“晶体材料”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2252350个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]低镉纳米晶体量子点异质结构-CN201680057062.3有效
发明人： Y.高希;J.N.柯丁 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构具有包含第一半导体材料的纳米晶体芯，和包含第二不同半导体材料、至少部分围绕纳米晶体芯的纳米晶体壳。芯和壳之一而非二者基于含镉半导体材料。
纳米晶体量子点异质结构

[发明专利]一种InSb晶体生长固液界面控制方法及装置-CN201910856183.X在审
发明人：赵超;董涛 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提出了一种InSb晶体生长固液界面控制方法及装置，晶体生长装置包括：炉体、容器、加热组件、提拉组件和冷却组件。容器设于炉体内，加热组件用于加热容器，以熔融容器内的原材料。提拉组件可活动地设于炉体内，提拉组件用于将籽晶与容器内熔融的原材料进行熔接，以进行晶体生长。冷却组件靠近晶体设置，冷却组件用于对晶体进行冷却。根据本发明的晶体生长装置，在晶体生长过程中，可以利用冷却组件对晶体进行冷却降温，以控制晶体生长过成中的温度，从而可以对晶体生长时固液界面的形状进行有效控制，使固液界面有效控制为微凸界面，从而可以降低锑化铟晶体的位错密度，提高锑化铟径向电学参数，进而提高锑化铟晶体材料的质量。
冷却组件晶体生长提拉组件锑化铟晶体生长装置固液界面加热组件有效控制体内晶体生长过程电学参数加热容器晶体材料控制晶体冷却降温熔融容器晶体的可活动固液炉体熔接熔融微凸位错籽晶冷却生长

[发明专利]一种光伏晶体硅加工废料改性聚丙烯材料及其制备方法-CN201610319859.8在审
发明人：刘银;高烨华;蒋美义;王厚东 -专利权人：安徽理工大学;淮南市金德实业有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：本发明公开一种光伏晶体硅加工废料改性聚丙烯材料及其制备方法,属于太阳能光伏晶体硅加工废弃物综合利用领域。光伏晶体硅加工废料改性聚丙烯材料包含以下重量份数的原料：聚丙烯80～90份，光伏晶体硅加工废料10～20份，偶联剂2～4份，润滑剂1～2份，抗氧化剂1～2份。使用光伏晶体硅加工废料改性聚丙烯材料，不仅可以改善聚丙烯材料的不足，而且大大降低了改性聚丙烯材料的成本，对开展光伏晶体硅加工废料的资源化利用研究具有十分重要的意义。采用本发明的方法改性的聚丙烯材料提高了聚丙烯材料的力学性能及耐热性能，具有高韧性、成型收缩率大、刚性强度大等优点。
一种晶体加工废料改性聚丙烯材料及其制备方法

[发明专利]一种二维晶体材料的超低温普适制备方法-CN202310311268.6在审
发明人：张礼杰;张克难;赵梅;佘宜洪 -专利权人：温州大学新材料与产业技术研究院
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维晶体材料的超低温普适制备方法，属于半导体材料技术领域。首先通过物理气相沉积法在衬底上制备碘化铅、碘化铋、碘化亚铟、碘化钴、碘化亚铁、碘化锡、碘化铬、碘化亚铜、碘化锰、碘化锌、碘化镍、碘化铂、碘化锑的二维晶体材料。通过超低温原子替代法将上述二维碘化物二维晶体材料中的碘原子替换为硫原子、硒原子、碲原子，成功合成了13种二维硫化物晶体材料、13种二维硒化物晶体材料、13种二维碲化物晶体材料。
一种二维晶体材料超低温制备方法

[发明专利]一种晶体材料及其制备方法和应用-CN202211085722.2在审
发明人：刘乐辉;林州斌;张莉珍;苑菲菲;黄溢声 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体材料及其制备方法和应用，属于光学材料领域。一种晶体材料，所述晶体材料的化学式为2(C3N6H6)·(C6H7)·PF6·H2O；所述晶体材料含有该材料经第一性原理计算显示该晶体具有较大的双折射率。在1020nm下的双折射率为0.2545；该双折射晶体材料在200nm～2500nm广谱范围内具有良好的透过率。
一种晶体材料及其制备方法应用

