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[发明专利]形成半导体光学器件的方法及半导体光学器件-CN201710028587.0有效
发明人：渡边孝幸 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2017-01-16 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01S5/227 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光器二极管类型的掩埋异质结构(BH‑LD)。LD设置有台面、第一掩埋层和第二掩埋层，这里，掩埋层设置在台面两侧，以使台面顶部露出。台面包括下包覆层、有源层和上包覆层，这里，包覆层具有彼此相反的导电类型，并与掩埋层结合地构成载流子限制结构。第二掩埋层具有与第一掩埋层的平坦面叠置的平坦面，并且掩埋层的平坦面的部分的厚度比除了平坦面之外的部分的厚度薄。
形成半导体光学器件方法

[发明专利]半导体结构-CN201510666469.3有效
发明人：陈柏安;陈鲁夫 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2015-10-15 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种半导体结构，用以释放一静电放电电流，并包括一衬底、一第一掩埋层、一第二掩埋层、一第一阱、一第二阱、一第一掺杂区、一沟渠式栅极以及一第二掺杂区。第一及第二掩埋层形成在衬底之上。第一阱形成在第一掩埋层之上。第二阱形成在第二掩埋层之上，重叠部分第二掩埋层。第一掺杂区形成在第一阱之中。沟渠式栅极延伸进入第二阱以及第一掩埋层。第二掺杂区形成在第二阱之中，并接触沟渠式栅极。
半导体结构

[发明专利]漏极延伸晶体管-CN202111523289.1在审
发明人： M-C·李;S·金;S·斯瑞达;S·彭哈卡 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：该集成电路具有晶体管(800)，该晶体管包括，掩埋层(812)、掩埋层(816)，掩埋层(812)、掩埋层(816)在该衬底内，该掩埋层限定该掩埋层和该顶表面之间的漂移区(805)；以及主体区(820)，主体区(820)在该衬底中从该掩埋层延伸到该衬底表面。该晶体管还具有，源极(846)，源极(846)在该主体区中形成；漏极(830)，漏极(830)从该掩埋层延伸到该衬底表面；漂移阱(818)，漂移阱(818)从该掩埋层朝向该顶表面延伸并从该主体区延伸到该漏极
延伸晶体管

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010994423.5在审
发明人：安正烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括：在其中布置有驱动晶体管的衬底上交替层叠第一材料层和第二材料层；形成穿透第一材料层和第二材料层且彼此间隔开的第一下掩埋层和第二下掩埋层；在被第一下掩埋层和第二下掩埋层穿透的第一材料层和第二材料层上交替层叠第三材料层和第四材料层；分别形成穿透第三材料层和第四材料层且暴露出第一下掩埋层和第二下掩埋层的第一上通孔和第二上通孔；以及在第一上通孔中形成上掩埋层以经由第二上通孔暴露出第二下掩埋层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]受保护的电子芯片-CN201710179661.9有效
发明人： C·查姆佩克斯;N·博瑞尔;A·萨拉菲亚诺斯 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种电子芯片，包括：第一导电类型的掺杂半导体衬底、覆盖该衬底的第二导电类型的掺杂掩埋层以及覆盖该掩埋层的该第一导电类型的第一掺杂阱。电路部件可以形成在该第一掺杂阱的顶表面处并与该掩埋层分隔开。电流检测器耦合到该掩埋层并且被配置成用于检测流入或流出该掩埋层的偏置电流。
保护电子芯片

[实用新型]电子芯片-CN201720293585.X有效
发明人： C·查姆佩克斯;N·博瑞尔;A·萨拉菲亚诺斯 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种电子芯片，包括第一导电类型的掺杂半导体衬底、覆盖该衬底的第二导电类型的掺杂掩埋层以及覆盖该掩埋层的该第一导电类型的第一掺杂阱。电路部件可以形成在该第一掺杂阱的顶表面处并与该掩埋层分隔开。电流检测器耦合到该掩埋层并且被配置成用于检测流入或流出该掩埋层的偏置电流。
电子芯片

