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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种晶体材料及其制备方法和应用-CN202211096365.X在审
发明人：刘乐辉;林州斌;张莉珍;苑菲菲;黄溢声 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体材料及其制备方法和应用，属于光学材料领域。一种晶体材料，所述晶体材料的化学式为4(C3N6H6)·HPF6；所述晶体材料含有π共轭构筑单元；所述π共轭构筑单元为(C3N6)3‑<该材料经第一性原理计算显示该晶体具有较大的双折射率。在1042nm下的双折射率为0.247；该双折射晶体材料在200nm～2500nm广谱范围内具有良好的透过率。
一种晶体材料及其制备方法应用

[发明专利]深紫外、可见、近红外偏振器-CN200510018753.6有效
发明人：黄木旺;吴秀榕 -专利权人：福州福特科光电有限公司
申请日： 2005-05-20 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种深紫外、可见、近红外偏振器，它包括晶体材料和胶，所述的晶体材料为α－BBO晶体材料；所述的胶在紫外有很高的透射率、且胶的折射率能与α－BBO晶体材料的折射率有很好的匹配；将α－BBO晶体材料做成两个形状构造完全相同的、切角为59.6±2度的双折射材料，在两个α－BBO晶体材料的斜面间设有胶。
深紫可见红外偏振

[发明专利]一种压电晶体材料及其制备方法-CN202010757116.5有效
发明人：张军;李向东;廖添;任奕菲;何凤荣 -专利权人：东莞东阳光科研发有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本发明提供一种压电晶体材料的制备方法，包括：(1)预烧结：按照压电材料配比，分别称取Pb3O4、TiO2粉末，后经研磨、烘干、过筛、低温烧结后得到预烧结粉体；(2)压片：称取石墨烯，与预烧结粉体经研磨、烘干、过筛、压片后得到片状体；(3)烧结：将片状体进行高温烧结，得到晶体材料；(4)极化：将晶体材料极化，得到压电晶体材料；其中，烧结中所述高温烧结的温度高于预烧结中所述低温烧结的温度，且所述高温烧结的温度低于压电晶体材料的熔融温度。本发明的制备方法制备成本低，但得到的压电晶体材料压电常数高。
一种压电晶体材料及其制备方法

[发明专利]一种高活性光催化剂晶体磷材料及其制备方法-CN202110982926.5有效
发明人：许并社;张帅;马淑芳 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： B01J27/186 文献下载
摘要：本发明属于晶体磷材料制备技术领域，具体涉及一种高活性光催化剂晶体磷材料及其制备方法。所述方法包括以下步骤：将红磷粉末和铋粉加入到密闭环境中，升高温度到530℃以上，保温反应10‑200min，反应结束后降温至室温，得到晶体磷材料。本发明以红磷和铋为原料，二者在真空环境在热处理反应，生成稳定的橙红色[P12(4)]P2[产物或者稳定的晶体紫磷材料，本发明首次实现了这两种材料的稳定制备方法，并且材料制备过程简单，高效安全，为研究晶体红磷和晶体紫磷的结构性能铺平道路，为单元素光催化剂的研究提供思路，该材料的应用前景极为广阔。
一种活性光催化剂晶体材料及其制备方法

[发明专利]可控式光路变换器-CN201210571939.4有效
发明人：陶科玉;欧阳征标;刘毅 -专利权人：深圳大学
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： G02F1/295 文献下载
摘要：本发明涉及一种可控式光路变换器，包括由磁光材料制成的第一光子晶体和第二光子晶体；第一光子晶体和第二光子晶体之间设置有非磁光材料制成的第三光子晶体；第三光子晶体与第一光子晶体、第二光子晶体分别形成单向波导；第三光子晶体中还设置有由磁光材料制成的缺陷腔，用作磁场控制下的开关；该光路变换器还包括磁场发生器，磁场发生器用于产生施加在第一光子晶体、第二光子晶体和磁控开关上的磁场。
可控式光路变换器

