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[发明专利]异质结双极型晶体管及其制作方法-CN202211083876.8在审
发明人：张韵;王欣远;张连;高幸发 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结双极型晶体管，包括：衬底；沟道层，形成在衬底上，沟道层上形成有向下凹陷的台面；势垒层，形成在沟道层的未形成有台面的区域上，势垒层适用于在沟道层内极化产生二维电子气层；p型基区，形成在势垒层上的部分区域；n型发射区，形成在p型基区上的部分区域；漏极，形成在沟道层的台面上，漏极适用于与二维电子气层形成欧姆接触；其中，p型基区与n型发射区形成异质结结构，异质结结构适用于经过势垒层向沟道层输入电流，二维电子气层适用于将电流传输至漏极本发明还包括一种上述的异质结双极型晶体管的制作方法。
异质结双极型晶体管及其制作方法

[发明专利]一种具有载流子存储效应的超结IGBT-CN201711445708.8有效
发明人：黄铭敏 -专利权人：四川大学
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种超结IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）器件，其耐压层中第二导电类型的半导体区通过一个基极开路的双极型晶体管与发射极相连接，所述基极开路的双极型晶体管以及所述耐压层中第二导电类型的半导体区通过一个槽型栅极结构与基区隔离，所述基极开路的双极型晶体管和所述槽型栅极结构也构成了一个衬底浮空的MISFET（Metal‑Insulator‑SemiconductorField Effect Transistor，金属‑绝缘体‑半导体场效应晶体管），所述槽型栅极结构的电极可以与栅极或发射极相连。在正向导通时，所述基极开路的双极型晶体管可以帮助增强耐压区中的载流子存储效应，从而降低导通压降。
一种具有载流子存储效应 igbt

[发明专利]一种超级结绝缘栅双极型晶体管结构及其制作方法-CN202111408640.2在审
发明人：刘倩;卢烁今 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超级结绝缘栅双极型晶体管结构及其制作方法。所述晶体管结构包括第一导电类型的漂移区，所述漂移区内间隔分布有多个超级结区，其中，所述超级结区包括沿载流子的移动方向依次设置的第二导电类型的第一半导体、第一导电类型的第二半导体和第二导电类型的第三半导体，所述第二半导体至少用于与第一半导体形成势垒，而使流入超级结区的载流子积累在第一半导体中。本发明提供的超级结绝缘栅双极型晶体管结构，导通压降小，导通损耗低。
一种超级绝缘栅双极型晶体管结构及其制作方法

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制造方法-CN201110388471.0有效
发明人：苟鸿雁 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明的绝缘栅双极型晶体管包括集电极、漂移区、发射极以及栅极；其中，在所述发射极中布置了沟槽填充区域，所述沟槽底部位于漂移区，且靠近发射极与漂移区的PN结处，所述沟槽填充区域中自底部到顶部依次填充了氧化物、多晶硅以及金属，所述金属形成了沟槽电极；并且所述沟槽电极与所述发射极相连接。根据本发明，当沟槽电极接地，最下端的集电极电极接正电压时，在N型的漂移区与垂直的旁路氧化硅界面处会反型出空穴，因此与传统的结构相比，可以提高发射结处的空穴浓度；因此在开态时，在集电极上加正压扫描时，会有更多的空穴参与导电，从而提高了绝缘栅双极型晶体管开态时的电导率。
绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

[发明专利]一种利用rubrene/C60双层异质结制备双极型有机场效应管的方法-CN201710734375.4在审
发明人：邓金祥;张浩;潘志伟;陈亮 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：一种利用rubrene/C60双层异质结制备双极型有机场效应管的方法属于微电子有机器件领域。本发明分别采用rubrene和C60作为p型和n型材料制备rubrene/C60异质结双极场效应管，提高AOFET中的电子和空穴的载流子迁移率。本发明制备了一种新的双极有机场效应管，场效应管均有较高的电子和空穴迁移率。所述制备方法仅为常规的蒸镀、PVT、退火等工艺，便于实现且价格低廉。
一种利用 rubrene c60 双层异质结制备双极型有机场效应方法

