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[发明专利]半导体运算放大装置和半导体感测装置-CN202011142199.3有效
发明人：陈建章 -专利权人：杭州晶华微电子有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：该半导体运算放大装置包括：主运算放大电路，包括被配置为接收差分输入信号的第一双极结型晶体管和第二双极结型晶体管；以及输入电流补偿电路，包括第三双极结型晶体管、钳位运算放大器和电流镜。钳位运算放大器被配置为使第三双极结型晶体管与第一双极结型晶体管和第二双极结型晶体管在相同的偏置下工作。电流镜被耦合在第一节点与第一双极结型晶体管、第二双极结型晶体管和第三双极结型晶体管的基极之间，并且电流镜被配置为分别向第一双极结型晶体管、第二双极结型晶体管和第三双极结型晶体管的基极提供彼此成比例的偏置电流
半导体运算放大装置

[发明专利]保护装置以及相关制作方法-CN201310553012.2有效
发明人：蔡·伊安·吉尔;洪章洙;詹柔英;威廉·G·柯登 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：示例保护装置包括第一双极结型晶体管、第二双极结型晶体管、第一齐纳二极管、第二齐纳二极管。所述第一双极结型晶体管的集电极电耦合。所述第一齐纳二极管的阴极耦合于所述第一双极结型晶体管的集电极以及所述第一齐纳二极管的阳极耦合于所述第一双极结型晶体管的基极。所述第二齐纳二极管的阴极耦合于所述第二双极结型晶体管的集电极以及所述第二齐纳二极管的阳极耦合于所述第二双极结型晶体管的基极。在示例实施例中，所述第一双极结型晶体管的基极和发射极在第一接口处耦合以及所述第二双极结型晶体管的基极和发射极在第二接口处耦合。
保护装置以及相关制作方法

[发明专利]双极结型半导体器件及其制造方法-CN201510976838.9有效
发明人：连延杰;傅达平;吉杨永 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：提出了一种双极结型半导体器件及其制造方法。根据本公开的实施例，双极结型半导体器件包括形成于半导体衬底中的第一掩埋层、形成于该第一掩埋层上的第一外延层和第二外延层、制作于第一外延层和第二外延层中的PNP双极结型晶体管单元、NPN双极结型晶体管单元和第一隔离结构该第一隔离结构位于PNP双极结型晶体管单元和NPN双极结型晶体管单元之间，并且与所述第一掩埋层连接在一起形成隔离屏障。该隔离屏障不仅将PNP双极结型晶体管单元与NPN双极结型晶体管单元有效地隔离开，而且将它们与半导体衬底有效地隔离，阻止载流子注入衬底以及寄生BJT的形成。
双极结型晶体管外延层半导体器件双极结型掩埋层衬底隔离结构隔离屏障有效地半导体载流子隔离寄生制造制作

[发明专利]一种高灵敏度温度检测集成电路-CN201811225544.2在审
发明人：毛陆虹;胡跃文 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-10-21 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：一种高灵敏度温度检测集成电路，第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管的源极均连接电源电压，栅极均连接偏置电压Vb1，第一PMOS管的漏极分别连接第一双极结型晶体管的发射极以及第二双极结型晶体管的基极，第二PMOS管的漏极分别连接第二双极结型晶体管的发射极以及第三双极结型晶体管的基极，第三PMOS管的漏极构成电压输出端Vt，第三PMOS管的漏极还连接第三双极结型晶体管的发射极，第一双极结型晶体管的基极和集电极以及第二双极结型晶体管和第三双极结型晶体管的集电极均接地
双极结型晶体管漏极高灵敏度发射极温度检测集电极集成电路电路结构简化温度电压信号电压输出端连接电源偏置电压面积和热电阻接地源极电路制作

