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[发明专利]一种全GaN集成芯片结构及其制备方法-CN202310085988.5在审
发明人：王登贵;周建军;戴家赟;王飞;胡壮壮;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种全GaN集成芯片结构及其制备方法，该芯片结构包括：半绝缘SiC衬底；导电键合层；全GaN电路结构层：自下而上依次包括缓冲层、沟道层和势垒层，还包括第一深槽、第二深槽和钝化层，第一深槽的槽底与导电键合层相接，槽壁穿透至势垒层，内壁生长有连接源极和导电键合层的金属；第二深槽的槽底与半绝缘SiC衬底相接，槽壁穿透至势垒层，内壁沉积有绝缘介质。本发明实现了全GaN集成芯片中高低侧电位的单片隔离，降低了寄生电感和芯片面积；解决了传统SOI基GaN集成芯片架构导热性差、工艺难度高的问题；其制备方法具有高度的普适性与灵活性，有利于全GaN集成芯片的集成化与智能化发展。
一种 gan 集成芯片结构及其制备方法

[发明专利]一种石英衬底InP HEMT有源层集成方法-CN202211335300.6在审
发明人： 戴家赟;吴立枢;郭怀新;孔月婵;朱健;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开一种石英衬底InP HEMT有源层集成方法，具体为：1：在晶圆的有源层上旋涂第一临时键合粘附剂后放在热板上预烘烤；2：将第一支撑载片与有源层键合；3：减薄晶圆的衬底；4：在第二支撑载片上旋涂第二临时键合粘附剂后放在热板上预烘烤；5：将第二支撑载片与晶圆衬底键合；6：将第一支撑载片与晶圆的有源层分离，并清洗晶圆有源层的表面；7：在晶圆有源层上旋涂永久性键合材料，将石英衬底与晶圆的有源层进行永久键合；8：将第二支撑载片与晶圆的衬底分离，并清洗晶圆衬底；9：将晶圆的衬底完全去除；10：去除晶圆的自停止层和缓冲层。本发明解决了直接键合过程中因高温条件、材料热失配等因素导致的键合晶圆破裂的问题。
一种石英衬底 inp hemt 有源集成方法

[发明专利]GaN功率IC与Si CMOS驱动异质集成芯片的制备方法-CN202211183776.2在审
发明人： 戴家赟;周建军;王登贵;王钊;孔月婵 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN功率IC与SiCMOS驱动异质集成芯片的制备方法，将GaN功率IC功能薄层与SiCMOS驱动衬底进行集成，通过微电子工艺中的微带线工艺实现信号的互联，构建GaN基功率IC与SiCMOS驱动异质集成芯片，在显著降低集成芯片面积的前提下，减小额外寄生和传输损耗，实现综合性能提升。
gan 功率 ic si cmos 驱动集成芯片制备方法

[发明专利]基于外延层剥离转移的单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法-CN202211232225.0在审
发明人： 戴家赟;王飞;王宇轩;郭怀新 -专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于外延层剥离转移的单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法，包括：制备单晶压电薄膜和上电极；构成分立的谐振器区域；衬底正面相对临时键合到支撑载片上；将压电薄膜衬底减薄并完全去除；压电薄膜背面刻蚀通孔；在压电薄膜背面制作谐振器的下电极金属；在另一高阻衬底上表面制备空腔结构；高阻衬底表面旋涂永久键合材料；压电薄膜背面与高阻衬底上表面相对，永久键合；将支撑载片与压电薄膜和高阻衬底分离，得到在高阻衬底上带有空腔结构的谐振器。本发明通过外延层剥离技术将AlN单晶薄膜和电极从外延衬底分离，通过低温晶圆键合的方式将AlN单晶薄膜和上下电极转移到具有空腔结构的衬底上，具有高性能、小型化的特点。
基于外延剥离转移压电薄膜声波谐振器制备方法

[发明专利]一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法-CN202211232171.8在审
发明人： 戴家赟;王飞;王元;孔月婵 -专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法，其步骤有：在衬底上生长单晶压电薄膜，压电薄膜上方制备上电极；图形化，构成分立的谐振器器件区域；在器件上方光刻通孔，并分别刻蚀上电极和压电薄膜；通过通孔在器件区域下方形成一个空腔；通过ALD在上电极上方、通孔内部、压电薄膜背面和空腔内部沉积金属；对上电极上方进行图形化，得到由上电极、单晶压电薄膜、下电极组成的单晶压电薄膜体声波谐振器。本发明不用通过晶圆键合工艺即可实现带有空腔的谐振器结构，有效避免了复杂的晶圆键合工艺过程，对异质衬底上晶格失配和热失配的外延单晶AlN薄膜的潜在破坏，以及因此导致的谐振器失效问题。并且工艺简单，易于批量加工。
一种压电薄膜声波谐振器制备方法