[发明专利]具有背栅极的横向双极结型晶体管-CN202211104007.9在审
发明人：宇宏;S·M·潘迪 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明涉及具有背栅极的横向双极结型晶体管，揭示双极结型晶体管的结构以及形成双极结型晶体管的结构的方法。
具有栅极横向双极结型晶体管

[发明专利]半导体装置-CN201210365308.7有效
发明人：大竹诚治;武田安弘;宫本优太 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：由适合的杂质浓度的N+型嵌入层（2）和P+型嵌入层（3）形成的PN结二极管、将与P+型扩散层（6）连接的P+型嵌入层（3b）为发射极且将N-型外延层（4）为基极且将P+型嵌入层（3）为集电极的寄生PNP双极型晶体管构筑ESD保护元件。P+型嵌入层（3）与阳极电极连接，P+型扩散层和围绕它的N+型扩散层（7）与阴极电极连接。如果阴极电极被施加正的大静电，则PN结二极管击穿，通过其放电电流（I1）导致N-型外延层的电位低于P+型嵌入层（3），寄生PNP双极型晶体管导通，流过大的放电电流（I2）。
半导体装置

[发明专利]改进可调节的ESD保护器件-CN201210292465.X有效
发明人：郭锡瑜;陈纪光 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：该器件包括双极结型晶体管，该双极结型晶体管包括集电极、基极和发射极。集电极包括第一掺杂元件和在第一掺杂元件上设置的更重掺杂的第二掺杂元件。第一掺杂元件和第二掺杂元件分别具有第一掺杂极性。p-n结形成在第三掺杂元件与第一掺杂元件和第二掺杂元件中的一个之间。发射极形成在基极上方。发射极包括具有第一掺杂极性并与第三掺杂元件形成p-n结的第四掺杂元件。
改进调节 esd 保护器件

[发明专利]一种载流子存储增强的绝缘栅双极型晶体管-CN201710404322.6有效
发明人：黄铭敏 -专利权人：四川大学
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件，发射区采用了具有比其它半导体区更高禁带宽度的半导体材料，基区与发射区形成正向导通电压较高的异质PN结，基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向串联的二极管或两个以上同向串联的二极管相连，基区与发射极之间的二极管通路的正向导通电压小于基区与发射区形成的异质PN结的正向导通电压。在正向导通时，基区与发射极之间的二极管导通，基区的电位抬高，从而使漂移区的少数载流子在靠近基区附近的存储效果得到增强。与传统绝缘栅双极型晶体管器件相比，本发明的绝缘栅双极型晶体管器件可以获得更低的导通压降。
一种载流子存储增强绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种双极型晶体管的制作方法-CN201110032428.0有效
发明人：吴小利 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：本发明涉及一种与CMOS晶体管制备过程相兼容的双极型晶体管的制作方法，在所述CMOS晶体管制备区中形成栅极多晶硅的过程同时，在所述双极型晶体管制备区中形成发射极，对于双极型晶体管通常需要对非本征基区进行高掺杂以便与电极形成好的欧姆接触，借用CMOS晶体管自对准高掺离子注入实现自对准的非本征基区，并对所述发射极进行掺杂离子注入和推进，从而掺杂离子均匀地推进至所述基极区形成发射结，从而使发射结的厚度更加均匀，同时在刻蚀多晶硅层后借用CMOS
一种双极型晶体管制作方法

[发明专利]LED电源-CN200910246193.8有效
发明人：刘大银 -专利权人：刘大银
申请日： 2009-12-05 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：一种LED电源，包括：整流电路，所述整流电路的一输出端连接于一第一场效应晶体管的漏极和一第一电阻，所述第一场效应晶体管的漏极和栅极之间连接一第二电阻，所述第一电阻的另一端连接于一第一齐纳二极管的阴极，所述第一齐纳二极管的阳极连接于一第二齐纳二极管的阴极、一第三电阻的一端、一第一双极结型晶体管的基极，所述第一场效应晶体管的栅极和所述第一双极结型晶体管的集电极连接；所述第一场效应晶体管的源极连接于一恒流源电路的一输入端，所述恒流源电路的另一输入端、所述第一双极结型晶体管的发射极、所述第三电阻的另一端、所述第二齐纳二极管的阳极同时连接于所述整流电路的另一输出端。
led 电源