[发明专利]机器人科学家辅助晶体材料数字制造的方法及系统-CN202210199693.6在审
发明人：赵海涛;喻学锋;奥亚瓦莱·阿德通吉·摩西;亚当·穆克塔·拉万;杨子翊;陈薇;陈子健 -专利权人：深圳先进技术研究院;腾讯科技（深圳）有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供的一种机器人科学家辅助晶体材料数字制造的方法及系统，通过所述机器人科学家平台进行纳米晶体材料的辅助实验，根据所述辅助实验构建数据库，再基于所述数据库，所述机器人科学家平台实现纳米晶体材料数字制造，本申请利用自动化机器人HTE平台，在机器学习训练模型的指导下，通过无种子生长，对实现不同AR和OD比值的纳米晶体材料的高通量合成，加速功能材料数字制造，提高晶体材料制造效率及缩短研发周期。
机器人科学家辅助晶体材料数字制造方法系统

[发明专利]一种γ射线探测器晶体阵列的制作方法-CN201110031469.8无效
发明人：张辉;居小平;王涛 -专利权人：江苏中惠医疗科技股份有限公司
申请日： 2011-01-29 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： G21K4/00 文献下载
摘要：一种γ射线探测器晶体阵列的制作方法，涉及γ射线探测成像技术领域。先将原始的晶体材料切割形成整块的矩形原始晶体块，并对矩形原始晶体块进行机械表面处理；然后通过粘合剂将光导介质粘合在原始晶体块的下表面；再对原始晶体块进行切割，形成晶体条阵列；并对阵列式排列的各晶体条进行表面抛光处理；再在各晶体条之间的间隙进行反光材料的镀膜或填充处理；最后对所述晶体条阵列的上表面和四周表面进行反光材料的镀膜或包裹处理。本发明降低了加工难度，提高成品率，减少了传统工艺中手工制作的成分，更加方便地实现复杂结构的晶体阵列，如具有响应深度信息的多层错位结构的晶体阵列等。
一种射线探测器晶体阵列制作方法

[发明专利]磁性荧光复合材料及制备方法与应用-CN200510109318.4有效
发明人：高明远;涂赤枫;杨云华 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2005-10-14 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： C08L25/04 文献下载
摘要：一种磁性荧光复合材料，主要由修饰过的磁性晶体材料、修饰过的荧光半导体晶体材料以及基体材料组成；其中修饰磁性晶体材料是用带有－NH₂、－C＝C、－SH、－S－S或者环氧基的硅烷化试剂；修饰荧光半导体晶体材料是用可反应型表面活性剂。本发明的复合材料既有优异的荧光特性又具备明显的磁响应性质，其优点不仅在于荧光纳米晶体与磁性纳米微粒通过化学键同具有致密结构的基体材料相连，还在于荧光和磁性的集成为高灵敏度的生物分析和检测提供了新的应用。
磁性荧光复合材料制备方法应用

[发明专利]一种萘四酸酐Zn-MOF晶体材料及其制备方法和应用-CN201810999503.2在审
发明人：董彦芳;王志玲;杨浩 -专利权人：济南大学
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种萘四酸酐Zn‑MOF晶体材料及其制备方法和该材料电解水析氧的应用，属于催化和金属有机框架物材料技术领域。其主要步骤是将萘四酸酐溶液与硝酸锌溶液共混后，室温生成晶体，抽滤、干燥，制得萘四酸酐Zn‑MOF晶体材料。该Zn‑MOF晶体材料制备所用原料成本低，制备工艺简单，反应能耗低，具有工业应用前景。
晶体材料制备金属有机框架物制备方法和应用材料技术领域硝酸锌溶液反应能耗工业应用酸酐溶液原料成本制备工艺电解水抽滤共混析氧催化应用

[发明专利]无机体相多结材料及其制备方法-CN200980137196.6有效
发明人： T·汉拉兹;J·R·恩斯特伦 -专利权人：康奈尔研究基金会股份有限公司
申请日： 2009-08-10 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L31/0384 文献下载
摘要：本发明揭示一种纳米结构的复合材料，该复合材料包含在晶体半导体基质中的半导体纳米晶体。合适的纳米晶体包括硅、锗和硅‑锗合金，以及铅盐如PbS、PbSe和PbTe。合适的晶体半导体基质材料包括Si和硅‑锗合金。本发明还揭示一种制备纳米结构的复合材料的方法。本发明还揭示包含纳米结构的复合材料的装置。
机体相多结材料及其制备方法

