辅助实验进行，减少实验次数降低成本，对材料合成学科具有较高的经济价值。
模拟晶体结构步法强化学习绝热环境搭建方法

[发明专利]一种高质量CuI晶体的生长方法-CN201310698405.2有效
发明人：庄欣欣;吕洋洋;叶李旺;许智煌;苏根博 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种CuI晶体的生长方法，属于光电功能材料技术中的晶体生长领域。该方法使用NH4Cl、NH4Br、NH4I等为助溶剂，铜片作为还原剂，生长温区70‑40℃，采用水溶液温差法生长晶体。本发明采用的温差法生长技术具有生长设备简单、成本低廉、生长温度低以及晶体生长不受溶解度限制等优点，所生长的CuI晶体纯度高、均匀性好、尺寸较大，因此作为新一代的超快闪烁晶体，有望在未来超高计数率电子、γ射线和X射线测量中发挥重要作用，同时还作为一种半导体材料用作太阳能电池材料、超导材料和光催化材料。
一种质量 cui 晶体生长方法

[发明专利]晶体及其铸造方法和装置-CN201010270943.8无效
发明人：赵钧永 -专利权人：赵钧永
申请日： 2010-09-01 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明一般涉及使用籽晶的晶体铸造法，例如方向凝固铸造法，包括温度梯度凝固方法，制造比较大的预定晶向的晶体材料，包括多晶和单晶材料，尤其是适用于半导体和光伏应用的例如硅或硅锗材料。现有的使用籽晶的晶体铸造方法，存在着能耗大、控制难度大、杂质颗粒多、容易生成杂晶、难以获得大尺寸单晶材料等问题，本发明采用无底或底壁有缺口的坩埚、以及设置热绝缘区域和绝热部位，消除了上述问题，获得良好的晶体生长效果，得到的铸造单晶或多晶体材料，例如硅或硅锗晶体，其缺陷和夹杂少、质量好、性能优良，适合于半导体和光伏领域应用。
晶体及其铸造方法装置

[发明专利]有机发光材料薄膜晶体管液晶显示器的结构及其制造方法-CN02124338.7无效
发明人：余宗泽;邝东元;郑晃忠 -专利权人：展茂光电股份有限公司
申请日： 2002-06-19 - 公布日： 2002-12-18 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：一种有机发光材料薄膜晶体管液晶显示器的结构及其制造方法,提供一玻璃基材,在玻璃基材上制造薄膜晶体管集成电路,一金属层形成薄膜晶体管的顶面,接着沉积白光发光有机材料层,然后使用一覆盖层来平坦化有机材料层的表面,最后形成遮光图案层与彩色滤光板,完成薄膜晶体管液晶显示器的组装;本发明使用薄膜晶体管作为控制白光发光有机材料或者供给电压至白光发光有机材料的驱动电路,可以很容易的控制液晶显示器的亮点,再配合彩色滤光板作为色彩调变的工具,大幅简化薄膜晶体管液晶显示器的结构与制造方法。
有机发光材料薄膜晶体管液晶显示器结构及其制造方法

[发明专利]飞秒激光诱导制备氯铅化钾色心激光晶体和波导晶体材料-CN200610091464.3无效
发明人：涂朝阳;李坚富;游振宇;王燕;朱昭捷 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2006-06-13 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：飞秒激光诱导制备氯铅化钾色心激光晶体和波导晶体材料，涉及晶体材料领域。氯铅化钾色心激光晶体利用氯铅化钾作为激光基质材料，采用飞秒激光诱导色心，实现近红外或2500nm～5000nm的中红外激光输出。波导晶体材料采用飞秒激光诱导，形成有大量F₂色心的微米线，在fs激光的高温高压下形成了折射率四周高而中间低的光波导材料。Cl₅光波导和KPb₂Cl₅激光功能色心结合起来可以制成微米色心激光器，有望在KPb₂Cl₅晶体中实现光波的传输
激光诱导制备氯铅化钾色心晶体波导材料

[发明专利]飞秒激光诱导制备溴铅化钾色心激光晶体和波导晶体材料-CN200610091460.5无效
发明人：涂朝阳;游振宇;王燕;李坚富;朱昭捷 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2006-06-13 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：飞秒激光诱导制备溴铅化钾色心激光晶体和波导晶体材料，涉及晶体材料领域。溴铅化钾色心激光晶体利用溴铅化钾作为激光基质材料，采用飞秒激光诱导色心，实现近红外或2500nm～5000nm的中红外激光输出。波导晶体材料采用飞秒激光诱导，形成有大量F₂色心的微米线，在fs激光的高温高压下形成了折射率四周高而中间低的光波导材料。Br₅光波导和KPb₂Br₅激光功能色心结合起来可以制成微米色心激光器，有望在KPb₂Br₅晶体中实现光波的传输
激光诱导制备溴铅化钾色心晶体波导材料