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[发明专利]绝缘栅双极型晶体管的过流保护方法和装置-CN200810108659.3有效
发明人：张贺军;韦世敏;杨广明;周旭光 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：提供了一种绝缘栅双极型晶体管的过流保护方法和装置。所述方法包括获取绝缘栅双极型晶体管的集射电压，根据该集射电压判断是否出现过流，当判断出现过流时，关断绝缘栅双极型晶体管；其中，所述集射电压为一种修正的集射电压V_ce′，该修正的集射电压V_ce′为参考结温下与一种集电极电流I_c对应的集射电压，该集电极电流I_c为与当前结温下绝缘栅双极型晶体管的集射电压V_ce所对应的集电极电流，其中当前结温不等于参考结温。本发明提供的IGBT的过流保护方法和装置，由于结合结温信息进行过流判断，对过流的判断较之现有的过流保护方法更为准确。
绝缘栅双极型晶体管保护方法装置

[发明专利]一种基于GeSe的双异质结CMOS型光电探测器及制作方法-CN202211364237.9在审
发明人：刘向;郭其华;陶治 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明涉及微电子与光电子的技术领域，具体涉及一种基于GeSe的双异质结CMOS型光电探测器及制作方法，包括第一栅极、第二栅极、绝缘层、第一源极、第二源极、第一P型GeSe半导体有源层、第一N型半导体感光层、第二N型半导体感光层、第二P型GeSe半导体有源层、第一漏极、第二漏极，所述PN异质结由P型半导体有源层、N型半导体感光层接触形成，所述源极、漏极分别位于PN异质结的两侧，且所述第一漏极与第二漏极相连本发明新颖地提出了以GeSe为p型有源层材料构建双异质结的CMOS反相器，并给出3例相应实例。反相器工作性能优异，具有高载流子迁移率、高探测率以及高光响应率，可以实现栅极电压可控。
一种基于 gese 双异质结 cmos 光电探测器制作方法

[发明专利]超级结绝缘栅双极型晶体管结构及其制作方法-CN202010707869.5在审
发明人：卢烁今 -专利权人：苏州华太电子技术有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超级结绝缘栅双极型晶体管结构及其制作方法。所述超级结绝缘栅双极型晶体管结构包括沿第一方向依次设置的集电区、第一外延层和第二外延层，所述集电区与集电极配合设置；所述第一外延层内分布有间隔设置的多个超级结结构，所述超级结结构包括沿第一方向依次设置的两个以上的超级结，且所述两个以上的超级结于第二方向上相互错开；所述第二外延层内分布有间隔设置的多个第一沟槽，每一第一沟槽内设置有一栅极。本发明提供的超级结绝缘栅双极型晶体管结构可以降低导通时的饱和压降，以及，本发明实施例提供的超级结绝缘栅双极型晶体管结构可以加快器件关断时漂移区内空穴的复合速度、减少拖尾电流、降低了关断损耗。
超级绝缘栅双极型晶体管结构及其制作方法

[实用新型]电荷回收电路、供电电路以及开关电源电路系统-CN201822145517.6有效
发明人：文鹏;张波 -专利权人：深圳市必易微电子有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H03K17/041 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种电荷回收电路、供电电路以及开关电源电路系统，所述电荷回收电路包括：第一单向导通控制器件、能量存储器件和第一开关；所述第一单向导通控制器件的一端用于耦接一双极结型晶体管BJT的基极，另一端耦接能量存储器件；第一开关耦接双极结型晶体管BJT的发射极。在双极结型晶体管BJT需要由导通状态变为关断时，关断第一开关，电流经由双极结型晶体管BJT的集电极、基极、第一单向导通控制器件流向能量存储器件，为能量存储器件充电。
双极结型晶体管电荷回收电路能量存储器件开关电源电路系统单向导通控制第一开关供电电路关断耦接本实用新型有效降低系统导通状态基极电荷发射极集电极可回收能耗充电

[发明专利]一种磷化铟双异质结双极型晶体管制造方法-CN201911408282.8有效
发明人：任春江;程伟 -专利权人：中电国基南方集团有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷化铟双异质结双极型晶体管的制造方法，包括：形成发射极电极后以其为掩膜进行选择性腐蚀获得比发射极电极缩小后的发射极台面；填充第一介质层到发射极电极下发射极台面的侧壁形成对发射极电极的支撑保护本发明有助于提升磷化铟双异质结双极型晶体管性能的同时保证最终成品率，且可操作性和通用性强，适用于微米级到亚微米级等各种发射极尺寸的磷化铟双异质结双极型晶体管制造。
一种磷化铟双异质结双极型晶体管制造方法

