[发明专利]具有连接内部和外部基极的链路区域的双极结型晶体管有效
| 申请号： | 201280033354.5 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103650145A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | R·卡米洛-卡斯蒂洛;P·B·格雷;D·L·哈拉梅;A·J·约瑟夫;M·H·卡特;刘奇志 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及具有连接内部和外部基极的链路区域的双极结型晶体管。用于制造双极结型晶体管的方法、通过该方法制作的双极结型晶体管以及用于双极结型晶体管的设计结构。双极结型晶体管（80）包括内部基极（84）上的介电层（32）以及通过介电层与内部基极至少部分隔开的外部基极（82）。发射极开口（52）延伸通过外部基极和介电层。介电层相对于发射极开口横向凹陷，以在内部基极和外部基极之间限定腔体（60a、60b）。该腔体利用物理链接外部基极和内部基极的半导体层（64）填充。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 连接 内部 外部 基极 区域 双极结型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种制造双极结型晶体管的方法，所述方法包括：形成内部基极层；在内部基极层上形成介电层；在介电层上形成外部基极层并且通过介电层与内部基极层隔开；形成延伸通过外部基极层和介电层到达内部基极的发射极开口；相对于发射极开口使介电层横向凹陷，以限定内部基极层和外部基极层之间的并且通向发射极开口的腔体；以及利用物理耦合外部基极层和内部基极层的半导体层填充腔体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280033354.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：轮胎均匀性检测系统
- 下一篇：成像元件及其制造方法
- 同类专利
- 面向物联网的具有自供电功能的BJT管放大器-201710556394.2
- 廖小平;陈友国 - 东南大学
- 2017-07-10 - 2019-11-12 - H01L29/73
- 本发明提供的面向物联网的具有自供电功能的BJT管放大器，主要包括：具有热电转换功能的BJT、电阻、电容、稳压电路和大电容充电电池等。其中，当BJT管放大器正常工作时，具有热电转换功能的BJT上的36个热电偶根据Seebeck效应产生塞贝克电压，实现了热能到电能的直接转换，输出塞贝克电压到稳压电路和大电容，可以进行电能存储，通过检测存储电量的大小，从而检测热耗散功率的大小。将产生的塞贝克电压输入到稳压电路和大电容，输出稳定的直流电压，为BJT放大器供电，实现了自供电和绿色能源的可持续。同时，废热得到了有效回收，增强了其散热性能，提高了可靠性，延长了使用寿命。
- 一种带沟槽结构的双极型晶体管及其制作方法-201711374117.6
- 朱巧智;刘巍 - 上海华力微电子有限公司
- 2017-12-19 - 2019-11-12 - H01L29/73
- 本发明涉及半导体结构及其制造工艺，提供了一种带沟槽结构的双极型晶体管制造方法，具体包括：提供半导体衬底；制作浅沟槽隔离结构以定义器件有源区；在上述有源区形成N型阱和P型阱以定义上述双极型晶体管的第一区域、第二区域以及第三区域；对上述第一区域内邻接上述浅沟槽隔离结构的部分进行蚀刻以形成沟槽；执行离子注入以形成上述双极型晶体管的发射极、基极和集电极；在上述沟槽内形成金属硅化物阻挡结构；形成上述双极型晶体管的金属电极，其中上述发射极形成在上述第一区域内。本发明还提供了一种带沟槽结构的双极型晶体管。根据本发明所提供的晶体管，能够有效提高电流增益的增幅并保证电流增益的稳定性。
