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[发明专利]无铅高压电活性晶体材料及其制备方法-CN201310479704.7无效
发明人：陈建军;郑燕青;涂小牛;孔海宽;涂一帆;杨建华;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地
申请日： 2013-10-14 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明涉及无铅高压电活性晶体材料及其制备方法，所述晶体材料的化学式为Ba(1-x)CaxTi(1-y)ZryO3，其中x=0.005～0.5，y=0.005～0.5；空间群为99。本发明的BCZT晶体材料，与其陶瓷材料相比，压电性能得到大幅度提高，其中压电常数为d33=300～5000pC/N。本发明实现了无铅压电陶瓷Ba(1-x)CaxTi(1-y)ZryO3（BCZT）转变为无铅压电晶体的方法和途径，首次将一种多元复杂的陶瓷体材料转变为一种复杂的单晶体材料，使得材料的性能和应用得到大幅度的提高和扩展
高压电活性晶体材料及其制备方法

[发明专利]晶体材料、制备方法以及含有该晶体材料的热电材料、其制备方法及热电转换器和应用-CN201510894693.8在审
发明人：吴立明;林华;陈玲 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体材料、其制备方法及含有该晶体材料的热电材料及其制备方法。该晶体材料分子通式为TmCu_3(1-x)Te₃，x代表Cu的空位含量，0＜x≤0.1。该晶体材料为纯相结构，具有较高的稳定性。采用该晶体材料热压制备的热电材料性能优异，热导率为0.86W/m·K，电导可达571S/cm，塞贝克系数可达108V/K。Te₃体系中Cu空位改变载流子浓度，从而优化其热电优值ZT，使ZT在850K时大于0.45，甚至可达0.65，比未优化的性能提高了44.4％，可与目前被广泛研究甚至商业化的高温热电材料相媲美
晶体材料制备方法以及含有热电转换器应用

[发明专利]晶体管-CN201580024522.8有效
发明人：黛哲;马克·费希尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一些实施例包含在第一半导体材料上具有第二半导体材料的构造。归因于所述第一及第二半导体材料的不同晶格特性，所述第二半导体材料接近所述第一半导体材料的区域具有应变。晶体管栅极向下延伸到所述第二半导体材料中。栅极电介质材料是沿着所述晶体管栅极的侧壁及底部。源极/漏极区域是沿着所述晶体管栅极的所述侧壁，且所述栅极电介质材料处于所述源极/漏极区域与所述晶体管栅极之间。沟道区域在所述源极/漏极区域之间延伸且处于所述晶体管栅极的所述底部下方。所述沟道区域中的至少一些处于所述应变区域内。
晶体管

[发明专利]FinFET器件和形成方法-CN201510955693.4有效
发明人：江国诚;刘继文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：根据一些实施例，器件包括第一p型晶体管和第二p型晶体管。第一晶体管包括包含第一鳍的第一材料的第一沟道区。第一晶体管包括每个均位于第一材料中的相应的第一凹槽中和第一沟道区的相对侧壁上的第一外延源极/漏极区和第二外延源极/漏极区。第一晶体管包括位于第一沟道区上的第一栅极堆叠件。第二晶体管包括包含第二鳍的第二材料的第二沟道区。第二材料是与第一材料不同的材料。第二晶体管包括每个均位于第二材料中的相应的第二凹槽中和第二沟道区的相对侧壁上的第三外延源极/漏极区和第四外延源极/漏极区。第二晶体管包括位于第二沟道区上的第二栅极堆叠件。
finfet 器件形成方法

[发明专利]化学机械抛光用于接合多晶硅插拴制造方法及其结构-CN200410024614.X有效
发明人：俞昌;彭洪修 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2004-05-20 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种用于制造集成电路器件如DRAM的方法，包括：提供半导体衬底；形成位于半导体衬底之上的多个MOS晶体管，每一个MOS晶体管都具有氮化物覆盖和氮化物侧壁隔离物并被预定宽度互相隔开；形成位于多个MOS晶体管之上的层间介电质层，并去除层间介电质材料的一部分以暴露出三个MOS晶体管中的至少若干部分和相应MOS晶体管器件之间的至少三个区域；将多晶硅填充材料沉积在暴露的三个区域和三个MOS晶体管上方；对多晶硅材料进行CMP工艺，来减小多晶硅材料厚度以暴露层间介电质材料的一部分；继续进行CMP工艺以去除层间介电质材料和多晶硅膜材料，直至每个MOS晶体管上的覆盖氮化物层已暴露；以及使用位于每个MOS晶体管上方的覆盖氮化物层作为抛光停止层。
化学机械抛光用于接合多晶硅插拴制造方法及其结构

