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[发明专利]横向双极结型晶体管及其形成方法-CN202011023288.6在审
发明人：杨广立 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本申请提供一种横向双极结型晶体管及其形成方法，所述横向双极结型晶体管包括：衬底；基区，位于所述衬底中；发射区，位于所述基区中；集电区，位于所述衬底中，且位于所述基区的一侧并与所述基区相连，所述集电区中形成有拾取区本申请技术方案的横向双极结型晶体管及其形成方法可以同时提高横向双极型晶体管的Bvceo值和β值。
横向双极结型晶体管及其形成方法

[实用新型]用于荧光检测的双结深光电二极管-CN201320169602.0有效
发明人：施朝霞 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2013-04-07 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：用于荧光检测的双结深光电二极管,由半导体硅P型衬底和N型阱构成的深结PN结光电二极管;由P型源漏注入和所述N型阱构成的浅结PN结光电二极管，所述半导体硅P型衬底为所述深结PN结光电二极管的阳极，所述N型阱为所述深结PN结光电二极管的阴极；所述P型源漏注入为所述浅结PN结光电二极管的阳极，所述N型阱为所述浅结PN结光电二极管的阴极；所述半导体硅P型衬底通过P型源漏注入形成重掺杂欧姆接触，并通过金属接触孔引出，所述N型阱通过N型源漏注入形成重掺杂欧姆接触，并通过金属接触孔引出。
用于荧光检测双结深光电二极管

[发明专利]一种横向高压双极结型晶体管及其制造方法-CN201710118996.X在审
发明人：刘建;刘青;税国华;张剑乔;易前宁;陈文锁 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向高压双极结型晶体管及其制造方法；包括P型衬底、N型埋层、P型埋层、N型外延层、P型隔离穿透区、N型穿通区、P型体区、N型重掺区、N型重掺环区、预氧层、场氧层、TEOS金属前介质层、发射区金属、集电极金属和基极金属；本发明是在常规横向双极结型集体管的基础上，在集电区与发射区之间加入了N型环状注入，再通过优化第一层金属的布局，使金属全覆盖于集电区之上，尺寸超出集电区结深的两倍。通过仿真以及实际流片结果得出本发明的横向高压双极结型晶体管在其余参数影响不大的情况下，BVcbo提高40％以上、BVceo提高30％以上、漏电能力提升一个量级。本发明提供的一种横向高压双极结型晶体管。
一种横向高压双极结型晶体管及其制造方法

[实用新型]一种横向高压双极结型晶体管-CN201720194591.X有效
发明人：刘建;刘青;税国华;张剑乔;易前宁;陈文锁 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种横向高压双极结型晶体管；包括P型衬底、N型埋层、P型埋层、N型外延层、P型隔离穿透区、N型穿通区、P型体区、N型重掺区、N型重掺环区、预氧层、场氧层、TEOS金属前介质层、发射区金属、集电极金属和基极金属；本实用新型是在常规横向双极结型集体管的基础上，在集电区与发射区之间加入了N型环状注入，再通过优化第一层金属的布局，使金属全覆盖于集电区之上，尺寸超出集电区结深的两倍。通过仿真以及实际流片结果得出本实用新型的横向高压双极结型晶体管在其余参数影响不大的情况下，BVcbo提高40％以上、BVceo提高30％以上、漏电能力提升一个量级。本实用新型提供的一种横向高压双极结型晶体管。
一种横向高压双极结型晶体管

[发明专利]鳍式双极结型晶体管及其形成方法-CN201310156947.7有效
发明人：陶佳佳;三重野文健;李勇;张帅;黄新运;居建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种鳍式双极结型晶体管及其形成方法，所述鳍式双极结型晶体管包括：基底；位于基底上掺杂有杂质的鳍部，所述鳍部为第一区；位于所述第一区上基区；位于所述基区上或基区内的第二区，所述第一区为发射区、第二区为集电区或者第一区为集电区本鳍式双极结型晶体管，基区与发射区之间形成的PN结具有较大的面积，该PN结面积可调，且可调范围很大。
鳍式双极结型晶体管及其形成方法