- 一种NPN型BJT结构-201920659242.X
- 姚磊 - 无锡光磊电子科技有限公司
- 2019-05-09 - 2019-11-12 - H01L29/73
- 本实用新型包括封装外壳，包括封装外壳，封装外壳内设有集电区、基区和发射区，集电区引出集电电极，基区引出基区电极，发射区引出发射电极，封装外壳包括柱体、上按压盖和下按压盖，所述基区位于柱体的中部，集电区和发射区分别位于柱体的两侧，上按压盖开设有一个穿孔，下按压盖开设有两个穿孔，基区电极通过上按压盖的穿孔穿出，发射电极和集电电极分别通过下按压盖的两个穿孔穿出，柱体表面一体成型有散热螺纹，本实用新型将封装外壳设计为外带有散热螺纹的结构便于内部在工作的时候进行散热防止击穿；集电电极为Z字型，发射电极也为Z字型，且二者对称设置，可增加二者之间的距离放置在连接的时候碰线。
- 一种矩形栅控U形沟道双向开关隧穿晶体管及其制造方法-201711046022.1
- 靳晓诗;高云翔;刘溪 - 沈阳工业大学
- 2017-10-31 - 2019-10-15 - H01L29/73
- 本发明涉及一种矩形栅控U形沟道双向开关隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有矩形栅极和左右对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极电压控制第二类杂质重掺杂源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。本发明具有低静态功耗和反向泄漏电流、较强的栅极控制能力、低亚阈值摆幅和可实现双向开关功能的优点。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏可互换的双向对称开关特性，因此适合推广应用。
- 一种半导体三极管及其制造方法-201910343517.3
- 章美云 - 章美云
- 2019-04-26 - 2019-10-08 - H01L29/73
- 本发明提供一种半导体三极管，其包括第一导电类型的衬底、形成在所述衬底上的第二导电类型的埋层、形成在所述埋层与所述衬底上且第二导电类型的外延层、与所述埋层相连且形成所述外延层的第一注入区、形成在所述外延层且具有第一导电类型的第二注入区、形成在所述第二注入区且具有第二导电类型的第三注入区、形成在所述第一注入区的第一电极、形成在所述第二注入区的第二电极及形成在所述第三注入区的第三电极，所述第一注入区注入有至少两种物质形成第一晶格缺陷，所述第一注入区内的外延层具有第二晶格缺陷。本发明还提供一种半导体三极管的制造方法，提高了半导体三极管的耐压性能、驱动能力和降低制造成本。
- 一种防水型功放晶体管-201821809158.3
- 王俊宾 - 广州欧颂电子科技有限公司
- 2018-11-05 - 2019-09-24 - H01L29/73
- 本实用新型公开了一种防水型功放晶体管，包括晶体管主体，所述晶体管主体的右侧从前到后依次固定连接有晶体管集电极、晶体管基极和晶体管发射极，所述晶体管主体左侧的前后两端均开设有凹槽，所述凹槽内腔的底部固定连接有弹簧，所述弹簧的顶部固定连接有固定板，所述固定板的左端延伸至凹槽内腔的外部，所述固定板左端的底部固定连接有固定块，所述固定块的底部固定连接有胶带，晶体管集电极与晶体管发射极的结构相同。本实用新型通过晶体管主体、晶体管集电极、晶体管基极、晶体管发射极、固定板、凹槽、弹簧、固定块和胶带相互配合，解决了现在的防水型功放晶体管在安装的时候容易移动，导致安装不便的问题。
- 针对具有高电阻操作晶圆的绝缘体上硅衬底的装置结构-201610460390.X
