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[实用新型]低噪声放大器-CN201120257504.3有效
发明人：蒋德龙;任昌俊 -专利权人：成都九洲迪飞科技有限责任公司
申请日： 2011-07-20 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本实用新型的低噪声放大器，涉及电子技术领域，旨在解决传统低噪声放大器存在噪声偏高、在恶劣环境下性能恶化、输出驻波比难调等技术问题。本实用新型的低噪声放大器，隔离器一的输入端连接外部信号输入源，其输出端顺次串接前级超低噪声放大器、第二级超低噪声放大器、高通滤波器、低通滤波器、低噪声放大器一、低噪声放大器二和隔离器二后向外输出。
低噪声放大器

[实用新型]低噪声放大器-CN201020679265.6有效
发明人：李琛;王勇 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种低噪声放大器，用于实现无线传感器网络低噪声放大器模块的开关切换操作，其包括匹配网路、共源共栅放大电路、可调谐LC谐振电路以及开关电路，该开关电路连接至专门用于控制接收机处于工作/休息的控制位，通过该控制位是否切断本实用新型低噪声放大器的偏置状态来控制低噪声放大器的工作/休息，从而进一步节省整个接收机的功耗，通过后仿真证明，本实用新型低噪声放大器通过5ns就能完成由关闭到完全开启，通过1ns
低噪声放大器

[发明专利]低噪声放大器-CN201710237296.2在审
发明人：刘文永 -专利权人：江苏卓胜微电子有限公司
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种低噪声放大器，属于射频前端技术领域。该低噪声放大器包括输入匹配电路、大功率信号释放电路、第一晶体管、反馈电路；输入匹配电路与第一晶体管连接；第一晶体管连接有大功率信号释放电路和偏置电路；第一晶体管与反馈电路连接；负载电路与第一晶体管连接，大功率信号释放电路由两个二极管组合构成，每个二极管组合包括若干个串联的二极管，第一二极管组合和第二二极管组合并联；解决了相关技术中当射频前端接收到大功率信号时，大功率信号可能损坏低噪声放大器中第一晶体管的问题；达到了令低噪声放大器能够承受大功率信号，保证低噪声放大器不容易被损坏，延长了低噪声放大器的使用时间的效果。
低噪声放大器

[实用新型]低噪声放大器-CN201720380930.3有效
发明人：刘文永 -专利权人：江苏卓胜微电子股份有限公司
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低噪声放大器，属于射频前端技术领域。该低噪声放大器包括输入匹配电路、大功率信号释放电路、第一晶体管、反馈电路；输入匹配电路与第一晶体管连接；第一晶体管连接有大功率信号释放电路和偏置电路；第一晶体管与反馈电路连接；负载电路与第一晶体管连接，大功率信号释放电路由两个二极管组合构成，每个二极管组合包括若干个串联的二极管，第一二极管组合和第二二极管组合并联；解决了相关技术中当射频前端接收到大功率信号时，大功率信号可能损坏低噪声放大器中第一晶体管的问题；达到了令低噪声放大器能够承受大功率信号，保证低噪声放大器不容易被损坏，延长了低噪声放大器的使用时间的效果。
低噪声放大器

[发明专利]低噪声放大器-CN202210015972.2在审
发明人：郑金汪;李侃;段连成;李泰安;朱彪彪;党艳杰;滕云龙;孙鹏林;叶嘉蒙;亓巧云;张玉彬;钱永学;孟浩;蔡光杰;黄鑫 -专利权人：深圳昂瑞微电子技术有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H03F3/193 文献下载
摘要：本发明提供了一种低噪声放大器，所述低噪声放大器包括：放大器电路，被输入射频RF信号并且输出经放大的RF信号；以及电感调整电路，其被连接到所述放大器电路和接地节点之间，并且被配置为通过调整其中的电感来调整放大器电路的输出电感，从而使放大器电路的增益变化具有相同步长。
低噪声放大器

[发明专利]低噪声放大器-CN201710026217.3在审
发明人：李旋;冯昊;李小勇 -专利权人：上海韦玏微电子有限公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种低噪声放大器，包括放大器基本电路和旁路电路，所述放大器基本电路包括输入端电路和输出端电路；所述旁路电路包括旁路晶体管和旁路电容；所述旁路晶体管的源极与所述输入端电路电连接，所述旁路晶体管的漏极与所述旁路电容的一端电连接本发明提供的低噪声放大器，增设旁路电路，在低噪声放大器具体应用过程中，如果输入信号足够大，不需要放大处理接收端就能够识别，此时低噪声放大器可以切换到旁路模式以节省耗电；从而达到降低功耗的效果。
低噪声放大器旁路晶体管旁路电路旁路电容电连接放大器输出端电路输入端电路基本电路旁路控制放大处理降低功耗旁路模式应用过程接收端耗电漏极源极增设

[实用新型]低噪声放大器-CN201720043818.0有效
发明人：李旋;冯昊;李小勇 -专利权人：上海韦玏微电子有限公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低噪声放大器，包括放大器基本电路和旁路电路，所述放大器基本电路包括输入端电路和输出端电路；所述旁路电路包括旁路晶体管和旁路电容；所述旁路晶体管的源极与所述输入端电路电连接，所述旁路晶体管的漏极与所述旁路电容的一端电连接本实用新型提供的低噪声放大器，增设旁路电路，在低噪声放大器具体应用过程中，如果输入信号足够大，不需要放大处理接收端就能够识别，此时低噪声放大器可以切换到旁路模式以节省耗电；从而达到降低功耗的效果。
低噪声放大器