[发明专利]一种基于X射线衍射技术的非晶残余应力测量方法-CN202310859589.X在审
发明人：李伟力;费维栋 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01L5/00 文献下载
摘要：一种基于X射线衍射技术的非晶残余应力测量方法，本发明是为了解决现有X射线衍射应力测量方法只能针对晶体材料的问题。非晶残余应力测量方法：一、根据弹性力学原理推导出非晶体材料残余应力的表达式；二、采用应变仪测量多个非晶体材料标样的应力大小，采用X射线衍射仪测得非晶体材料标样的半高峰宽，线性拟合sin2ψ‑半高峰宽后得到直线斜率，计算应力测量系数k；三、在测定方向平面内测出待测非晶体材料在多个不同ψ方位的非晶衍射峰半高峰宽；四、绘制待测非晶体材料的散点图，计算直线斜率；五、代入公式本发明通过对非晶材料进行测量和标定，得到了非晶残余应力X射线衍射方法的普适公式，通过直线斜率的大小获得应力值的大小。
一种基于射线衍射技术残余应力测量方法

[发明专利]一种荧光材料及其制备方法和应用-CN201210332383.3有效
发明人：关敏;毕海鹏;王足远;卜少华;黄铃;杨力 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司北京化工研究院
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C09K11/59 文献下载
摘要：本发明提供了一种荧光材料，其中，所述荧光材料含有有序介孔有机硅材料和改性的硅纳米晶体，所述改性的硅纳米晶体通过将硅纳米晶体与通式为R1Si(OR2)3的硅烷化合物进行硅氢化反应而制得。本发明还提供了一种荧光材料的制备方法，该方法包括：在有机溶剂的存在下，将改性的硅纳米晶体与有序介孔有机硅材料混合接触，所述改性的硅纳米晶体通过将硅纳米晶体与通式为R1Si(OR2)3的硅烷化合物进行硅氢化反应而制得本发明还提供了所述荧光材料作为药物传导载体的应用。本发明的所述荧光材料具有荧光特性，具有较强的抗光致褪色的能力，而且还具有较好的药物缓释性能。
一种荧光材料及其制备方法应用

[发明专利]一种具有晶体结构检测及原位修复功能的装置-CN202010783693.1有效
发明人：刘胜;吴改;汪启军;东芳;曹强;甘志银 -专利权人：武汉大学
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有晶体结构检测及原位修复功能的装置，其采用连续激光对半导体薄膜材料的散射光谱进行激发和采集，能够快速、无损地判断半薄膜材料整体及局部区域的晶体质量，然后通过皮秒、飞秒等超短脉冲高能激光束对半导体薄膜材料中晶体质量较差的区域进行辐射，从而激发薄膜材料相应区域中的原子发生重构，最终实现对半导体薄膜材料检测区域晶体结构的原位修复。基于超短脉冲激光作用时间短、热影响范围小、能量密度高的特点，结合气氛及温压条件的控制，该装置能够快速且有针对性地实现大尺寸半导体薄膜材料表面晶格损伤的修复，提高其晶体质量，特别适用于掺杂半导体薄膜材料，能够有效提高其均匀性和晶体质量，优化薄膜的工艺性能。
一种具有晶体结构检测原位修复功能装置

[发明专利]KDP晶体切削温度的测量方法-CN201810436044.7有效
发明人：安晨辉;冯可;许乔;雷向阳;张剑锋;张帅;苏文虎;张利平;王伟 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明提供一种飞切加工KDP晶体过程中测量晶体切削区域温度的方法，包括以下步骤：1)获取KDP晶体材料的参数；2)为仿真软件设置切削速度、切削深度和进给量；3)使用有限元仿真软件仿真KDP晶体切削过程；4)调制变色材料；5)将变色材料涂在刀具上，进行温度标定；6)将涂有变色材料的刀具安装到机床上，设置与仿真软件相同的工艺参数，进行晶体切削；7)根据变色材料的变色情况与标定结果进行对比，即可得到切削区域的温度本发明结合有限元仿真分析和变色材料的KDP晶体切削温度测量方法，根据刀具上变色材料的变色情况结合有限元仿真结果，可以直接得到刀具前刀面的温度，结合仿真，间接地得到切削区域中的温度分布。
kdp 晶体切削温度测量方法

[发明专利]深紫外超宽带偏振器-CN200910111711.5无效
发明人：黄木旺;林孝同;谢秋星;阮异凯 -专利权人：福州福特科光电有限公司
申请日： 2009-05-08 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种深紫外超宽带偏振器，它包括晶体材料和胶，晶体材料为α-BBO晶体材料；所述的α-BBO晶体材料为两个尺寸、形状构造以及光轴方向均相同的、切角为60-63度、直角梯形或直角三角形的双折射材料，将两块晶体材料沿斜面以旋转对称的方式耦合，在两个α-BBO晶体材料的斜面之间涂覆胶，所述的胶的折射率为1.35-1.60。
深紫宽带偏振

