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[发明专利]非密堆积胶体晶体薄膜的热压制备方法-CN200710024492.8无效
发明人：张继中 -专利权人：东南大学
申请日： 2007-06-19 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： B29C43/02 文献下载
摘要：非紧密堆积型胶体晶体薄膜的热压制备方法，特别是将非热塑性材料为核而热塑性材料为壳的核壳结构单分散微球组装成紧密堆积型胶体晶体薄膜后进行热压以使壳层材料熔融在一起而核心材料在壳层材料中形成非紧密堆积型胶体晶体首先通过制备或者购买获得非热塑性材料构成的单分散微球作为核心；其次在非热塑性材料构成的核心单分散微球上包覆热塑性材料以形成热塑性材料为壳而非热塑性材料为核的核壳结构的单分散微球；然后组装核壳结构单分散微球以形成胶体晶体薄膜；热压胶体晶体薄膜以使壳层材料熔融而核心材料在壳层材料中形成非紧密堆积型胶体晶体薄膜；该方法具有设计柔性、选择材料多、处理工艺简单的特点。
堆积胶体晶体薄膜热压制备方法

[发明专利]钙钛矿晶体复合材料及其制备方法及应用-CN201710126721.0有效
发明人：瞿光胤;范利生;巫继锋;陈加坡;田清勇;范斌 -专利权人：苏州协鑫纳米科技有限公司;苏州协鑫能源技术发展有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种钙钛矿晶体复合材料，其包括钙钛矿晶体以及掺杂于所述钙钛矿晶体中的有机掺杂剂；所述钙钛矿晶体的化学通式为MA_xFA_1‑xPbI_{3‑y‑z上述钙钛矿晶体复合材料，由于在钙钛矿晶体中掺杂有机小分子，故而增加钙钛矿晶体复合材料抗潮解性能。另外，钙钛矿晶体复合材料的热稳定性也得到了提高。本发明还公开了一种钙钛矿晶体复合材料的制备方法及其应用。}
钙钛矿晶体复合材料及其制备方法应用

[发明专利]硅基光子晶体微腔拉曼激光器结构-CN200510086312.X无效
发明人：许兴胜;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-08-31 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：一种硅基光子晶体微腔拉曼激光器结构，包括：一绝缘体硅材料；一二维光子晶体，该二维光子晶体制作在绝缘体硅材料的上面，位于绝缘体硅材料的中间部分处；一二维光子晶体微腔，该二维光子晶体微腔形成在二维光子晶体的中心处；一P型硅，该P型硅制作在绝缘体硅材料上面的一侧，位于二维光子晶体的一边；一N型硅，该N型硅制作在绝缘体硅材料上面的另一侧，位于二维光子晶体的另一边。本发明二维光子晶体微腔硅基拉曼激光器的结构，该拉曼激光器结构紧凑，模体积小，阈值低，便于与其他器件的集成。
光子晶体微腔拉曼激光器结构

[发明专利]一种计算任意晶系材料高温弹性系数的方法-CN201110198051.6无效
发明人：温斌;邵天娇 -专利权人：燕山大学
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： G01N25/00 文献下载
摘要：一种计算任意晶系材料高温弹性系数的方法，其主要是：根据晶体材料的对称性，对材料的晶体原胞形状作一系列的变形，并计算这些变形晶体原胞的在0～晶体德拜温度下的吉布斯自由能G(ξ，T)。通过求解一系列变形形式下吉布斯自由能G(ξ，T)随变形量变化的最小值，便可将求得晶体的各向异性的线膨胀系数和晶体结构。通过对晶体能量密度ρ(ξ，T)对应变量ξ进行多项式拟合，获得该多项式的二阶系数，通过联合求解二阶系数与弹性系数的方程组，就可以确定出该晶体材料在给定温度下的各个独立的弹性系数cij(T)。本发明方法简单，能迅速准确地计算任意晶系下晶体材料的高温高压的力学性能。
一种计算任意晶系材料高温弹性系数方法

[发明专利]制备超结构孪晶材料的方法-CN201811324985.8有效
发明人：陆阳;许棕;晏浩 -专利权人：北京高压科学研究中心
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C01G23/053 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备超结构孪晶材料的方法，所述方法包括以下步骤：(i)提供具有第一晶体结构的第一晶体；(ii)使得所述第一晶体处于水热条件之下，在不解除所述水热条件的条件下，使得所述第一晶体与用来形成第二晶体的第二原料接触，发生第二反应，从而在所述第一晶体上生长具有第二晶体结构的第二晶体；所述第二晶体在所述第一晶体上构成所述超结构孪晶。本发明还提供了由该方法制得的孪晶材料，以及该孪晶材料的应用。
制备结构材料方法