- R·卡米洛卡斯蒂洛;丁汉屹;N·B·菲尔欣费尔德;V·贾殷;A·K·斯坦珀 - 格罗方德半导体公司
- 2016-06-22 - 2019-09-06 - H01L29/73
- 本发明涉及针对具有高电阻操作晶圆的绝缘体上硅衬底的装置结构，其利用包括高电阻操作晶圆的绝缘体上硅衬底的装置结构以及形成装置结构的方法。在该高电阻操作晶圆中形成掺杂区。形成穿过该绝缘体上硅衬底的装置层及绝缘体埋层延伸至该高电阻操作晶圆的第一沟槽。该掺杂区包括相对该第一沟槽横向延伸的该掺杂区的横向延伸部分。在该第一沟槽内外延生长半导体层，以及利用该半导体层的至少部分形成装置结构。形成穿过该装置层及该绝缘体埋层延伸至该掺杂区的该横向延伸部分的第二沟槽，以及在该第二沟槽中形成导电插塞。该掺杂区及该插塞包括体接触。
- 一种改良型贴片式三极管-201920094592.6
- 彭根元 - 中之半导体科技（东莞）有限公司
- 2019-01-21 - 2019-08-30 - H01L29/73
- 本实用新型提供了一种改良型贴片式三极管，包括塑封外壳，所述塑封外壳内依次设有基极导电板、集电极导电板、发射极导电板，所述集电极导电板上侧还设有芯片，所述芯片与所述基极导电板、集电极导电板、发射极导电板之间均连接有导线，所述基极导电板、集电极导电板、发射极导电板一端均连接有引脚，所述引脚包括第一倾斜部、连接在所述第一倾斜部下端的第一弯折部、连接在所述第一弯折部上端的第二倾斜部、连接在所述第二倾斜部上端的第二弯折部、连接在所述第二弯折部下端的第三倾斜部、以及连接在所述第三倾斜部下端的接触部。本实用新型提供的贴片式三极管，结构简单，电接触性能良好。
- 一种三极管及其制作方法-201910220264.0
- 不公告发明人 - 泉州齐美电子科技有限公司
- 2019-03-22 - 2019-08-06 - H01L29/73
- 本发明涉及一种三极管及其制作方法，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底及第一外延层；在所述第一外延层的上表面区域内形成第二导电类型的基区；在所述基区的上表面区域内形成第一导电类型的发射区；在所述基区外侧的外延层区域内形成第一导电类型的深注入区；在所述第一外延层上生长第二导电类型的第二外延层；对所述深注入区上方的第二外延层进行第一导电类型的离子注入，以使所述深注入区延展至所述第二外延层的表面；在所述第二外延层上生长第一导电类型的第三外延层；在所述第三外延层的上表面区域内形成第一导电类型的注入区；所述三极管成本低，发射效率高。
- 一种基极贴片三极管-201821964177.3
- 陈国斌 - 深圳市合科泰电子有限公司
- 2018-11-27 - 2019-07-30 - H01L29/73
- 本实用新型公开了一种基极贴片三极管，包括电子单元板，电子单元板的顶部固定连接有固定板，电子单元板的内部电性连接有贴片三极管，电子单元板的内部分别包括基层、防干扰层、防腐层、吸热层、散热层、防水层和隔热层。本实用新型通过电子单元板、固定板、贴片三极管、基层、防干扰层、防腐层、吸热层、散热层、防水层和隔热层的设置，使贴片三极管具有散热和防干扰的优点，提升了贴片三极管的实用性，提高贴片三极管电流输出的稳定性，并对贴片三极管进行散热，同时解决了现有的贴片三极管无法散热和防干扰的问题，通过基层的使用，可以对电子单元板进行支撑，通过防腐层的使用，可以对电子单元板进行防腐保护。
- 一种具有高增益的异质结双极性晶体管-201822108748.X
- 彭俊益;叶金坤;杨健;蔡文必 - 厦门市三安集成电路有限公司
- 2018-12-17 - 2019-07-19 - H01L29/73