[发明专利]具有降低的晶体应力的大尺寸碳化硅单晶材料-CN202180093803.4在审
发明人： Y·赫列布尼科夫;V·R·萨哈卡;C·A·肯特;V·F·茨维特科夫;M·J·佩斯利;O·克拉马连科;M·D·康拉德;E·德尼卡;S·格里菲斯;S·布贝尔;A·R·鲍威尔;R·T·伦纳德;E·巴尔卡斯;C·普罗格尔;M·富斯科;A·谢维德;K·多维斯皮柯;L·纳特曼 -专利权人：沃孚半导体公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：公开了包括SiC晶片和SiC晶锭的碳化硅(SiC)材料和相关方法，其提供具有降低的晶体应力的大尺寸SiC晶片。SiC材料的生长条件包括保持SiC晶体的大体上凸形的生长表面、调节生长的SiC晶体的前侧到后侧热分布中的差异、供应足够的源通量以允许SiC晶体的商业上可行的生长速率以及减少SiC源材料和对应的SiC晶体中污染物或非通过形成表现出较低晶体应力的较大尺寸SiC晶体，可减小与缺失的或附加的原子平面相关联的总位错密度，从而提高晶体质量和可用的SiC晶体生长高度。
具有降低晶体应力尺寸碳化硅材料

[发明专利]相变化存储器元件及其制造方法-CN200710147209.0有效
发明人：陈达 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-08-30 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：该相变化存储器元件包含：晶体管；以及相变化材料层。其中，该相变化材料层与该晶体管的末端接触。具体地说，该晶体管可为场效晶体管或是双极结晶体管。
相变存储器元件及其制造方法

[发明专利]FET及形成FET的方法-CN201510770413.2有效
发明人：江国诚;刘继文;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：实施例是一种方法，方法包括在衬底上形成第一鳍和第二鳍，第一鳍和第二鳍均包括位于衬底上的第一晶体半导体材料和位于第一晶体半导体材料之上的第二晶体半导体材料。将位于第二鳍中的第一晶体半导体材料转变为介电材料，其中在转变步骤之后，位于第一鳍中的第一晶体半导体材料的至少部分保留未转变的。
fet 形成方法

[发明专利]CMOS晶体管及其形成方法、鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201310006452.6有效
发明人：王冬江;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-01-08 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种CMOS晶体管及其形成方法、鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中，CMOS晶体管的形成方法，包括：沿栅线方向，在半导体衬底中形成隔离沟槽；在所述隔离沟槽中形成磁性材料层，所述磁性材料层与沟道区具有相对的部分；形成位于所述半导体衬底上的栅介质层、栅极、源极和漏极；对磁性材料层进行磁化处理；经磁化处理的磁性材料层具有N极和S极，栅线方向上相邻的两个磁性材料层在沟道区中产生磁场，设定垂直于半导体衬底表面且平行于栅长方向的晶体管剖面为纸面：当CMOS晶体管为N型晶体管，磁场的方向为垂直所述纸面并指向纸内，当CMOS晶体管为P型晶体管时，磁场的方向为垂直所述纸面并指向纸外。本发明的技术方案提高了晶体管的性能。
cmos 晶体管及其形成方法场效应

[发明专利]一种混晶材料及制备方法-CN201710475757.X有效
发明人：王昌松;吕迎霞;陆小华;蔡楚源;王家柠;徐岭;曹李浩 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C01G23/047 文献下载
摘要：本发明公开一种混晶材料，选自以下a)或b)或c)中的任意一种：a)由亚氧化钛晶体与二氧化钛晶体通过化学键混杂结合在一起，其中亚氧化钛晶体被金属元素掺杂；b)由亚氧化钛晶体与碱金属钛酸盐晶体通过化学键混杂结合在一起；c)由亚氧化钛晶体与碱金属钛酸盐晶体通过化学键混杂结合在一起，其中亚氧化钛晶体被金属元素掺杂。本发明所述的混晶材料，不仅可克服现有导电钛酸盐增强材料生产和应用中存在的缺点，而且还可进一步提高钛酸盐增强材料的耐腐蚀性和耐磨损性，在导电、耐磨和耐蚀复合材料的应用中具体巨大前景，甚至可以开发出新型高效催化剂产品
一种材料制备方法