[发明专利]用于沿激光损伤区域分离晶体材料的载体辅助方法-CN201980087197.8在审
发明人：马修·多诺弗里奥;约翰·埃德蒙;华双·康;叶利夫·巴尔卡斯 -专利权人：克利公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：用于去除晶体材料(例如SiC)衬底的一部分的方法，包括将衬底的表面接合到刚性载体(例如800μm厚度)，其中在相对于表面的深度处在衬底内提供表面下的激光损伤区域。具有高于25℃的玻璃化转变温度的粘合材料可以将衬底结合到载体。晶体材料沿表面下的激光损伤区域断裂，以产生包括载体和晶体材料的一部分的结合组件。晶体材料的断裂可以通过以下方式促进：(i)接近于至少一个载体边缘施加机械力以在载体中赋予弯曲力矩；(ii)当载体具有比晶体材料更大的热膨胀系数时冷却载体；和/或(iii)向晶体材料施加超声能量。
用于激光损伤区域分离晶体材料载体辅助方法

[发明专利]一种低温相变型晶体材料制备方法-CN201810429389.X在审
发明人：刘尊奇;刘洋;秦刘磊;王乐 -专利权人：新疆农业大学
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： C09K5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温相变型晶体材料制备方法。将4‑氨基苯甲酰胺、高氯酸、18‑crown‑6‑醚分别溶解在丙酮溶剂中，等待完全溶解后将三份溶液完全混合，静态蒸发得到白色透明晶体。该晶体在222K附近明显的产生相变异常，同时该晶体的介电常数随温度的变化同样的温度处产生明显的介电异常，各种性质说明本次合成的晶体功能材料为低温相变介电异常型功能材料，可以用于制备低温存储信息材料、低温智能材料、低温信息交换型材料、低温储能材料等功能材料。
功能材料制备晶体材料变型低温相介电氨基苯甲酰胺丙酮溶剂储能材料低温存储低温相变介电常数透明晶体完全溶解信息材料信息交换智能材料高氯酸晶体的蒸发溶解合成

[发明专利]基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器及其信号读取办法-CN201210442007.X有效
发明人：闫锋;马浩文;沈忱;卜晓峰;吴福伟;夏好广;张佳辰 -专利权人：南京大学
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器，每个单元探测器都是由两个晶体管构成，利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管：两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底P型半导体材料（1）上方，两个晶体管通过浅槽STI隔离隔开，基底P型半导体材料正上方分别设有底层和顶层二层绝缘介质材料和控制栅极（2），二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层（4），读取晶体管设有源漏极，用以读取信号；两个晶体管之间通过光电子存储层相连，使得读取晶体管能够读到感光晶体管通过感光存储到光电子存储层的光电子。
基于复合介质 mosfet 双晶光敏探测器及其信号读取办法

[发明专利]墨水、薄膜晶体管及其制备方法、有源层薄膜、显示设备-CN202010306883.4在审
发明人：黄航 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C09D11/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种墨水、薄膜晶体管有源层薄膜、薄膜晶体管及其制备方法、显示设备。该墨水包括金属氧化物前驱体盐、纳米导电材料和有机溶剂。纳米导电材料包括：一维纳米材料、二维纳米材料或者由一维纳米材料与二维纳米材料形成的复合材料。通过去除该墨水中的有机溶剂，并使金属氧化物前驱体盐和纳米导电材料形成复合纳米导电材料的金属氧化物薄膜，可形成复合纳米导电材料的金属氧化物薄膜薄膜晶体管有源层薄膜。该薄膜晶体管有源层薄膜可有效应对柔性薄膜晶体管器件的重复弯折，提升薄膜晶体管器件的耐弯折性能和使用寿命。
墨水薄膜晶体管及其制备方法有源薄膜显示设备

[发明专利]填充有折射率温度敏感材料的光子晶体及其制造方法-CN201110162807.1无效
发明人：任芝;李松涛 -专利权人：华北电力大学(保定)
申请日： 2011-06-14 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：一种禁带位置可调的光子晶体光纤，其特征在于：该光子晶体光纤是由折射率对温度变化敏感的材料和制作光子晶体的材料形成的周期性结构组成，也即光子晶体光纤内原来的空气孔填充有折射率对温度变化敏感的材料，并且所述光子晶体连接有加热炉或制冷器
填充折射率温度敏感材料光子晶体及其制造方法

