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[发明专利]半导体器件及其制备方法、半导体晶圆-CN202310902084.7在审
发明人：樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法、半导体晶圆。半导体器件具有第一器件区域和第二器件区域，包括第一、二结构层及第一、二组电极结构。第一结构层的材料为金刚石，第一结构层中位于第一器件区域和第二器件区域的两部分电性隔离；位于第二器件区域的第一结构层经过氢终端处理；第二结构层设于第一结构层的第一器件区域上，与第一结构层形成异质结结构；第二结构层的材料为AlN；第一组电极结构包括第一源极、第一栅极及第一漏极，设于第一器件区域并至少部分位于第二结构层背离第一结构层的一侧；第二组电极结构包括第二源极、第二栅极及第二漏极，设于位于第二器件区域的第一结构层之上，并与第一组电极结构位于第一结构层的同侧。
半导体器件及其制备方法半导体

[发明专利]埋层碳化硅器件及其制造方法-CN202311059640.5在审
发明人：梁帅;樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-08-21 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种埋层碳化硅器件及其制造方法，其中，埋层碳化硅器件的制造方法通过在多个PW区之间的jfet区域下方设置埋层结构和高浓度N+区结构，来将电流集中于jfet区域下方，并降低其损耗，从而提高了埋层碳化硅器件的电子迁移率，降低了其比导通电阻；在埋层碳化硅器件导通时，电子电流经沟道反型层、积累层及jfet区域下方的N+区流向漏极，由于N+区不会被耗尽，低压导通时，该区域的电位与漏极电压保持线性相关。由于栅极下方电子积累层低的电阻，加载在反型层沟道上的电压完全由N+区的电位支配而不受N+区与PW区之间的JFET效应影响，因此导通时，反型层沟道上的电压相比于普通平面栅MOSFET更高，提高了埋层碳化硅器件的阈值电压和电流能力。
碳化硅器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法、半导体器件及半导体晶圆-CN202310801556.X在审
发明人：樊永辉;朱雷;刘国梁;何溢勇;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制备方法、半导体器件及半导体晶圆。半导体结构，包括第一结构层及第二结构层。第一结构层的材料为金刚石，第二结构层的材料为AlN，第一结构层和第二结构层形成异质结结构。上述异质结结构，在第一结构层和第二结构层的界面处形成二维电子气，与传统的半导体器件依靠半导体材料中的自由电子从N型半导体向金属移动来实现半导体器件的导通相比，本申请提供的半导体结构中，第一结构层与第二结构层的界面处形成的二维电子气具有更高的电子迁移率和更高的电子密度，使得半导体器件具有更高的电流密度和更高的输出功率、更快的开关速度、更低的正向导通压降、更低的反向电流及更高的工作电压。
半导体结构及其制备方法半导体器件

[发明专利]薄膜体声波滤波器、薄膜体声波谐振器及其制造方法-CN202310747880.8在审
发明人：张汪根;樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H03H9/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜体声波滤波器、薄膜体声波谐振器及其制造方法。其中，薄膜体声波谐振器的制造方法将压电层的一侧设置为Bragg反射层，通过设计交替层叠设置的高阻抗层和低阻抗层，使机械波在Bragg反射层中多次反射，利用反射波之间的干涉效应有效的将压电层产生的机械波反射回压电层，从而减少了机电损耗；键合层和第二衬底层之间采用Si‑Si键合技术键合，摒弃了传统晶圆级封装技术中的共晶键合技术的滤波器在电磁应用环境下产生的寄生电容效应，无需传统晶圆级封装中的共晶键合所需要的双面镀Au，解决了材料成本高的问题，同时避免了传统晶圆级封装工艺中的双面套准技术，降低了工艺难度，提升了生产效率。
薄膜声波滤波器谐振器及其制造方法