- 本实用新型公开了一种具有高增益的异质结双极性晶体管，包括一个八边形基极基座、一个八边形射极外延层、一个长条形集极区域和两个长条形集极金属层；所述长条形集极区域位于八边形基极基座之下；两个长条形集极金属层分别位于长条形集极区域之上、八边形基极基座相对之两侧；八边形射极外延层位于八边形基极基座上方；八边形射极外延层设有两个八边形内凹陷部，八边形基极基座上的两个长条形基极金属层分别设于两个八边形内凹陷部内。本实用新型通过提高射极对基极面积比，从而有效缩小集极电容，达到在一定频率范围内提高射频增益。
- PNP型晶体三极管-201822084694.8
- 崔峰敏 - 傲迪特半导体（南京）有限公司
- 2018-12-12 - 2019-06-07 - H01L29/73
- 本实用新型涉及PNP型晶体三极管，低掺杂P型硅的集电区上设有高掺杂N型硅的基区、高掺杂P型硅的发射区；所述发射区为若干等距离间隔排列的圆角矩形柱状发射区单元组成，所述基区为若干等距离间隔排列的圆角矩形柱状基区单元组成。本实用新型的PNP型晶体三极管采用低掺杂P型硅的集电区，设计均匀排列的基区单元和发射区单元，面积利用率高。在低掺杂P型硅的集电区上，高掺杂N型硅的基区外围处设有保护环结构，结合P型硅外延晶圆层，避免晶体三极管的闩锁效应，尺寸小、VCEO高、稳定性强。
- 一种便于封装的半导体三极管-201821771813.0
- 潘湘民 - 深圳市金力大电子有限公司
- 2018-10-30 - 2019-05-21 - H01L29/73
- 本实用新型公开了一种便于封装的半导体三极管，包括封装外壳，所述封装外壳的一侧外壁上设置有挂板，另一侧外壁上通过螺纹旋合连接有第一支撑座和第二支撑座，所述第一支撑座位于第二支撑座的一侧，且第一支撑座上远离封装外壳的一侧外壁上设置有第一管套，所述第二支撑座上远离封装外壳的一侧外壁上设置有第二管套，所述第二管套的内部设置有引脚，所述引脚的一端设置有引脚连接头，本实用新型通过第一支撑座和第二支撑座与封装外壳的旋合连接，可以在三极管与引脚连接时进行安装，保证封装外壳密封性的同时保证引脚与三极管连接的紧密性，避免传统引脚在三极管上造成引脚损坏无法更换的问题。
- 一种抗性强不易断裂的三极管-201821771823.4
- 潘湘民 - 深圳市金力大电子有限公司
- 2018-10-30 - 2019-05-21 - H01L29/73
- 本实用新型公开了一种抗性强不易断裂的三极管，包括三极管本体，所述三极管本体上设置有塑封体，所述塑封体一侧表面设置有第二凹槽，所述第二凹槽内部底面固定安装有基板，所述基板一侧安装有焊接板，本实用新型通过在三极管上的第二主体之间安装小型弹簧，当三极管上的引脚因外力出现弯曲现象时，小型弹簧可以有效的对力进行缓冲，有效的降低了引脚因外力二出现损坏的概率；通过在引脚的第二主体内部安装网布层和无纺布层，有效的提高了引脚的韧性，同时在引脚内部设置空腔，空腔内安装弹性连接件，可以进一步对力起到缓冲作用，有效的提高了三极管引脚的抗性和不易断裂能力，延长了三极管的使用寿命。
- 一种具有防水稳压的半导体三极管-201821773087.6
- 潘湘民 - 深圳市金力大电子有限公司
- 2018-10-30 - 2019-05-21 - H01L29/73
- 本实用新型公开了一种具有防水稳压的半导体三极管，包括三极管本体，所述三极管本体的内部安装有热保护器，且热保护器的内部安装有第一合金片，所述热保护器的内部靠近第一合金片的一侧位置处安装有第二合金片，所述第一合金片的一端安装有正极引脚，所述第二合金片的一端安装有负极引脚，所述三极管本体的一侧安装有散热块，且散热块的一侧开设有安装孔，所述三极管本体的两侧均安装有辅助块，本实用新型设置了防水套，解决了三极管的防水性能不足，被水淋湿后影响三极管的正常工作的问题，设置了辅助块，解决了不便于将三极管从电路板上迁移位置的问题，保证了三极管在移动后，安装在其他的位置可以正常工作。
- 一种碳化硅双极结型晶体管-201610488399.1