[发明专利]填充有折射率磁敏感材料的光子晶体光纤及其制造方法-CN201110174514.5无效
发明人：李松涛;任芝 -专利权人：华北电力大学(保定)
申请日： 2011-06-22 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：一种禁带位置可调的光子晶体光纤，其特征在于：该光子晶体光纤是由折射率对磁场敏感的材料和制作光子晶体的材料形成的周期性结构组成，也即光子晶体光纤内原来的空气孔内填充有折射率磁敏感的磁流体材料，并且所述光子晶体光纤缠绕有通电线圈或放置有永磁体
填充折射率敏感材料光子晶体光纤及其制造方法

[发明专利]在非晶体材料上磁控溅射锗晶体薄膜的方法-CN01108639.4无效
发明人：杨宇;周湘萍;毛旭;周桢来;刘焕林;张洁;吴兴惠 -专利权人：云南大学
申请日： 2001-07-11 - 公布日： 2003-02-12 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明提供一种在非晶体材料上磁控溅射锗晶体薄膜的方法，它利用磁控溅射技术，并控制工作气体压强、温度、溅射功率等工艺条件，在非晶体材料上生长锗晶体薄膜，且能快速生长出大面积的锗晶体薄膜，从而开辟了一条在非晶材料上生长锗晶体薄膜的新途径，使用本方法能大大提高生产效率，减少投资，降低生产成本，并能取得较好的经济效益，使锗晶体薄膜形成产业化。因此，实为新一代生产锗晶体薄膜的方法。
非晶体材料磁控溅射晶体薄膜方法

[发明专利]一种利用无机分子晶体集成的复合介电层及制备和应用-CN202111639579.2在审
发明人：翟天佑;徐永善;刘开朗;李会巧 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用无机分子晶体集成的复合介电层及制备和应用，属于半导体器件技术领域。方法包括以下步骤：(1)将无机分子晶体生长在材料表面；(2)在该无机分子晶体层上进一步利用原子层沉积生长介电材料。本发明以无机分子晶体材料为源，所得分子晶体层对于介电材料原子层沉积的前驱体具有良好的润湿性与吸附性，可实现在材料表面的介电层集成。无机分子晶体层和介电材料的厚度可控，可用于高性能电子器件的制备，易于实现规模化制备和集成。
一种利用无机分子晶体集成复合介电层制备应用

[发明专利]一种结构色电场响应型无机三维光子晶体薄膜及其制备方法-CN202310432281.7在审
发明人：夏洪波;董斌;徐文 -专利权人：大连民族大学;徐州科昂光电科技有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G02F1/1524 文献下载
摘要：本发明属于光子晶体技术领域，具体涉及一种结构色电场响应型无机三维光子晶体薄膜及其制备方法。本发明通过将具有电致变色特性的无机材料与三维蛋白石光子晶体模板复合得到对结构色电场响应的三维光子晶体结构，在电解液中，当施加外加电场为正压，光子晶体作为阳极时，电致变色材料发生阳离子脱去过程，无机材料折射率增大，光子晶体的平均折射率增大，根据布拉格衍射公式，结构色发生红移；当外加电场为负压，光子晶体作为阴极时，电致变色材料发生阳离子插入过程，材料折射率增减小，光子晶体的平均折射率减小，根据布拉格衍射公式，光子晶体的结构色发生蓝移本发明所述电场响应型无机三维光子晶体膜可广泛应用在防伪和化学传感等领域。
一种结构电场响应无机三维光子晶体薄膜及其制备方法

[发明专利]一种单晶体多孔材料扩散过程可视化记录方法-CN202210114088.4在审
发明人：彭诗超;叶茂;李华;刘中民 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G01N13/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种单晶体多孔材料扩散过程可视化记录方法，包括如下步骤：将多孔材料晶体分散至荧光共聚焦培养皿中，加入荧光探针溶液进行扰动，通过超分辨荧光显微镜连续记录单晶体多孔材料的荧光信号图像，即得到单晶体多孔材料中表面渗透与晶内扩散过程随时间演化的图像本申请基于超分辨荧光显微技术，能够便捷地实现单晶体多孔材料表界面传质地可视化过程，有效区分表面渗透与晶内扩散步骤，能够定量单晶体中表面渗透率与晶内扩散系数，分析其传质限制机制，具有十分鲜明的物理意义。通过记录单晶体多孔材料的表界面传质性质有效补充表面渗透与晶内扩散的基本性质，能够为多孔材料的合成与优化提供指导。
一种单晶体多孔材料扩散过程可视化记录方法