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[发明专利]应变纳米线CMOS器件和形成方法-CN201610621501.0有效
发明人：彭成毅;江宏礼;杨玉麟;叶致锴;杨育佳;刘继文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了晶体管结构和晶体管结构的形成方法。晶体管结构包括第一外延材料和第二外延材料的交替层。在一些实施例中，对于一个n‑型或p‑型晶体管，可以去除第一外延材料或第二外延材料。可以去除第一外延材料和第二外延材料的最下的层，并且可以使第一外延材料或第二外延材料的侧壁缩进或凹进。本发明的实施例还涉及应变纳米线CMOS器件和形成方法。
应变纳米 cmos 器件形成方法

[发明专利]有机发光材料薄膜晶体管液晶显示器的结构及其制造方法-CN02124339.5无效
发明人：余宗泽;郑晃忠;邝东元 -专利权人：展茂光电股份有限公司
申请日： 2002-06-19 - 公布日： 2002-12-18 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：一种有机发光材料薄膜晶体管液晶显示器的结构及其制造方法,提供一玻璃基材,在玻璃基材上制造数个薄膜晶体管,在薄膜晶体管的顶端形成金属层,接着,在薄膜晶体管与金属层之上覆盖一平坦膜层,在平坦膜层上形成红蓝绿光有机发光材料图案层,对准于薄膜晶体管的图案层,在发光材料图案层的顶端形成透光导电玻璃层,最后在发光材料图案层之间填入遮光图案层,以避免不同色光的混光;本发明使用有机发光材料作为薄膜晶体管显示器的发光源,仅需使用微影制程与蚀刻制程对于有机发光材料层进行图案定义,使得制程良率能够被有效提升,不受限于液态晶体层的制造过程,大大降低了制造成本。
有机发光材料薄膜晶体管液晶显示器结构及其制造方法

[发明专利]结构色纤维材料及其制备方法-CN202210359499.X在审
发明人：陆莹;王栋;刘琼珍;李沐芳;罗梦颖 -专利权人：武汉纺织大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： D06P1/673 文献下载
摘要：本发明提供了一种结构色纤维材料及其制备方法，包括纤维材料基材、附着于纤维材料基材上的显色层和光子晶体结构色层；显色层包括二维材料MXene；光子晶体结构色层包括呈有序紧密排布的光子晶体纳米微球。二维材料MXene在纤维表面定向排列自组装为显色层，加速光子晶体纳米微球在纤维表面的沉积和有序排布，提高了两者的结合牢度，使材料显色更加清晰；通过调控光子晶体纳米微球的尺寸，实现显示不同颜色的结构色纤维材料本发明的光子晶体纳米微球自组装排列嵌合到纤维材料上，具有沉积牢固、颜色稳定性好、耐候性好、光热转换性能好的优点；且制备工艺简单，无需多余试剂，经济效益高，具有良好的应用前景。
结构纤维材料及其制备方法

[发明专利]基于磁致压电势的晶体管和磁传感器-CN201711377620.7有效
发明人：翟俊宜;刘玉东 -专利权人：北京纳米能源与系统研究所
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种基于磁致压电势晶体管，包括基底和设置在所述基底上的铁电晶体管，其中，所述基底由磁致伸缩材料构成，所述铁电晶体管中包括压电层。本发明的晶体管主要由三种不同功能材料磁致伸缩层基底材料、压电层材料和半导体层材料复合构成，并且垂直堆垛而成。本发明的基于磁致压电势晶体管还可以作为磁传感器。当该传感器置于磁场中，磁致伸缩材料产生应变并传给铁电晶体管中的压电材料，使压电材料产生压电势；该压电势可以作为栅电压，调节半导体内载流子浓度，使半导体内电阻发生变化，如果在半导体的源漏两端加电压，会使电流在施加磁场后发生变化
基于压电晶体管传感器

[发明专利]晶体管-CN202010058946.9有效
发明人：黛哲;马克·费希尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请涉及晶体管。一些实施例包含在第一半导体材料上具有第二半导体材料的构造。归因于所述第一及第二半导体材料的不同晶格特性，所述第二半导体材料接近所述第一半导体材料的区域具有应变。晶体管栅极向下延伸到所述第二半导体材料中。栅极电介质材料是沿着所述晶体管栅极的侧壁及底部。源极/漏极区域是沿着所述晶体管栅极的所述侧壁，且所述栅极电介质材料处于所述源极/漏极区域与所述晶体管栅极之间。沟道区域在所述源极/漏极区域之间延伸且处于所述晶体管栅极的所述底部下方。所述沟道区域中的至少一些处于所述应变区域内。
晶体管