[发明专利]静电释放保护器件的半导体结构以及制造方法-CN201610658085.1有效
发明人：姚飞;王世军;殷登平 -专利权人：南京矽力微电子技术有限公司
申请日： 2016-08-11 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种低电容的静电释放保护器件的半导体结构以及制造方法，在第一掺杂类型的半导体衬底(401)的顶面的第一区域、第二区域分别形成第一掺杂类型的掩埋层(402)、第二掺杂类型的掩埋层(403)；在所述第一掺杂类型的掩埋层(402)以及所述第二掺杂类型的掩埋层(403)的上方形成第二掺杂类型的外延层(405)，第一掺杂类型的掩埋层(402)、第二掺杂类型的掩埋层(403)被掩埋在所述半导体衬底(401)与所述外延层(405)之间，在所述外延层(405)上位于所述第二掺杂类型的掩埋层(403)上方的第三区域(4051)的顶部形成第一掺杂类型的第一掺杂区(407)。
静电释放保护器件半导体结构以及制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201410113786.8有效
发明人：下村彰宏;秋山豊;下村纱矢;中柴康隆 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-03-25 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在漂移层中形成第二导电类型的掩埋层和第二导电类型的下层。在第二导电类型的掩埋层的侧部和漂移层之间的边界中形成边界绝缘膜。第二导电类型的下层与第二导电类型的掩埋层的下端和边界绝缘膜的下端相接触。第二导电类型的掩埋层与源电极电连接。在第二导电类型的掩埋层的表面层中形成第二导电类型的高浓度层。
半导体器件

[发明专利]基于光纤光栅传感器的计轴装置-CN201410539393.3在审
发明人：郭丰明;胡子穆 -专利权人：深圳市科安达轨道交通技术有限公司
申请日： 2014-10-13 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： B61L1/16 文献下载
摘要：一种基于光纤光栅传感器的计轴装置，计轴装置的光纤光栅传感器掩埋于弹性体材料的掩埋层中，弹性的掩埋层能够在外界作用发生明显形变，弹性的掩埋层发生的形变能使光纤光栅传感器可以灵敏的检测到形变应力，从而也可以精确检测车轮为橡胶车轮的电车而且，弹性的掩埋层还可以较好的保护光纤光栅传感器。
基于光纤光栅传感器装置

[实用新型]基于光纤光栅传感器的计轴系统-CN201420591253.6有效
发明人：郭丰明;胡子穆 -专利权人：深圳市科安达轨道交通技术有限公司
申请日： 2014-10-13 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： B61L1/16 文献下载
摘要：一种基于光纤光栅传感器的计轴系统，计轴装置的光纤光栅传感器掩埋于弹性体材料的掩埋层中，弹性的掩埋层能够在外界作用发生明显形变，弹性的掩埋层发生的形变能使光纤光栅传感器可以灵敏的检测到形变应力，从而也可以精确检测车轮为橡胶车轮的电车而且，弹性的掩埋层还可以较好的保护光纤光栅传感器。
基于光纤光栅传感器系统

[发明专利]掩埋DFB激光器及其制备方法-CN201811622734.8在审
发明人：单智发;张永 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种掩埋DFB激光器，其包括：依次层叠的第一导电层、有源层和第二导电层，部分第一导电层与所述有源层、所述第二导电层形成一凸台结构，所述第二导电层远离所述有源层的表面为所述凸台结构的顶面；一阻挡层，所述阻挡层,设置于所述凸台结构的顶面，所述阻挡层的中心部分经刻蚀形成一凹槽，且所述凹槽通至所述凸台结构的顶面；一第一掩埋层，所述第一掩埋层形成于所述凸台结构的侧面，并覆盖所述凸台结构的侧面和所述第一导电层；一第二掩埋层，所述第二掩埋层形成于所述第一掩埋层的表面；一第三导电层，所述第三导电层通过所述凹槽形成于所述凸台结构的顶面，且形成于所述第二掩埋层的表面。本发明还涉及所述掩埋激光器的制备方法。
凸台结构掩埋层顶面第二导电层第一导电层阻挡层源层掩埋导电层制备凹槽形成依次层叠激光器侧面刻蚀覆盖