- 郭飞;申华军;汤益丹;张有润;白云;杨成樾;宋凌云;柏思宇;彭朝阳 - 中国科学院微电子研究所
- 2016-06-28 - 2019-05-14 - H01L29/73
- 一种碳化硅双极结型晶体管，该晶体管在发射极(1)台面边缘与基极(2)欧姆接触之间的外基区表面形成有一个肖特基接触结构，从而在所述外基区表面形成肖特基势垒。所述肖特基接触结构包括一基区及位于所述基区上的一金属层。本发明的碳化硅双极结型晶体管能够通过该肖特基接触结构阻止电子向表面处运动，抑制表面复合，提高器件的电流增益。
- 场效应二极管及包括其的全波整流电桥和能量管理电路-201810030716.4
- 梅增霞;张永晖;梁会力;杜小龙 - 中国科学院物理研究所
- 2018-01-12 - 2019-03-05 - H01L29/73
- 本发明提供了一种场效应二极管及包括其的全波整流电桥和能量管理电路，所述场效应二极管包括：绝缘层；位于所述绝缘层的相对两侧的沟道层和第一正电极；与所述沟道层相接触的负电极和第二正电极，所述第二正电极与第一正电极电连接；其中所述负电极和第一正电极之间具有错排区域。本发明的场效应二极管中的错排区域能够吸收电压降。
- 高频三极管及其制作方法-201811119427.8
- 不公告发明人 - 深圳市心版图科技有限公司
- 2018-09-25 - 2019-02-01 - H01L29/73
- 本发明公开了一种高频三极管及其制作方法。所述制作方法获得的高频三极管包括衬底，位于所述衬底的上表面的外延层，所述外延层内形成有外基区和基区，所述基区内还形成有发射区；位于所述外延层的上表面的多晶硅岛，所述多晶硅岛包括第一基极多晶硅；位于所述外延层的上表面的介质层，所述介质层内形成有贯穿所述介质层的发射极接触孔，所述发射极接触孔内填充有发射极多晶硅，所述发射极多晶硅的上表面覆盖有第二金属硅化物层；位于所述介质层的上表面的基极和发射极；位于所述衬底的下表面的集电极。本发明所述高频三极管结构不仅具有超高的工作频率，而且具有更低的器件制作成本，更高的集成度，更强的电流能力。
- 一种横向三极管及其制备方法-201811168563.6
- 不公告发明人 - 深圳市南硕明泰科技有限公司
- 2018-10-08 - 2019-02-01 - H01L29/73
- 本发明公开了一种横向三极管，包括：第一导电类型的衬底，形成在衬底的上表面上的绝缘层，形成在绝缘层的上表面的第一导电类型的外延层，自外延层的上表面向下贯穿所述外延层和所述绝缘层的第一沟槽，填充第一沟槽的第一导电类型的发射区，形成在所述第一沟槽侧壁上的第一导电类型的发射结，形成在发射结远离所述发射区的侧壁上的第二导电类型的基区，自外延层的上表面向下贯穿所述外延层的第二沟槽，填充第二沟槽的第一导电类型的集电区，形成在第二沟槽侧壁上的第一导电类型的集电结，形成在外延层、集电结、集电区、基区、发射结和发射区上表面的介质层。其还公开了上述横向三极管的制备方法，其能使三极管的发射极面积变大，电流能力变强。
- 一种双极型晶体管-201410851417.9
- 王寅 - 展讯通信（上海）有限公司
- 2014-12-30 - 2019-01-22 - H01L29/73
- 本发明公开了一种双极晶体管，包括基板；所述基板中形成具有第一导电类型的第一区域、具有第二导电类型的第二区域以及具有第一导电类型的第三区域，所述第二区域环绕设于所述第一区域的外围，所述第三区域环绕设于所述第二区域的外围；其中，一绝缘区域从所述第三区域的一侧向另一侧延伸，以将所述第一区域和所述第二区域均隔离为两个相对独立的部分；所述第一区域和所述第二区域被隔离的两个部分被引出作为电极，且所述第三区域被引出作为电极。本发明可减小芯片面积，同时便于实施。
- 一种三极管及其制作方法-201810879777.8
- 不公告发明人 - 深圳市福来过科技有限公司
- 2018-08-03 - 2018-12-28 - H01L29/73