[发明专利]一种用于行波管的慢波线-CN201010118399.5无效
发明人：宫玉彬;殷海荣;魏彦玉;王文祥 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2010-03-05 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01J23/24 文献下载
摘要：它由多组光子晶体单元沿行波管的电子束通道轴向排列，所述光子晶体单元的内部为中空结构，多组光子晶体单元的中空结构组成行波管的电子束通道，所述光子晶体单元的前景材料沿径向呈二维周期性排列，所述背景材料填充满前景材料的间隙，光子晶体单元之间通过在轴向上呈周期性排列的金属隔板固定连接在一起并被其隔离，所述光子晶体单元的前景材料使用合金永磁材料，背景材料采用铁氧体永磁材料，金属隔板采用软磁材料。
一种用于行波慢波线

[实用新型]一种用于行波管的慢波线-CN201020124320.5无效
发明人：宫玉彬;殷海荣;魏彦玉;王文祥 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2010-03-05 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01J23/24 文献下载
摘要：它由多组光子晶体单元沿行波管的电子束通道轴向排列，所述光子晶体单元的内部为中空结构，多组光子晶体单元的中空结构组成行波管的电子束通道，所述光子晶体单元的前景材料沿径向呈二维周期性排列，所述背景材料填充满前景材料的间隙，光子晶体单元之间通过在轴向上呈周期性排列的金属隔板固定连接在一起并被其隔离，所述光子晶体单元的前景材料使用合金永磁材料，背景材料采用铁氧体永磁材料，金属隔板采用软磁材料。
一种用于行波慢波线

[发明专利]一种金属有机框架晶体材料及其合成方法-CN202011186438.5有效
发明人：章跃标;贺海龙;姜闻涛 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B01J20/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属有机框架晶体材料及其合成方法，该金属有机框架晶体材料的分子式为(Zn4O)3(TATAB)4(BDC)(BPDC)2，所述金属有机框架晶体材料中，粒径分布在0.5～3cm之间的晶体占所述金属有机框架晶体材料的总量的质量百分比为本发明的合成方法能够合成纯相晶体(Zn4O)3(TATAB)4(BDC)(BPDC)2，生成晶体颗粒大，能够放大化生产，合成效率高，成本低。
一种金属有机框架晶体材料及其合成方法

[发明专利]使用选晶器的晶体材料铸造方法及装置-CN201010218719.4无效
发明人：赵钧永 -专利权人：赵钧永
申请日： 2010-07-05 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明一般涉及使用选晶法的垂直方向凝固铸造法，制造具有预定晶向的晶体材料，包括多晶和单晶材料。现有的使用选晶法的晶体铸造方法，在生产较大尺寸的晶体时，存在着选晶效果差、容易生成杂晶、内应力大、难以获得单晶材料或达到预期的质量要求等问题，本发明通过提供一个水平截面逐渐增大的渐变性晶体生长区域，消除了上述问题，获得良好的晶体生长效果，得到的铸造单晶或多晶体材料，例如硅或硅锗晶体，其缺陷少、质量好、性能优良，特别适用于半导体和光伏领域应用。
使用选晶器晶体材料铸造方法装置

[发明专利]含籽晶的晶体材料及其制造方法和制造装置-CN201010218723.0无效
发明人：赵钧永 -专利权人：赵钧永
申请日： 2010-07-05 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明一般涉及使用籽晶诱导的垂直方向凝固铸造法，制造具有预定晶向的晶体材料，包括多晶和单晶材料。现有的籽晶诱导的铸造晶体方法，在生产较大尺寸的晶体时，存在着籽晶用量大、容易生成杂晶、内应力大、难以获得单晶材料或达到预期的质量要求等问题，本发明通过提供一个水平截面逐渐增大的渐变性晶体生长区域，消除了上述问题，获得良好的晶体生长效果，得到的铸造单晶或多晶体材料，例如硅或硅锗晶体，其缺陷少、质量好、性能优良，特别适用于半导体和光伏领域应用。
籽晶晶体材料及其制造方法装置