[发明专利]射频模组测试控制装置及其控制方法-CN202310891012.7在审
发明人：虞民洪;林甲富;高智浩;吕有泳;贺本政;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H04B17/00 文献下载
摘要：本申请提供一种射频模组测试控制装置及其控制方法。该射频模组测试控制装置包括RFFE控制器、上位机及测试设备。RFFE控制器分别与上位机及射频模组通信连接，RFFE控制器具有触发输入端口和触发输出端口，测试设备与射频模组通信连接。上位机向RFFE控制器发送命令序列；RFFE控制器对命令序列进行缓存；RFFE控制器通过触发输入端口接收外部的触发输入信号，并基于触发输入信号来控制向射频模组发送命令序列；RFFE控制器在命令序列发送完成之后，通过触发输出端口向测试设备发送触发输出信号以通知测试设备当前命令序列发送已完成，可对射频模组进行相应的测试操作。本申请能够解决MIPI设备速度慢、延时等问题。
射频模组测试控制装置及其方法

[发明专利]碳化硅器件及其制备方法-CN202310983474.1在审
发明人：梁帅;樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅器件及其制备方法，其中，碳化硅器件的制备方法在碳化硅器件的制备过程中在栅极氧化层与沟槽之间制备了一层P+保护层，同时将栅极氧化层的材质更换。本发明通过在碳化硅器件沟槽处设置一层P型杂质形成的P+保护层用于保护栅极介质的拐角处，同时将栅极氧化层的材质更换为Al2O3、SiN或铪基材料，上述材料具有更高的介电常数，可以在相同的厚度下拥有更高的临界击穿电场，使得栅极氧化层不易被击穿，减小栅极氧化层被提前击穿的概率。
碳化硅器件及其制备方法

[发明专利]一种简易的芯片拔线装置及方法-CN202310682546.9在审
发明人：陈梓源;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种简易芯片拔线装置，包括挑线工作台和挑线系统。所述挑线工作台包括载物台，在载物台上有平台，需要拔线的芯片就放置在平台上；在平台上方有一吸嘴对准平台，吸嘴连接真空腔，真空腔连接第一空压机，第一空压机让吸嘴产生向上的吸力；在平台侧面有一电子显微镜对准平台。所述挑线系统包括挑线头，挑线头可拆卸式地装配除线头；挑线头通过操作杆与按压瓣相连，松开按压瓣即打开挑线头和松开除线头，合上按压瓣即合紧挑线头和夹紧除线头。本发明通过吸力将断线吸起，使断线呈竖直状态，再用除线头夹住断线并拔除，极大地降低了拔线难度。
一种简易芯片线装方法

[发明专利]碳化硅终端及其制造方法-CN202310632121.7在审
发明人：梁帅;樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅终端及其制造方法，其中，碳化硅终端的制造方法包括以下步骤：提供基底，沿外延层的宽度方向刻蚀形成多个凹槽，以使外延层形成多个沿宽度方向间隔设置的外延柱；在衬底层上生长第三预设浓度的P型SiC，形成沟道层；在沟道层的顶部形成多个交替设置的N+区和P+区；在沟道层刻蚀形成栅极槽；在栅极槽内制备栅电极；在沟道层的顶部沉积金属形成源电极，在衬底层的底部沉积金属形成漏电极。本发明在沟道层的顶部设置多个交替设置的N+区和P+区形成超结结构，超结结构的多个PN结相互耗尽，可以在长度较低的情况下获得和非超结器件相同的耐压值，也可以在浓度较高的情况下获得和非超结器件相同的耐压值，从而减小导通电阻。
碳化硅终端及其制造方法

[发明专利]时钟信号的处理方法、装置、设备以及存储介质-CN202310629120.7在审
发明人：许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G06F11/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种时钟信号的处理方法、装置、设备以及存储介质，其中，方法包括如下步骤：输出多组时钟信号，其中，时钟信号的组数为偶数组且组数大于或等于四组；多组时钟信号两两一对形成参照时钟信号队列；比对各参照时钟信号队列中的两组时钟信号，其中，若两组时钟信号满足预设条件，则输出正确信息，若两组时钟信号不满足预设条件，则输出错误信息；将输出错误信息的参照时钟信息队列中的两个时钟信号调整至与输出正确信息的参照时钟信息队列中的两个时钟信号相对应。实现了对异常的时钟信号进行调整，进而保证了相关的电子组件的同步运作，避免了时钟信号异常对相关电子组件原本的功能的影响。
时钟信号处理方法装置设备以及存储介质