[实用新型]深紫外超宽带偏振器-CN200920138144.8有效
发明人：黄木旺;林孝同;谢秋星;阮异凯 -专利权人：福州福特科光电有限公司
申请日： 2009-05-08 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种深紫外超宽带偏振器，它包括晶体材料和胶，晶体材料为α-BBO晶体材料；所述的α-BBO晶体材料为两个尺寸、形状构造以及光轴方向均相同的、切角为60-63度、直角梯形或直角三角形的双折射材料，将两块晶体材料沿斜面以旋转对称的方式耦合，在两个α-BBO晶体材料的斜面之间涂覆胶，所述的胶的折射率为1.35-1.60。
深紫宽带偏振

[发明专利]晶体材料及其制备方法和用途、钾离子电池正极材料及包括该正极材料的钾离子电池-CN201811566324.6有效
发明人：唐永炳;吴南中;姚文娇 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C07C55/07 文献下载
摘要：本发明涉及二次电池领域，具体而言，提供了一种晶体材料及其制备方法和用途、钾离子电池正极材料及包括该正极材料的钾离子电池。所述晶体材料的分子式为K2M(C2O4)2晶体材料属于异质同构，晶体材料中的(C2O4)2‑阴离子单元通过C‑O之间的强共价键连成三维网络结构，该阴离子单元可以起到支撑和稳定晶体结构的作用，使得材料的框架结构稳定，钾离子能够在开放的结构框架中快速传导，离子电导率高。该晶体材料可以用于钾离子电池的正极活性材料，使包含其的正极活性材料的嵌钾和脱钾性能大幅度提升，提高正极活性材料的氧化还原电势和充放电容量。
晶体材料及其制备方法用途离子电池正极包括

[发明专利]应力变色检测基板、制备方法及应用-CN202211165069.0在审
发明人：杨义颖;岳晗;李庆;赵柯;黄朝葵 -专利权人：苏州芯聚半导体有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G01L1/24 文献下载
摘要：本发明提供一种应力变色检测基板、制备方法及应用，制备方法包括：提供基板；将胶体晶体纳米微球分散于第一低沸点易挥发溶剂中制备得到胶体晶体乳液；旋涂所述胶体晶体乳液至所述基板的表面上，经烘干移除所述第一低沸点易挥发溶剂后，所述胶体晶体纳米微球自组装并周期性排列，形成胶体晶体，所述胶体晶体包括空隙；将填充材料稀释在第二低沸点易挥发溶剂中制备得到稀溶液；以及滴涂所述稀溶液至所述胶体晶体上，经烘干移除所述第二低沸点易挥发溶剂后，所述填充材料填充至所述空隙中，形成胶体晶体复合结构；其中，所述胶体晶体复合结构中，所述胶体晶体纳米微球的体积为74％±5％；所述填充材料的体积为26％±5％。
应力变色检测制备方法应用

[发明专利]阵列基板和显示设备-CN202180002340.6在审
发明人：冯宇;刘利宾;卢江楠 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G09G3/3233 文献下载
摘要：阵列基板的各个像素驱动电路包括驱动晶体管、存储电容器和晶体管，所述晶体管的栅极连接到多个第二栅线中的相应第二栅线、第一电极连接到所述存储电容器的第一电容器电极、以及第二电极连接到第一复位晶体管的第二电极，所述晶体管被配置为通过所述第一复位晶体管接收复位信号。所述驱动晶体管的有源层和所述晶体管的有源层至少通过绝缘层彼此间隔开。驱动晶体管的有源层包括第一半导体材料。所述晶体管的有源层包括不同于所述第一半导体材料的第二半导体材料。
阵列显示设备

[发明专利]节油器-CN201210024563.5无效
发明人：李忠海 -专利权人：李忠海
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： F02M27/06 文献下载
摘要：一种节油器，其中包括：外壳，外壳的两端连接有端盖，外壳两端的内侧连接有过滤网，过滤网位于端盖内侧，两端过滤网的内侧各连接有减震板，减震板上开有孔，减震板连接有晶体包裹柱，晶体包裹柱的两端与减震板为固定连接，晶体包裹柱上带有孔，晶体包裹柱内安装有晶体，晶体为稀土中提炼出来的负离子晶体材料。本发明减震板连接有晶体包裹柱，晶体包裹柱上带有孔，晶体包裹柱内安装有晶体，晶体为稀土中提炼出来的负离子晶体材料，负离子晶体材料天然、无味、无毒、安全性能好，并且到达迅速改变油分子团的结构，把汽油、柴油等燃料中的大分子团打碎成更能充分燃烧的小分子
节油