[发明专利]两步沉积法-CN201580037211.5有效
发明人：亨利·J·施耐德;加尔斯·E·埃普龙;詹姆斯·M·鲍尔 -专利权人：牛津大学科技创新有限公司
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种生产晶体材料的层的方法，该晶体材料包括钙钛矿或六卤代金属酸盐，该方法包括：(i)使基板于第一腔室中暴露在含第一前体化合物的蒸气中以在基板上产生第一前体化合物的层；以及(ii)使第一前体化合物的层于第二腔室中暴露在含第二前体化合物的蒸气中以产生晶体材料的层本发明还提供了一种生产晶体材料的层的方法，该晶体材料包括钙钛矿或六卤代金属酸盐，该方法包括：使基板上的第一前体化合物的层于腔室中暴露在含第二前体化合物的蒸气中以产生晶体材料的层，其中腔室中的压力高于高真空且小于大气压力本发明还提供了一种生产包括晶体材料的层的半导体器件的方法，该方法包括通过本发明的方法生产晶体材料的层。
沉积

[发明专利]柔性光子晶体红外隐身材料的制备-CN201610007338.9在审
发明人：张连超;邱丽莉;孟子晖;芦薇 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2016-01-06 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： C08F222/14 文献下载
摘要：本发明制备了一种能够实现红外波段隐身、具有柔性的光子晶体材料，将在红外波段具有高反射率的光子晶体阵列以纤维素、凝胶、胶带等手段实现其柔性或可延展性，从而在实现光子晶体光学隐身性能的同时，赋予材料灵活便捷的使用方式，解决了光子晶体材料用于红外隐身领域的实用化难题。
柔性光子晶体红外隐身材料制备

[发明专利]一种由Zr₆O₈和Cu₃ON₆多节点构筑的介孔晶体材料及其制备方法-CN201811395283.9在审
发明人：邓鹤翔;刘琦;宋银银 -专利权人：武汉大学
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： C01G25/02 文献下载
摘要：本发明提供一种由Zr₆O₈和Cu₃ON₆多节点构筑的介孔晶体材料及其制备方法，所述晶体材料的介孔孔道由12个Zr₆O₈节点和16个Cu₃ON₆节点组成，其晶体结构含有长程有序的三维通透孔道结构。与现有技术相比，本发明所得晶体材料所用原料及合成成本较低，具备尺寸较大的长程有序的三维孔道结构，晶体材料的稳定性较好。
晶体材料长程有序多节点介孔制备三维孔道结构合成成本节点组成介孔孔道晶体结构通透孔道构筑三维

[发明专利]一种可重复电致变色的多彩光子晶体薄膜结构及其制备方法-CN202310352795.1在审
发明人：武素丽;冉晓旭;张淑芬 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G02F1/1523 文献下载
摘要：本发明公开了一种可重复电致变色的多彩光子晶体薄膜结构及其制备方法，属于电致变色光子晶体材料制备领域。使用快速响应的电致变色材料与无机氧化物中空纳米微球光子晶体材料相结合，利用中空纳米微球可调的壳层厚度来丰富电致变色光子晶体的结构色种类，且该色彩可以通过改变偏压方向的方式进行循环变色。该复合光子晶体结构电致变色薄膜生色范围广，生色质量高，作为电响应显色材料有着巨大的应用价值。
一种复电变色多彩光子晶体薄膜结构及其制备方法

[发明专利]一种薄膜晶体管、其制备方法及相关装置-CN201310269381.9有效
发明人：李延钊;王刚;方金钢 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管、其制备方法及相关装置，在薄膜晶体管中的有源层采用非晶态磷化物半导体材料制备。由于磷化物半导体材料的载流子的迁移率比较高，因此，相对于现有的薄膜晶体管的有源层采用非晶硅、多晶硅、微晶硅或氧化物半导体材料制备，采用非晶态磷化物半导体材料制备薄膜晶体管的有源层，可以得到载流子迁移率较高的薄膜晶体管
一种薄膜晶体管制备方法相关装置