[发明专利]半导体激光装置的制造方法以及半导体激光装置-CN201880095693.3有效
发明人：渊田步;高濑祯;中村直干;铃木凉子 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01S5/227 文献下载
摘要：本发明的半导体激光装置具备：脊(41)，依次层叠第一导电型包覆层(11)、活性层(20)以及第二导电型第一包覆层(30)而成并且顶部平坦；第一掩埋层(50)，将脊(41)的两侧掩埋至比第二导电型第一包覆层(30)高的位置；第二掩埋层(60)，覆盖第一掩埋层(50)，并且朝向脊(41)的中央方向以及脊(41)的顶部突出，由此将各突出的部分对置而形成的开口作为电流狭窄窗(61)；以及第二导电型第二包覆层(70)，将第二掩埋层(60)与电流狭窄窗(61)一起掩埋，成为脊(41)的顶部侧的第二掩埋层(60)的面形成为收敛在第二导电型第一包覆层(30)的面内。
半导体激光装置制造方法以及

[实用新型]掩埋DFB激光器-CN201822239701.7有效
发明人：单智发;张永 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种掩埋DFB激光器，其包括：依次层叠的第一导电层、有源层和第二导电层，部分第一导电层与所述有源层、所述第二导电层形成一凸台结构，所述第二导电层远离所述有源层的表面为所述凸台结构的顶面；一阻挡层，所述阻挡层,设置于所述凸台结构的顶面，所述阻挡层的中心部分经刻蚀形成一凹槽，且所述凹槽通至所述凸台结构的顶面；一第一掩埋层，所述第一掩埋层形成于所述凸台结构的侧面，并覆盖所述凸台结构的侧面和所述第一导电层；一第二掩埋层，所述第二掩埋层形成于所述第一掩埋层的表面；一第三导电层，所述第三导电层通过所述凹槽形成于所述凸台结构的顶面，且形成于所述第二掩埋层的表面。本实用新型还涉及所述掩埋激光器的制备方法。
凸台结构掩埋层顶面第二导电层第一导电层阻挡层源层掩埋本实用新型导电层凹槽形成依次层叠激光器侧面刻蚀制备覆盖

[发明专利]确定光栅掩埋层工艺参数的方法-CN201810319657.2有效
发明人：杨皓宇;李善文 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种确定光栅掩埋层工艺参数的方法。确定光栅掩埋层工艺参数的方法包括：制备光栅；定位测试点位置，利用原子力显微镜测试光栅形貌，记录测试点的前值信息；将样品放入金属有机物气相外延设备中进行模拟生长掩埋层；取出样品后再利用原子力显微镜测试光栅形貌，记录测试点的后值信息；比较模拟生长掩埋层后的测试点的前值信息与后值信息，调节工艺参数，得到最优工艺参数。通过对光栅进行模拟生长掩埋层，确定最优工艺参数。提高工艺参数的验证准确性，降低验证时间，可以有效的降低研发成本。
确定光栅掩埋工艺参数方法

[发明专利]基板结构、显示面板、触控面板-CN201811000448.8有效
发明人：张国峰;黄丹 -专利权人：武汉天马微电子有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种基板结构，包括：柔性基板，所述柔性基板包括层叠的第一薄膜和第一辅助层，所述第一辅助层中具有多个相连通的气孔；位于所述柔性基板一侧表面的掩埋层，从而可以利用所述第一辅助层中的多个气孔容纳所述第一薄膜中溢出的气体，降低所述第一薄膜中的气体向所述掩埋层一侧溢出的概率，缓解了所述第一薄膜中的气体向所述掩埋层一侧溢出时，在所述掩埋层和所述第一薄膜的接触面上形成鼓包的问题，降低了所述掩埋层因为该鼓包而发生断裂的概率，提高了所述基板结构的质量
板结显示面板

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