[发明专利]用于低输入电压带隙基准体系结构和电路的方法和装置-CN201580042129.1在审
发明人： A·斯利瓦斯塔瓦 -专利权人：皮斯凯克股份有限公司
申请日： 2015-08-06 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G05F1/46 文献下载
摘要：在一些实施例中，装置包括带隙基准电路，该带隙基准电路具有第一双极结型晶体管(BJT)，可以从具有端子电压的节点接收电流以及可以输出基极发射极电压。装置还包括第二双极结型晶体管(BJT)，该第二双极结型晶体管(BJT)具有大于第一BJT的器件宽度的器件宽度。第二BJT可以接收来自具有端子电压的节点的电流以及输出基极发射极电压。在这种实施例中，装置还包括基准产生电路，操作地耦合至第一BJT和第二BJT，其中基准产生电路可以基于第一BJT的基极发射极电压和第二BJT的基极发射极电压产生带隙基准电压。
用于输入电压基准体系结构电路方法装置

[发明专利]包括晶闸管和双极结型晶体管的功率半导体器件-CN202180026333.X在审
发明人： T·维克斯特罗 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种功率半导体器件(100)，包括集成在同一半导体晶片(110)中的晶闸管结构(50)和双极结型晶体管(60)。双极结型晶体管(60)包括与栅极电极(161)电分离的基极电极(171)、布置在第一主侧(111)上的第三主电极(172)、和布置在第二主侧(112)上的第四主电极(173)。基极电极(171)对应于双极结型晶体管(60)的基极端子。第三主电极(172)对应于双极结型晶体管(60)的集电极端子和发射极端子中的一者，并且第四主电极(173)对应于双极结型晶体管(60)的集电极端子和发射极端子中的另一者。
包括晶闸管双极结型晶体管功率半导体器件

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法-CN201310058786.8在审
发明人：褚为利;朱阳军;田晓丽;卢烁今;胡爱斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-02-25 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，所述绝缘栅双极型晶体管包括：集电区；位于所述集电区表面上的超结漂移区；位于所述超结漂移区表面上的有源区以及第一终端结构，所述第一终端结构包围所述有源区；包围所述超结漂移区以及第一终端结构的第二终端结构本申请所述绝缘栅双极型晶体管设置有第二终端结构，该第二终端结构作为绝缘栅双极型晶体管的反向耐压终端结构，能有效提高绝缘栅双极型晶体管承受反向耐压的能力。
一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

[发明专利]一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件-CN202111139200.1在审
发明人：陈伟中;周铸;秦海峰 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件由双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区组成，利用二氧化硅隔离层将双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区分离，双侧面超结槽栅区由槽栅P+接触区、P型辅助耗尽区、漏极N‑buffer区、漏极N+区、漏极P+区组成，LDMOS导电区由源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区、漏极N‑buffer区、漏极N+区组成。本发明在传统LDMOS器件结构上，使用双侧面超结槽栅技术，在保证获得较高的击穿电压下，能够大幅降低器件的比导通电阻和增大器件的跨导，最终提高器件的Baliga优值FOM，并打破了硅极限。
一种具有侧面超结槽栅 ldmos 器件

[发明专利]一种高压功率器件的阶梯结终端扩展结构-CN201811208426.0有效
发明人：王颖;黄意飞;曹菲;于成浩 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出一种高压功率器件的阶梯结终端扩展结构，包括二极管，所述二极管从下至上依次设有阴极、浓度N型掺杂SiC衬底、低浓度N型掺杂SiC外延层、高浓度P型掺杂SiC欧姆接触区、P型掺杂SiC阶梯结终端扩展区、阳极和氧化层，所述P型掺杂SiC阶梯结终端扩展区由高浓度结终端扩展区和低浓度结终端扩展区组成，所述高浓度结终端扩展区和低浓度结终端扩展区均为阶梯型；本发明提出通过结终端扩展结构中一个具有阶梯型的双区结终端扩展区，在工艺不变的情况下提高了双区P型掺杂SiC阶梯结终端扩展区结构的稳定性，使得本发明的结构耐压能力好，同时能够容忍更高浓度的结终端扩展区。
一种高压功率器件阶梯终端扩展结构