- 本发明涉及一种三极管及其制作方法，所述三极管包括：第一导电类型的衬底；形成在所述衬底上的第一导电类型的外延层；形成在所述外延层内的沟槽；形成在所述沟槽底部以及侧壁的第一导电类型的发射区；形成于所述外延层内且包围所述沟槽的第二导电类型的基区；形成于所述外延层区域内连接所述基区的基极接触区；所述基区的形成步骤包括：在所述沟槽底部及侧壁上形成第二导电类型的第一多晶硅层；做所述第一多晶硅层的高温氧化工艺，使得所述第一多晶硅层氧化为第一氧化层，所述第一多晶硅层内的杂质向所述外延层扩散，形成包围所述沟槽的第二导电类型基区。所述三极管的基区与发射区之间具有良好界面态，放大系数稳定。
- 一种沟槽型三极管及其制作方法-201810966197.2
- 不公告发明人 - 盛世瑶兰（深圳）科技有限公司
- 2018-08-23 - 2018-12-25 - H01L29/73
- 本发明公开一种沟槽型三极管及其制作方法，所述制作方法包括：提供第一导电类型的衬底并在该衬底的上表面生长第一导电类型的第一外延层；在第一外延层内形成沟槽；在沟槽的底部和侧壁及第一外延层的上表面生长第二导电类型的第二外延层；在第二外延层的表面生长掺杂第一导电类型杂质的多晶硅层；回刻蚀多晶硅层，保留填充在沟槽内的多晶硅层；对沟槽外的第二外延层进行掺杂并形成第二导电类型的高掺杂区；生长绝缘层；快速退火处理，激发所述多晶硅层中的所述第一导电类型杂质扩散至所述多晶硅层外围的第二外延层的表层中并形成第一导电类型的扩散区。本发明所述沟槽型三极管具有较大的发射极面积，更高的发射效率和更佳的电流能力。
- 一种三极管及其制作方法-201810878974.8
- 不公告发明人 - 深圳市诚朗科技有限公司
- 2018-08-03 - 2018-12-21 - H01L29/73
- 本发明涉及一种三极管及其制作方法，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底，在所述衬底上形成第一导电类型的第一外延层；在所述第一外延层上形成第一介质层；以所述第一介质层为掩膜，在所述第一外延层上形成沟槽；通过第一注入在所述沟槽底部及侧壁的第一外延层区域内形成第一导电类型的集电区；在所述沟槽内填充第二导电类型的第二外延层；对所述第二外延层表面进行第二注入，以将所述第二外延层的部分区域反型成第一导电类型的发射区，未被反型成所述发射区的第二外延层区域为基区，所述发射区的上表面与所述基区的上表面持平。通过本方法形成的的三极管放大系数稳定。
- 包括在漂移区中波动分布的净掺杂的半导体器件-201510039578.2
- E·法尔克;A·黑特尔;M·普法芬莱纳;F·J·桑托斯罗德里奎兹;D·施罗格尔;H-J·舒尔策;A·R·斯特格纳;J·G·拉文 - 英飞凌科技股份有限公司
- 2015-01-27 - 2018-12-04 - H01L29/73
- 本发明公开了一种半导体器件，其包括具有相对的第一侧和第二侧的半导体主体。该半导体器件进一步包括半导体主体中的、在第一侧和pn结之间的漂移区。在该第一侧和第二侧之间沿着所述漂移区的垂直延伸的至少50％，该漂移区的净掺杂的分布是波动的，并且包括在1x1013cm‑3和5x1014cm‑3之间的掺杂峰值。器件的阻断电压Vbr由pn结的击穿电压定义，该pn结位于漂移区和相反的导电类型的半导体区之间，该半导体区被电耦接至半导体主体的第一侧。
- 一种半导体三极管及其制造方法-201810746235.3
- 叶和洁 - 盛世瑶兰（深圳）科技有限公司
- 2018-07-09 - 2018-11-30 - H01L29/73