[发明专利]一种采样/保持电路装置-CN200610164878.4无效
发明人：朱旭斌;石寅 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-12-07 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： G11C27/02 文献下载
摘要：一种采样/保持电路装置，包括保持电容和采样/保持开关装置；所述的采样/保持开关装置是由三个NPN型双极结型晶体管和一个N沟道场效应晶体管构成的偏置电路装置，其一端接至模拟或射频信号源，另一端接至保持电容器；两个NPN型双极结型晶体管的基极分别接至两个互补的采样/保持时钟信号，它们的发射极相接并连接至N沟道场效应晶体管的漏极，它们的集电极分别与第三个NPN型双极结型晶体管的基极与发射极相连；第三个NPN型双极结型晶体管的集电极与电源相连；N沟道场效应晶体管的源极与地相连，栅极连接偏置电压；在保持电容与采样/保持开关装置之间还连接了一个补偿电路装置，能够有效解决电荷注入带来输出电平不正确的问题。
一种采样保持电路装置

[发明专利]包括双极有源箝位的开关模式电源-CN201911211453.8在审
发明人：琼·维夏德·斯特里耶克 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：开关模式电源可以包括双极装置(例如双极结型晶体管)，所述双极装置与电容器串联连接并可作为双极箝位开关进行操作，其中可以通过使集电极‑基极结正向偏压而使所述双极装置接通。当使基极‑集电极结偏压反向时，与所述双极装置相关联的所述电容器可以基于从变压器初级绕组获得并存储在所述电容器中的能量而使所述双极箝位开关保持导通达有限的时间。所述双极箝位开关的存储电荷性质可以用于使所述双极箝位开关保持导通和工作，以作为有源箝位，而不需要高驱动器电路。
包括有源箝位开关模式电源

[发明专利]一种碳化硅双极结型晶体管的静态驱动装置及方法-CN201510244410.5有效
发明人：廖淋圆;唐赛;王俊;帅智康;尹新;沈征;蒋梦轩 -专利权人：湖南大学
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种碳化硅双极结型晶体管的静态驱动装置及方法。在碳化硅双极结型晶体管的基极与驱动电源之间串联一个可变电阻单元，所述可变电阻单元包括高速硅基场控器件和一个限流电阻，所述限流电阻一端连接所述高速硅基场控器件的源极，另一端连接所述高速硅基场控器件的漏极；所述碳化硅双极结型晶体管的集电极与电流检测器件连接，所述电流检测器件与所述高速硅基场控器件的栅极和源极连接。通过碳化硅双极结型晶体管基极驱动电流根据集电极电流的正比变化，很大程度上降低了基极驱动功耗，同时有效的降低了实现基极驱动电流变化的成本，而且基本消除了时间延迟。
一种碳化硅双极结型晶体管静态驱动装置方法

[发明专利]参考电压产生器-CN200810098716.4有效
发明人：王惠民 -专利权人：奇景光电股份有限公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：能隙参考电路包括电流产生器与第一双极结型晶体管。电流产生器输出参考电流。参考电流是通过第一电阻流入第一双极结型晶体管的射极，第一双极结型晶体管的集极与基极是接地，使得能隙参考电压于电流产生器与第一电阻间输出，并使得第一偏压电压于第一双极结型晶体管的射极输出。
参考电压产生器

[发明专利]确定机械应力-CN201610506156.6有效
发明人： U.奥瑟莱希纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H03K19/013 文献下载
摘要：实施例涉及一种用于提供机械应力水平信号的电路，所述电路包括：至少一个双极型结型晶体管，其中所述电路被布置为基于所述至少一个双极型结型晶体管的电流增益确定第一机械应力水平并且基于所述至少一个双极型结型晶体管的电流增益确定第二机械应力水平
确定机械应力