[发明专利]集成太赫兹放大器的超宽带高饱和光电探测器的制备方法-CN202211189296.7在审
发明人：李冠宇;戴家赟;王宇轩;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开集成太赫兹放大器的超宽带高饱和光电探测器的制备方法，属于基本电气元件的技术领域。该制备方法主要包括：在InP HBT外延片上制作太赫兹放大器有源器件；在InP半绝缘衬底上生长UTC型光电探测器外延层；通过金属键合，将探测器外延片转移至太赫兹放大器圆片上；通过机械研磨与化学腐蚀，去除探测器外延片衬底；制备InP UTC型光电探测器；制作太赫兹放大器无源器件，通过垂直电互联完成探测器与太赫兹放大器间的电信号连通。该方法不仅能够实现超宽带高饱和光电探测器与太赫兹放大器的单片集成，而且金属键合层的引入使得探测器的响应度更高、散热能力更强，从而能够提升整体芯片的性能水平。
集成赫兹放大器宽带饱和光电探测器制备方法

[发明专利]一种片内微流GaN HEMT功率器件冷却集成组件及其制备方法-CN202211209682.8在审
发明人：郭怀新;王瑞泽;戴家赟;潘斌;钟世昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种片内微流GaN HEMT功率器件冷却集成组件，包括集成互连介质和微流驱动模块，微流驱动模块上设有对准下凹区域，片内微流GaN HEMT功率器件放置在对准下凹区域内；集成互连介质位于片内微流GaN HEMT功率器件的下方，并设于对准下凹区域内；制备中，还包括设于片内微流GaN HEMT功率器件上方的上吸保护压力板，制备后，拆除上吸保护压力板。本发明的制备方法中引入上吸保护压力板、互连介质设计和工艺控制，实现片内微流GaN HMET功率器件与微流驱动模块的高质量集成互连。本发明能解决集成过程中界面质量差、集成界面漏液的问题，提高封接可靠性，提升GaN微波器件的大功率特性。
一种片内微流 gan hemt 功率器件冷却集成组件及其制备方法

[发明专利]GaN微波功率开关与Si CMOS驱动单片集成芯片及其制备方法-CN202211183556.X在审
发明人： 戴家赟;韩群飞;孔月婵;张有涛;王飞;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了GaN微波功率开关与SiCMOS驱动单片集成芯片及其制备方法，采用通过层转移工艺，将仅约10μm厚的SiCMOS驱动电路功能薄层与GaN微波功率开关电路进行集成，构建GaN基微波功率开关与SiCMOS单片集成芯片。集成芯片厚度相比纯GaN芯片，增加小于10％。同时通过微电子工艺中的微带线工艺实现信号的互联，将GaN微波功率开关与SiCMOS之间的互联长度缩短至数十微米，仅为传统键合线长度的5％。在减小电路额外寄生、缩小芯片总面积的同时，将GaN电路的高性能与SiCMOS电路的高集成度、低功耗等优势紧密结合，充分发挥不同材料各自的性能优势，进一步提高电路的综合性能，满足未来通信、雷达等系统的发展要求。
gan 微波功率开关 si cmos 驱动单片集成芯片及其制备方法

[发明专利]一种单片集成光接收芯片的制备方法-CN202211189284.4在审
发明人：李冠宇;牛斌;王宇轩;戴家赟;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种单片集成光接收芯片的制备方法，属于基本电气元件的技术领域。该制备方法主要包括：在InP HBT外延片上制作跨阻放大器；在InP半绝缘衬底上生长InP PIN光电探测器外延层；将InP PIN光电探测器外延层从原衬底上剥离；将InP PIN探测器外延层转移至跨阻放大器芯片上；完成InP PIN光电探测器的制作；通过片上布线完成探测器与跨阻放大器间的电互联。该方法不仅能够实现光电探测器与跨阻放大器的单片集成，而且支持分别独立设计探测器和跨阻放大器的外延层结构，从而使得集成光接收芯片的性能达到最优值。
一种单片集成接收芯片制备方法

[发明专利]一种用于GaN功率器件瞬态拉曼结温测试系统、测试方法及应用-CN202210843691.6在审
发明人：王瑞泽;郭怀新;戴家赟;尹志军;李忠辉;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于GaN功率器件的瞬态拉曼测试方法，引入声光调整器实现拉曼的脉冲光技术，进行拉曼激光光源调制，实现器件脉冲载荷与拉曼测试信号的同步触发，满足对GaN器件瞬态的测试分析。并且通过分析瞬态下脉冲信号强度与时间分辨率的关系，解决短脉冲导致拉曼信号强度偏弱问题，提高器件瞬态沟道温度检测时间分辨率。沟道温度测试和瞬态脉冲下有极大差距，难以本发明解决了脉冲信号下测量器件结温的问题，测量结温更接近实际结温，可以满足对功率器件真实工作情况下的可靠性评估和寿命预测的精确分析。能够有效提升器件热管理技术。
一种用于 gan 功率器件瞬态拉曼结温测试系统方法应用