[发明专利]一种利用电阻进行耦合和匹配的单片低噪声放大器-CN200910243741.1无效
发明人：刘新宇;程伟;金智;王显泰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用电阻进行耦合和匹配的单片低噪声放大器，采用异质结双极型晶体管作为有源器件，包括第一级放大电路和第二级放大电路，第一级放大电路采用共发射极放大器拓扑结构，其有源器件为第一异质结双极型晶体管，第一异质结双极型晶体管的基极是该放大器的信号输入端，第一异质结双极型晶体管的集电极是第一级放大电路的信号输出端；第二级放大电路采用达林顿对管结构，其有源器件为第二异质结双极型晶体管和第三异质结双极型晶体管，其中第二异质结双极型晶体管的基极是达林顿结构的输入端，第二异质结双极型晶体管和第三异质结双极型晶体管的集电极是达林顿结构的输出端。
一种利用电阻进行耦合匹配单片低噪声放大器

[发明专利]对绝缘栅双极型晶体管模块的结温进行在线估算的方法及模块-CN201811348746.6有效
发明人：李中兵;陈涵;王凯;苏谢祖;张政 -专利权人：上海蔚来汽车有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请提供对绝缘栅双极型晶体管模块的结温进行在线估算的方法，该绝缘栅双极型晶体管模块包含电性连接的绝缘栅双极型晶体管及二极管，该方法包括：确定该绝缘栅双极型晶体管的第一功率，以及确定该二极管的第二功率；基于该第一功率计算该绝缘栅双极型晶体管的第一结温，以及基于该第二功率计算该二极管的第二结温；基于冷却水流量模型对所述第一结温与第二结温分别进行修正，获得修正后的第一结温与修正后的第二结温，其中，所述冷却水流量模型是基于所述冷却水流量和热负荷的关系而建立的，所述冷却水指的是对该绝缘双极型晶体管模块进行冷却的冷却水；以及将修正后的第一结温与修正后的第二结温中的较高者作为该绝缘栅双极型晶体管模块的结温。
绝缘栅双极型晶体管模块进行在线估算方法

[发明专利]静电放电保护电路-CN200910006781.4无效
发明人：余锦旗;陈筱玲;吕育伦;谢长志 -专利权人：奕力科技股份有限公司
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：一种静电放电保护电路，包含有：静电保护元件耦接于第一参考电位端与该信号垫之间，用来保护耦接于信号垫上的电路；双极型结型晶体管具有发射极端耦接于该信号垫，集电极端耦接于第二参考电位端，以及基极端耦接于该第一参考电位端，其中该双极型结型晶体管是该静电保护元件的寄生双极型结型晶体管；以及箝制电路耦接于该双极型结型晶体管，用以依据该信号垫所接收到的信号来箝制该双极型结型晶体管的导通程度。
静电放电保护电路

[发明专利]晶体管反熔丝器件-CN200610005460.9无效
发明人： D·W·舒尔特;T·麦马洪;D·D·哈尔 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2006-01-18 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： G11C17/18 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种方法提供双极结型晶体管，其连接到第一电源(204)。第二电源用来导通双极结型晶体管(202)。并且，使双极结型晶体管(202)过度激励。
晶体管反熔丝器件

[发明专利]静电放电保护-CN201710135318.4有效
发明人：赖大伟 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本文提供一种被配置成为集成电路提供静电放电(ESD)保护的双极结型晶体管。该双极结型晶体管包括衬底，该衬底被配置成充当用于该双极结型晶体管的栅极。至少一个漏极指在该衬底的第一表面上在第一方向上延伸并且被配置成充当用于该双极结型晶体管的集电极。至少一个源极指在该衬底的该第一表面上在该第一方向上延伸并且被配置成充当用于该双极结型晶体管的发射极。该至少一个源极指包括被配置成设置衬底电位的拾取区。
静电放电保护