[发明专利]提供半导体原材料的方法和系统-CN99806838.1无效
发明人：马克·德斯特法诺;詹姆斯·D·奥夫;托马斯·H·舒尔特;约翰·M·安德森;恩格·钦·姚;唐纳德·R·鲁杰里;戴维·W·巴尔德温;查尔斯·L·巴迪诺 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 1999-03-03 - 公布日： 2001-07-11 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：一种向用于生长单晶半导体材料的晶体提拉装置提供原材料的方法。通常,此方法包括在具有晶体提拉装置的设备处接受所述原材料的散装容器,并将散装容器设置成借助重力从散装容器送料的位置。将散装容器运送至晶体提拉装置,并直接从散装容器发送预定量的原材料进入晶体提拉装置。也公开了供给原材料的设备和系统。
提供半导体原材料方法系统

[发明专利]聚氨酯和氨基乙酸‑溴化钙半有机晶体复合材料的制备方法-CN201611043124.3在审
发明人：李长英 -专利权人：陕西聚洁瀚化工有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： C08L75/06 文献下载
摘要：本发明涉及功能材料技术领域，具体涉及一种聚氨酯和氨基乙酸‑溴化钙半有机晶体复合材料的制备方法。1、聚氨酯和氨基乙酸‑溴化钙半有机晶体复合材料的制备方法，包括如下步骤（1）氨基乙酸‑溴化钙半有机晶体的制备；（2）聚氨酯和氨基乙酸‑溴化钙半有机晶体复合材料的制备。本发明复合材料提高了Pu材料的微相分离程度。拉伸强度和撕裂强度均有所提高。
聚氨酯氨基乙酸溴化钙有机晶体复合材料制备方法

[发明专利]晶体管、半导体器件及其制造方法-CN201210570793.1有效
发明人：戈本·多恩伯斯;查理德·奥克斯兰德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了晶体管、半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括在工件上方形成晶体管。该晶体管包括牺牲栅极材料，该牺牲栅极材料包括III-V族材料。该方法包括将金属(Me)与牺牲栅极材料的III-V族材料相结合从而形成包括Me-III-V化合物材料的栅极。本发明还提供了一种晶体管、半导体器件及其制造方法。
晶体管半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种光子晶体材料及其制备方法和应用-CN202010717030.X有效
发明人：王京霞;刘俊超;江雷 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光子晶体材料，所述光子晶体材料的结构中包含内层和位于所述内层一个表面的表层；其中，所述内层包含周期性排列的微纳米级孔阵列以及填充在各孔间的填充材料；所述表层包含不规整的孔及填充在各孔间的填充材料该光子晶体材料在光照条件下结构色可以发生可逆地转变。本发明还公开了该光子晶体材料的制备方法和应用。
一种光子晶体材料及其制备方法应用

[发明专利]一种基于He离子辐照的石榴石晶体薄膜的制备方法-CN201811552607.5在审
发明人：赵金花;付刚;李爽 -专利权人：山东建筑大学
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C30B30/00 文献下载
摘要：一种基于He离子辐照的石榴石晶体薄膜的制备方法，包括：a)计算得到He离子的能量和剂量；b)按计算得到He离子的能量和剂量对石榴石晶体进行辐照，损伤层将石榴石晶体分割成上端的表面层和下端的衬底层；c)将辐射后的石榴石晶体与衬底材料清洗干净；d)将石榴石晶体的衬底层与衬底材料固定并相互挤压在一起；e)将固定的石榴石晶体与衬底材料进行退火处理得到石榴石晶体薄膜。利用He离子辐照结合bonding技术制成的石榴石晶体薄膜，其质量高，同时实现了衬底材料的自由选择。
石榴石晶体衬底材料薄膜离子辐照衬底层制备离子辐照退火处理自由选择表面层固定的损伤层上端挤压清洗辐射分割

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