[发明专利]一种减小磷化铟双异质结双极型晶体管B-C结电容方法-CN201110141914.6有效
发明人：程伟;赵岩;陈辰 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2011-05-30 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明是一种减小磷化铟双异质结双极型晶体管B-C结电容方法；光刻发射极图形，蒸发金属并剥离形成发射极；利用发射极金属为掩膜，腐蚀掉发射区；光刻基极图形，蒸发金属并剥离形成基极；光刻基极台面图形，利用光刻胶保护住基极金属以及发射极金属Hcl腐蚀液腐蚀掉InP集电区；利用H3PO4和H2O2的混合腐蚀液腐蚀掉InGaAs内切辅助层，适当增大腐蚀时间以造成内切；利用Hcl腐蚀液腐对InP集电区进行二次腐蚀；利用丙酮和乙醇去除基极金属和发射极金属上覆盖的光刻胶；优点：有效增大磷化铟双异质结双极型晶体管集电区的内切，从而减小B-C结电容。
一种减小磷化铟双异质结双极型晶体管电容方法

[发明专利]一种压电双极型晶体管-CN201610853624.7有效
发明人：张岩;赵子铭 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L41/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电双极型晶体管，其包括依次设置在半导体基板上的为n型的发射区、为p型的基区和为n型的集电区；基区为压电半导体，发射区的掺杂浓度高于基区的掺杂浓度；基区与集电区之间形成有一npn结或pnp结；该压电双极型晶体管采用npn结或pnp结的结构，与现有技术中压电半导体pn结相比，能够在相同的应变下产生更大的电流增益，进而增大其信号的输出，从而大幅度提高应变传感灵敏度，可提高3到4个量级，或在同比灵敏度下大幅降低器件功耗
一种压电双极型晶体管

[发明专利]异质结双极型晶体管及其制造方法-CN200410031807.8无效
发明人：村山启一;田村彰良;能米雅信 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-03-30 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明提供满足伴随高输出化而要求的高耐破坏化的异质结双极型晶体管，该异质结双极型晶体管具有：由GaAs构成的n型子集电极层(110)；在子集电极层(110)上形成的、由比子集电极层(110)的雪崩系数小的半导体材料构成的n型第1集电极层(121)；在第1集电极层(121)上形成的、比子集电极层(110)的杂质浓度低的n型或者i型GaAs构成的第2集电极层(132)；在第2集电极层(132)上形成的、由GaAs构成的P型基极层(133)；在基极层(133)上形成的、由比基极层(133)的带隙大的半导体材料构成的发射极层(134)。
异质结双极型晶体管及其制造方法

[发明专利]一种光侦测薄膜、器件、显示装置、光敏二极管的制备方法-CN201710348713.0有效
发明人：黄建东 -专利权人：上海耕岩智能科技有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明提供了一种光侦测薄膜、器件、显示装置、光敏二极管的制备方法，光侦测薄膜包括光侦测二极管区域，所述光侦测二极管区域包括光敏二极管，每一光敏二极管电性连接至其对应的该薄膜晶体管，所述光侦测二极管区域的每一光敏二极管是由双结或双结以上p型/i型/n型结构串接堆叠形成。光电二极管第一层p型/i型/n型材料为非晶硅结构，第二p型/i型/n型材料或第二层以上的p型/i型/n型材料可以为微晶硅结构、或是掺有可扩展光敏波长范围之非结晶化合物材料。相较于采用只包含一层p型/i型/n型结构的光侦测薄膜的器件，本发明可以有效提高器件的光电转换量子效率以及拓展光侦测的波长范围。
一种侦测薄膜器件显示装置光敏二极管制备方法

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