[发明专利]一种批量化高精度层转移异质集成方法-CN202210890504.X在审
发明人： 戴家赟;王飞;吴立枢;王宇轩;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种批量化高精度层转移异质集成方法，首先采用临时键合工艺，将筛选后分立的芯片高精度地重构在支撑载片上，然后采用衬底剥离工艺，将极薄的芯片器件层从衬底剥离，键合转移到目标衬底上。通过这种方式，即可以解决多芯片的批量集成问题，又可以兼容后续的高精度微电子工艺加工，满足芯片小型化、集成化、高性能的发展要求。此外通过去掉热导率较低的衬底、缓冲层，增加散热层、采用高热导率键合介质等方式，还可以有效改善集成芯片的散热效果。
一种批量高精度转移集成方法

[发明专利]一种金刚石与氮化镓集成的方法-CN201911054671.5有效
发明人：吴立枢;孔月婵;戴家赟;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明是一种金刚石与氮化镓集成的方法，首先清洗氮化镓外延片和临时载片，然后将两者正面相对临时键合，键合后将氮化镓外延片的衬底去除，再将以临时载片为支撑的氮化镓外延层与金刚石衬底放入去离子水中贴合在一起，然后放在旋转台甩干，贴合面形成键合层，再放入键合机中加温加压，最后去掉临时载片和粘合材料既得。本发明利用氮化铝水解形成氢氧化铝键合层将氮化镓外延层与金刚石衬底结合在一起，相比常规利用低热导率键合材料将氮化镓与金刚石衬底键合在一起来说，降低了键合工艺难度，减少了对氮化镓外延层损伤的风险，同时可提高金刚石对氮化镓半导体器件的散热效果。
一种金刚石氮化集成方法

[发明专利]一种柔性InP HBT器件及其制备方法-CN201911053381.9有效
发明人：吴立枢;戴家赟;程伟;王元;孔月婵 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性InP HBT器件及其制备方法，器件包括柔性衬底以及形成于所述柔性衬底上键合有键合层，所述键合层上结合有停止层，所述停止层上设置有InP HBT器件。制备方法为首先在InP衬底上正向生长带有停止层的InP HBT外延结构，然后在该InP HBT外延片上完成器件及电路制备，再在临时载片正面旋涂可逆临时键合材料，将完成电路工艺的InP HBT外延片与临时载片正面相对进行临时键合，对InP衬底背面进行选择性去除直至停止层，在InP HBT外延层背面制作键合材料，将InP HBT外延层背面与柔性衬底进行键合，最后将InP HBT外延层与临时载片分离，得到柔性InP HBT器件。
一种柔性 inp hbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种大面积柔性衬底InP HBT器件及其制备方法-CN202010617051.4有效
发明人：吴立枢;戴家赟;程伟;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积柔性衬底InP HBT器件及其制备方法，制备方法包括：在InP衬底上正向生长带有停止层的InP HBT外延结构；完成器件及电路制备；InP HBT外延片与临时载片正面相对进行临时键合；对InP衬底背面选择性去除直至停止层；通过滚轴压印的方法实现InP HBT外延层背面与柔性衬底贴合；通过加热的方法加强InP HBT外延层背面与柔性衬底的贴合；将InP HBT外延层与临时载片分离，得到柔性衬底InP HBT器件。本发明通过外延层剥离和滚轴压印的方式，实现大面积柔性衬底InP HBT器件的制备，该制备方法能够与现有化合物半导体工艺和微纳加工工艺兼容，具备批量化制备潜力。
一种大面积柔性衬底 inp hbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种集成后偏移量的测量方法-CN202010502228.6有效
发明人： 戴家赟;王飞;王元;许理达;刘俊修;朱健;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成后偏移量的测量方法，所述方法包括如下步骤：在第一、第二待集成衬底上分别设置键合偏差测试矩阵，测试矩阵中布置有键合结构和与键合结构一一对应并相连的金属布线；采用直流测试设备分别对测试矩阵里的键合结构进行直流测试，得到键合导通结果；根据测试矩阵中的键合导通结果，得到集成后偏移量的偏离方向和偏离数值。本发明的测量方法能够提高键合偏差的测试准确性和便捷性，减少失效分析时间，增加工艺监控质量，为三维异质异构集成工艺的良率提升和成本降低提供保障。
一种集成偏移测量方法

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