- 本发明提供一种半导体三极管，其包括第一导电类型的衬底、形成在所述衬底上的第二导电类型的埋层、形成在所述埋层与所述衬底上且第二导电类型的外延层、与所述埋层相连且形成所述外延层的第一注入区、形成在所述外延层且具有第一导电类型的第二注入区、形成在所述第二注入区且具有第二导电类型的第三注入区、形成在所述第一注入区的第一电极、形成在所述第二注入区的第二电极及形成在所述第三注入区的第三电极，所述第一注入区注入有至少两种物质形成第一晶格缺陷，所述第一注入区内的外延层具有第二晶格缺陷。本发明还提供一种半导体三极管的制造方法，提高了半导体三极管的耐压性能、驱动能力和降低制造成本。
- 场效应二极管及包括其的全波整流电桥和能量管理电路-201820052089.X
- 梅增霞;张永晖;梁会力;杜小龙 - 中国科学院物理研究所
- 2018-01-12 - 2018-11-30 - H01L29/73
- 本实用新型提供了一种场效应二极管及包括其的全波整流电桥和能量管理电路，所述场效应二极管包括：绝缘层；位于所述绝缘层的相对两侧的沟道层和第一正电极；与所述沟道层相接触的负电极和第二正电极，所述第二正电极与第一正电极电连接；其中所述负电极和第一正电极之间具有错排区域。本实用新型的场效应二极管中的错排区域能够吸收电压降。
- 双极晶体管器件及其制造方法-201510101368.1
- 约翰内斯·J·T·M·唐克尔;维特·桑迪·恩;托尼·范胡克;埃弗利娜·格里德莱特;安可·赫琳哈;迪克·克拉森 - 恩智浦有限公司
- 2015-03-06 - 2018-11-27 - H01L29/73
- 本公开涉及双极晶体管器件和制造所述双极晶体管器件的方法。所述器件包括场板，所述场板位于与所述有源区域的基极‑集电极结相邻的隔离区域中。所述隔离区域包括栅极端子，所述栅极端子被布置为独立于所述晶体管的集电极、基极或发射极端子进行偏压。
- 替位式掺杂原子尺度三极管-201710298592.3
- 不公告发明人 - 邵诗婷
- 2017-04-27 - 2018-11-13 - H01L29/73
- 本发明公开了一种替位式掺杂原子尺度三极管、制备方法和应用领域。该原子尺度三极管是在半导体性质的碳基材料(半导体碳纳米管或半导体石墨烯纳米带)上，采用SPM和单离子注入技术替位式掺杂三族和五族元素，形成大小为原子尺度的三极管，可用于在原子尺度上制备大规模集成电路。
- 一种电源整流用塑封功率三极管-201820286340.9
- 杨洪文;周勇;王兴超;陈景善;高思恩;陈令恭;林延峰 - 山东沂光集成电路有限公司
- 2018-03-01 - 2018-11-13 - H01L29/73
- 本实用新型公开了一种电源整流用塑封功率三极管，包括壳体，所述壳体的一端设置三个接线丝，所述壳体的端部外侧设置有防护套，所述防护套的端部内侧表面设置有限制滑块，所述壳体的两侧表面与限制滑块的卡合连接处设置有限制滑槽，在本实用新型中的壳体外侧增加了可以水平滑动的防护套，防护套通过限制滑块卡合在限制滑槽内，当运输携带时，可滑动防护套，将防护套水平向接线丝的一端滑动，直到限制滑块滑动到限制滑槽的另一端，此时，卡块通过弹簧从伸缩槽内伸出，并卡进卡槽内，防护套将接线丝包裹住，防止接线丝在携带和运输的过程中折断的情况，使用时，拨动拨杆，使得卡块从卡槽内退出，防护套退回即可，使用更加的方便。
- 双极晶体管以及制造双极晶体管的方法-201410331664.6
- J·康拉斯;H-J·舒尔策 - 英飞凌科技股份有限公司
- 2014-07-11 - 2018-10-09 - H01L29/73
- 本文涉及一种双极晶体管及其制造方法。双极晶体管包括半导体结构，该半导体结构包括发射极区、基极区和集电极区。发射极区电连接至双极晶体管的发射极接触。另外，发射极区具有第一导电类型。基极区电连接至双极晶体管的基极接触。此外，基极区至少主要地具有第二导电类型。集电极区电连接至双极晶体管的集电极接触并且至少主要地具有第一导电类型。另外，集电极区包括具有第二导电类型的多个封闭的子区，或者基极区包括具有第一导电类型的多个封闭的子区。
- 专利分类