[发明专利]包括用于检测双极结型晶体管故障的故障检测器的半导体器件以及用于检测双极结型晶体管故障的方法-CN202310091562.0在审
发明人：许栋勋;朴心灿;林哲焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括：电压产生器，被配置为产生第一双极结型晶体管的第一基极‑发射极电压；以及故障检测器，被配置为通过将第一基极‑发射极电压与上限参考电压和下限参考电压进行比较来产生故障信号。故障检测器可以包括：第二双极结型晶体管；电流源，被配置为产生偏置电流；第一电阻器，耦接在电流源与第二双极结型晶体管的发射极之间以产生上限参考电压；第二电阻器和第三电阻器，被配置为对第二双极结型晶体管的第二基极‑发射极电压进行分压以产生下限参考电压；以及第一比较器和第二比较器，被配置为分别将第一基极‑发射极电压与上限参考电压和下限参考电压进行比较以产生相应的故障信号。
包括用于检测双极结型晶体管故障检测器半导体器件以及方法

[发明专利]双极结型晶体管、双极CMOS集成电路及制造方法-CN200910194454.6有效
发明人：周建华;高明辉;彭树根 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-08-17 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：一种双极结型晶体管、双极CMOS集成电路及制造方法。所述双极结型晶体管包括：绝缘体上硅衬底中相邻分布的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区周边环绕有第一隔离层；所述第一掺杂区中的第三掺杂区，所述第三掺杂区与所述第二掺杂区电气连接；第一掺杂区及第二掺杂区中、环绕所述第三掺杂区的第二隔离层；所述第三掺杂区及第二隔离层上的掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层、第三掺杂区、第一掺杂区分别作为双极结型晶体管的发射区、基区、集电区。所述双极结型晶体管可以制作在较薄顶层硅SOI衬底上，从而实现薄顶层硅SOI-BiCMOS工艺集成。
双极结型晶体管双极 cmos 集成电路制造方法

[发明专利]一种集成栅极驱动功率器件及其制备方法-CN201510607295.3有效
发明人：刘磊;刘伟;袁愿林;王鹏飞 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L27/102 文献下载
摘要：本发明的集成栅极驱动(IGDT)功率器件是在现有的功率器件内集成双极结型晶体管和第一电阻，所述第一电阻设于功率器件的栅极金属垫与栅极之间、所述双极结型晶体管的基极与功率器件的栅极金属垫连接、所述双极结型晶体管的发射极与功率器件的栅极连接，且双极结型晶体管的集电极与功率器件的源极连接。
一种集成驱动功率器件及其制备方法

[发明专利]电压基准电路-CN200910057947.5有效
发明人：崔文兵 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： G05F3/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种电压基准电路，在已有的传统常用带隙基准电压源电路结构基础上增加固定偏置电路和启动、过压保护电路，在固定偏置电路中实现一倍双极型晶体管基极射极PN结电压VBE和二倍双极型晶体管基极射极PN结电压2VBE，再通过启动、过压保护电路实现双极型晶体管基极射极PN结电压与带隙基准电压源输出的基准电压的比较控制，使带隙基准电压源正常工作的输出基准电压限定在安全的范围内，当输出的基准电压过高时，能实现电路的自动保护，并且结构简单，适合在各种双极型晶体管和金属氧化物场效应管兼容的工艺下制造。
电压基准电路

[发明专利]一种具有双结的红外光发光二极管-CN201511035172.3在审
发明人：黄俊凯;吴俊毅;吴超瑜;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有双结的红外光发光二极管，以隧穿结串连两个多量子阱，所述隧穿结是重掺杂P型Al_XGa_1-XAs材料与重掺杂N型Al_XGa_1-XAs或重掺杂N型InGaP材料相接而成。用隧穿结串联两个发光二极管，其上部活性层与底部活性层同时发光，使得发光强度更强，可以获得单结型发光二极管1.5倍以上发光亮度，并且可以复合不同波长，达到调适波长的效果，形成高效率且复合发光波长的双结红外光发光二极管
一种具有红外光发光二极管