[发明专利]一种基于热变色体系的具有颜色开关功能的热响应光子晶体及其制备方法-CN201910702905.6在审
发明人：唐炳涛;刘芳芳;张淑芬 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C09K9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于热变色体系的具有颜色开关功能的热响应光子晶体，特别涉及基于热变色体系的具有颜色开关功能的热响应光子晶体的制备方法，属于响应性材料及生色材料的制备领域。一种基于热变色体系的具有颜色开关功能的热响应光子晶体，所述材料由反蛋白光子晶体及填充于反蛋白光子晶体反蛋白结构孔隙中的热变色体系材料组成，其中，所述热变色体系材料由隐色剂、显色剂和相变材料组成。本发明所得材料实现了对外界热刺激的响应性，通过外部热刺激，实现了结构色与色素色的相互转换。
光子晶体热变色颜色开关热响应体系材料热刺激制备蛋白响应性材料蛋白结构生色材料相变材料结构色显色剂响应性隐色剂色素填充外部转换

[发明专利]铪镝双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法-CN201310750340.1无效
发明人：代丽;焦珊珊;赵丽丽;李大勇;林家齐;代明;徐超 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：铪镝双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及铪镝双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。它要解决现有铌酸锂晶体不能做为激光晶体材料和铌酸锂晶体抗光损伤能力低的问题。方法：一、混合四种原料；二、采用提拉法生长晶体，得到多畴晶体；三、极化，得到极化后的晶体；四、切割、抛光，得到Hf:Dy:LiNbO3晶体。本发明制备的Hf:Dy:LiNbO3晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生，抗光损伤性能较高，能够做为激光晶体材料；本发明制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快；这种晶体材料在制备紧凑型
铪镝双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法

[发明专利]一种复合晶体、伽玛射线探测器及其制备方法-CN201110129741.6无效
发明人：应关荣;谢舒平 -专利权人：上海生物医学工程研究中心
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合晶体、伽玛射线探测器及其制备方法，其中所述伽玛射线探测器包括复合晶体阵列和光电倍增管；所述复合晶体阵列通过光耦合剂与光电倍增管耦合在一起；所述复合晶体阵列包括多个单根复合晶体，所述单根复合晶体之间填充有长短不一的反光层；所述单根复合晶体通过切磨抛处理复合晶体获得。所述复合晶体包括闪烁晶体和光导材料，闪烁晶体和光导材料之间通过胶合剂粘贴在一起，且闪烁晶体和光导材料的位置对准不偏离。所述胶合剂为光学水泥。本发明所述的伽玛射线探测器的空间分辨率较高，制作复合晶体的工艺简单，易生产，且组装工艺的稳定性、可重复性高。
一种复合晶体射线探测器及其制备方法

[发明专利]控制气载污染物跨晶带表面的转移-CN200980132137.X无效
发明人：大卫·哈维;黄卫东;斯科特·赖特斯玛;明·士·黎 -专利权人：长青太阳能股份有限公司
申请日： 2009-08-17 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种生长带状晶体的方法，它提供了容纳熔融材料的坩埚，并且将丝索穿过该熔融材料，以生长带状晶体。该方法还引导带状晶体周围的气流，使气体沿着带状晶体朝所述坩埚向下流动。
控制污染物跨晶带表面转移

[发明专利]柔性垂直沟道有机薄膜晶体管及其制作方法-CN201611129977.9有效
发明人：卜呈浩;胡国仁 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供一种柔性垂直沟道有机薄膜晶体管及其制作方法，改变了传统的平面沟道有机薄膜晶体管的构型，使用垂直沟道构型极大的缩短了沟道长度，使得薄膜晶体管可以在较低的驱动电压下获得较大的源漏电流；使用无缺陷、具有高导电性及高透明度的石墨烯材料制备栅极，使得薄膜晶体管的电学性能更好；使用六方氮化硼材料制备栅极绝缘层，与石墨烯材料制备的栅极共同作用，提高了薄膜晶体管的电学性能，并且由于石墨烯材料与六方氮化硼材料均为弯折性能较好的二维原子层结构材料，同时沟道层采用具有柔性的有机半导体材料，使得整个有机薄膜晶体管的弯折性能得到大幅度提高，有利于有机薄膜晶体管在柔性OLED显示屏中的应用。
有机薄膜晶体管薄膜晶体管石墨烯材料垂直沟道六方氮化硼电学性能弯折性能构型制备有机半导体材料栅极绝缘层材料制备二维原子高导电性高透明度平面沟道驱动电压源漏电流层结构传统的沟道层沟道制作应用

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