[发明专利]一种小型双列式桥堆-CN201110173913.X无效
发明人：林茂昌;刘天明 -专利权人：上海金克半导体设备有限公司
申请日： 2011-06-24 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开的一种小型双列式桥堆，包括一个封装体和四个二极管整流二极管以及四个引脚，其四个整流二极管由两条平行排列在封装体内的双晶PN结芯片构成，其中第一条双晶PN结芯片的底面为P型区，顶面两端为N型区；第二条双晶PN结芯片的底面为N型区，顶面两端为P型区；第一、二引脚分别与第一、二双晶PN结芯片的底面固定连接，构成直流输出正负极，第三引脚与第一双晶PN结芯片顶面上的一个N型区和第二双晶PN结芯片顶面上的一个P型区固定连接，第四引脚与第一双晶PN结芯片顶面上的另一个N型区和第二双晶PN结芯片顶面上的另一个P型区固定连接，第三、四引脚构成交流输入端。本发明双晶PN结芯片的品种只需两种，且对摆放位置没有任何要求，提高了整个封装工效。
一种小型双列式桥堆

[实用新型]一种小型双列式桥堆-CN201120218762.0有效
发明人：林茂昌;刘天明 -专利权人：上海金克半导体设备有限公司
申请日： 2011-06-24 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种小型双列式桥堆，包括一个封装体和四个二极管整流二极管以及四个引脚，其四个整流二极管由两条平行排列在封装体内的双晶PN结芯片构成，其中第一条双晶PN结芯片的底面为P型区，顶面两端为N型区；第二条双晶PN结芯片的底面为N型区，顶面两端为P型区；第一、二引脚分别与第一、二双晶PN结芯片的底面固定连接，构成直流输出正负极，第三引脚与第一双晶PN结芯片顶面上的一个N型区和第二双晶PN结芯片顶面上的一个P型区固定连接，第四引脚与第一双晶PN结芯片顶面上的另一个N型区和第二双晶PN结芯片顶面上的另一个P型区固定连接，第三、四引脚构成交流输入端。本实用新型双晶PN结芯片的品种只需两种，且对摆放位置没有任何要求，提高了整个封装工效。
一种小型双列式桥堆

[发明专利]垂直双极结型晶体管及其制造方法-CN201410736093.4有效
发明人：弗朗索瓦·赫伯特;方演燮;赵城敏;金胄浩 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及一种垂直双极结型晶体管及其制造方法。所述垂直双极结型晶体管包括：高浓度掺杂区发射极引出端，设置在半导体基板上；高浓度掺杂区集电极引出端，设置在半导体基板上；高浓度掺杂区基极引出端，设置在发射极引出端和集电极引出端之间；具有第一掺杂浓度的漂移区，围绕发射极引出端并且比基极引出端或集电极引出端的任何一个深；基极层，设置在漂移区下方；集电极层，与基极层接触，集电极层具有比第一掺杂浓度高的第二掺杂浓度。使用低成本BCD工艺，可降低垂直双极结型晶体管的制造成本并且可提高电流增益。
垂直双极结型晶体管及其制造方法

[发明专利]一种超结逆导型栅控双极型器件-CN201911310477.9有效
发明人：郑崇芝;李青岭;夏云;陈万军 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种超结逆导型栅控双极型器件。与传统超结IGBT相比，本发明器件采用介质隔离层将器件沿超结的纵向分界线分为两部分，第一漂移区一侧正向导通时不参与导电，反向导通时作为二极管起续流作用。第二漂移区一侧，正向导通时为双极导电，内部发生电导调制效应，因此器件导通压降较低，而在反向导通时不参与导电。本发明的有益成果：正向导通时为双极型导电，具有反向导通能力。
一种超结逆导型栅控双极型器件

[发明专利]双极结型晶体管及其形成方法-CN201410308835.3有效
发明人：程勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：一种双极结型晶体管及其形成方法，其中双极结型晶体管的形成方法包括：提供衬底；对衬底进行第一掺杂形成集电区；对衬底进行第二掺杂形成基区，基区的掺杂类型与集电区的掺杂类型相反，基区位于集电区内，且基区底部高于集电区底部本发明增加了发射区的面积，从而提高了双极结型晶体管的发射效率，以增加双极结型晶体管的工作电流。
基区隔离结构双极结型晶体管掺杂类型发射区集电区衬底掺杂侧壁表面包围顶部表面发射效率工作电流暴露刻蚀