[发明专利]具有连接内部和外部基极的链路区域的双极结型晶体管-CN201280033354.5有效
发明人： R·卡米洛-卡斯蒂洛;P·B·格雷;D·L·哈拉梅;A·J·约瑟夫;M·H·卡特;刘奇志 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明涉及具有连接内部和外部基极的链路区域的双极结型晶体管。用于制造双极结型晶体管的方法、通过该方法制作的双极结型晶体管以及用于双极结型晶体管的设计结构。双极结型晶体管（80）包括内部基极（84）上的介电层（32）以及通过介电层与内部基极至少部分隔开的外部基极（82）。发射极开口（52）延伸通过外部基极和介电层。介电层相对于发射极开口横向凹陷，以在内部基极和外部基极之间限定腔体（60a、60b）。该腔体利用物理链接外部基极和内部基极的半导体层（64）填充。
具有连接内部外部基极区域双极结型晶体管

[发明专利]一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热的制备方法-CN202011493926.0在审
发明人：吴立枢;戴家赟;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热的制备方法，包括：磷化铟异质结双极型晶体管正面与临时载片键合；将磷化铟异质结双极型晶体管的磷化铟衬底以及亚集电极层去除；在集电极层背面沉积集电极金属；在集电极金属上旋涂一层BCB固化同时刻蚀掉集电极金属表面BCB再沉积键合金属；利用键合金属将磷化铟异质结双极型晶体管与高热导率衬底键合；最后将临时载片去除。本发明利用金属键合工艺将磷化铟异质结双极型晶体管与高热导率衬底结合在一起，可提高磷化铟异质结双极型晶体管的散热效果。
一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热制备方法

[发明专利]横向双极结型晶体管及其制造方法-CN201010000405.7有效
发明人：柯庆忠;李东兴;曾峥 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2010-01-07 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及横向双极结型晶体管及其制造方法。一种横向双极结型晶体管包括发射区、基区、栅极以及集电区。基区环绕发射区。栅极被配置于至少一部分基区之上。集电区环绕基区。所述横向双极结型晶体管及其制造方法，提高了横向双极结型晶体管的临界频率与电流增益。
横向双极结型晶体管及其制造方法

[发明专利]具有双锥形发射极指的双极结型晶体管-CN201610451808.0有效
发明人：丁汉屹;V·贾殷;A·J·约瑟夫;A·K·斯坦珀 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及具有双锥形发射极指的双极结型晶体管，其揭露双极结型晶体管的装置结构以及制造双极结型晶体管的装置结构的方法。形成由第一半导体材料组成的基极层。在该基极层上形成由第二半导体材料组成的发射极层。图案化该发射极层以形成发射极指，该发射极指具有长度以及沿该发射极指的该长度变化的宽度。
具有锥形发射极双极结型晶体管

[发明专利]一种基于硅衬底的磷化铟异质结双极型晶体管的制备方法-CN201510394761.4在审
发明人：吴立枢;赵岩;程伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明是一种基于硅衬底的磷化铟异质结双极型晶体管的制备方法，包括以下步骤：1）准备样品；2）在磷化铟异质结双极型晶体管圆片上涂敷光刻胶；3）临时键合；4）背面工艺；5）涂敷BCB；6）清洗硅衬底表面；7优点：可将磷化铟异质结双极型晶体管完整剥离转移到硅衬底上，工艺简单，转移中不会对磷化铟异质结双极型晶体管造成破坏。
一种基于衬底磷化铟异质结双极型晶体管制备方法

[发明专利]砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202210311792.9在审
发明人：樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法，砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管包括：硅衬底；砷化镓高电子迁移率晶体管外延层，设置在所述硅衬底上；砷化镓高电子迁移率晶体管，设置在所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层上；砷化镓异质结双极型晶体管外延层，设置在所述硅衬底上；砷化镓异质结双极型晶体管，设置在所述砷化镓异质结双极型晶体管外延层上；以及隔离带，设置在所述硅衬底上，且设置在所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层与所述砷化镓异质结双极型晶体管外延层之间
砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法

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