[发明专利]低噪声放大器-CN201310352358.6有效
发明人：黄清华;王宇晨;陈高鹏 -专利权人：锐迪科创微电子（北京）有限公司
申请日： 2013-08-14 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明涉及无线通信技术领域，公开了一种低噪声放大器，所述低噪声放大器采用共源共栅结构，包括一个跟随电容，所述跟随电容的两端分别连接共源结构MOS管的栅极和地。本发明的电路结构简单，功耗降低，能够有效提高输入三阶交调点IIP3，提高低噪声放大器的增益，而对接收系统中后级的噪声系数不产生影响，进而改善了线性度，能够从整体上优化低噪声放大器的性能。
低噪声放大器

[实用新型]低噪声放大器-CN201320494747.8有效
发明人：黄清华;王宇晨;陈高鹏 -专利权人：锐迪科创微电子（北京）有限公司
申请日： 2013-08-14 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及无线通信技术领域，公开了一种低噪声放大器，所述低噪声放大器采用共源共栅结构，包括一个跟随电容，所述跟随电容的两端分别连接共源结构MOS管的栅极和地。本实用新型的电路结构简单，功耗降低，能够有效提高输入三阶交调点IIP3，提高低噪声放大器的增益，而对接收系统中后级的噪声系数不产生影响，进而改善了线性度，能够从整体上优化低噪声放大器的性能。
低噪声放大器

[发明专利]低噪声放大器-CN201911389432.5有效
发明人：许俊;蔡新午;吴顺方;冯珅;史明甫;董泰伯 -专利权人：澜至电子科技（成都）有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本申请提供一种低噪声放大器。低噪声放大器包括前级放大器、多个第一差分放大器、多个第二差分放大器、信号加法器以及负载电路。前级放大器接收输入信号，放大所述输入信号以产生第一信号，所述输入信号与所述第一信号的相位相同。第一差分放大器接收第一输入差分信号对，依据第一差分信号对以产生第一输出差分信号对。第二差分放大器接收第二输入差分信号对，依据第二差分信号对以产生第二输出差分信号对。信号加法器使第一输出差分信号对与第二输出差分信号对相加。负载电路耦接信号加法器，依据加法结果以产生第三输出差分信号。低噪声放大器在信号相加和放大的过程中，消除了部分噪声，有效降低了整个电路的噪声系数，提升了信号质量。
低噪声放大器

[发明专利]低噪声放大器-CN201510315983.2在审
发明人：黄凡修;邱瑞杰;黄智文 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：一种具有噪声与线性度改善之低噪声放大器，包含有一放大晶体管及一辅助晶体管，该放大晶体管包含有一第一端，用来接收该低噪声放大器之一输入讯号；一第二端，用来输出该低噪声放大器之一输出讯号；以及一第三端。该辅助晶体管包含有一第一端；一第二端，耦于该放大晶体管之该第二端；以及一第三端，电性连接于该放大晶体管之该第一端。
低噪声放大器

[发明专利]低噪声放大器-CN200310102457.5有效
发明人：林盈熙;屈庆勋 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2003-10-21 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种低噪声放大器，包括第一及第二晶体管、电感器以及电阻器。其中，电感器连接到RF输出节点以及工作电压之间，该RF输出节点具有电容通过该电感器与该电容使该低噪声放大器的谐振频率比工作频率约大1.5倍，其中该电容可为该RF输出节点的寄生电容或为一般电容。该低噪声放大器连接到独立的接地通路，该多个接地通路通过芯片焊线提供寄生电感。
低噪声放大器

[发明专利]放大器-CN201280024061.0无效
发明人： J·J·埃基南;J·J·瑞基;J·K·考科武里 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H03F3/195 文献下载
摘要：本发明涉及一种可配置低噪声放大器电路，该可配置低噪声放大器电路可在第一拓扑和第二拓扑之间进行配置，在第一拓扑中，低噪声放大器电路包括简并电感，由此低噪声放大器电路作为电感简并的低噪声放大器进行操作，在第二拓扑中，低噪声放大器电路包括反馈电阻，由此低噪声放大器电路作为电阻反馈低噪声放大器进行操作。
放大器

[发明专利]低噪声放大器-CN200910149518.0有效
发明人：郭明清;郭建男;高小文 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-06-25 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H03F3/189 文献下载
摘要：本发明涉及一种低噪声放大器，其包括放大器核心电路与直流偏压单元。放大器核心电路用以接收并处理单一输入信号或一对差分输入信号，从而输出一对差分输出信号。直流偏压单元耦接放大器核心电路，且依据其本身的电路组态而对一信号源进行处理，从而产生所述单一输入信号或所述一对差分输入信号。即通过改变直流偏压单元的电路组态，低噪声放大器还是可以同时支持单端与双端这两种接收方式。
低噪声放大器

[发明专利]低噪声放大器-CN202110741554.7在审
发明人：吕盈苍;王储 -专利权人：晶晨半导体（西安）有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：低噪声放大器，包括：输入端，适于输入信号；多个输出支路，其中任意一个输出支路，均与所述输入端、地、电源端分别耦接，适于对所述输入信号进行放大，得到相应的放大信号；噪声消除单元，耦接于所述多个输出支路中的任意两个输出支路之间，适于消除所耦接的任意两个输出支路之间相互传递的噪声信号。采用上述低噪声放大器，能够降低各输出支路的噪声。
低噪声放大器

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