[发明专利]语音芯片的测试方法、模块、装置和储存介质-CN202310657395.1在审
发明人：许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G10L15/01 文献下载
摘要：本发明提供一种语音芯片的测试方法、模块、装置和储存介质，其中，语音芯片的测试方法包括以下步骤：采集第一待检测音频数据，并记录第一待检测音频数据的标准文本，其中，第一待检测音频数据包括普通话和多种方言；将第一待检测音频数据输入语音芯片进行测试，获得第一测试结果；采集第二待检测音频数据，其中，第二待检测音频数据包括普通语音和唤醒关键词语音；将第二待检测音频数据输入语音芯片进行测试，获得第二测试结果。本发明通过两次检测，判断语音芯片的基本语言识别功能和唤醒功能，从而在出厂前检测其语音识别准确性，可以对语音芯片进行评级以及对不及格的语音芯片进行改进，防止劣质语音芯片进入市场，提高了用户的体验感。
语音芯片测试方法模块装置储存介质

[发明专利]语音通信方法、设备、系统和储存介质-CN202310676879.0在审
发明人：许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G10L25/03 文献下载
摘要：本发明提供一种语音通信方法、设备、系统和储存介质，其中，语音通信方法包括以下步骤：将两个语音通信装置通过服务器通信连接；分别采集各语音通信装置录入的音频信号并发送给另一个语音通信装置；监测语音通信装置与服务器之间的通信连接状态，当任一语音通信装置与服务器之间的通信连接断开时，录音保存语音通信装置录入的音频信号获得第一录音数据；将第一录音数据发送给服务器，并通过服务器将第一录音数据发送至另一语音通信装置。本发明通过录音保存语音通信装置与服务器断开连接的时间段的第一录音数据，保留了沟通信息，不会产生信息丢失，同时无需双方重新沟通，节约了时间，提高了沟通效率。
语音通信方法设备系统储存介质

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202310547943.5在审
发明人：何溢勇;樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构及半导体结构的制备方法。该半导体结构的制备方法可以包括：形成外延结构，所述外延结构包括层叠设置的衬底、沟道层以及势垒层；所述外延结构包括待改性区；所述沟道层和所述势垒层的材料选自Ⅲ‑Ⅴ族化合物；采用飞秒激光照射所述待改性区；采用清洗液对经过照射的外延结构进行清洗；在预设温度下通过蚀刻液对经过清洗后的外延结构进行刻蚀，以在所述外延结构上形成隔离槽。本公开能够降低成本。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]电池电量测量方法、模块、服务器及储存介质-CN202310629125.X在审
发明人：许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01R31/367 文献下载
摘要：本发明提供一种电池电量测量方法、模块、服务器及储存介质，其中，电池电量测量方法包括以下步骤:将多个电池反复进行充放电，并记录各电池充放电的测量数据；根据测量数据计算获得电池的各电流、电压、充放电次数和温度时对应的电量，获得训练数据；将训练数据输入初始电池电量预测模型进行训练，获得训练后的电池电量预测模型；监测待检测电池的测量数据，并将待检测电池的测量数据发送至电池电量预测模型；电池电量预测模型比对判断后输出待检测电池的电量数据。本发明的电池电量预测模型综合考虑电流、电压、温度和充放电次数并经过大量数据训练学习，从而提高了对电池电量预测的准确性。
电池电量测量方法模块服务器储存介质

[发明专利]脉冲模式的功率放大器及其控制方法-CN202310595870.7在审
发明人：虞民洪;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H03F3/00 文献下载
摘要：本申请提供一种脉冲模式的功率放大器及其控制方法。该功率放大器包括具有栅极、漏极及源极的功率开关器件、直流偏置电压模块、漏极和源极直流平衡电压模块及电源输入处理模块。直流偏置电压模块连接至栅极。漏极直流平衡电压模块连接至漏极，漏极还用于接收脉冲信号。源极直流平衡电压模块连接至源极，源极还用于接收射频信号。电源输入处理模块用于接收电源的输入并对电源进行处理，其包括用于控制直流偏置电压模块开启的第一开关、用于控制漏极直流平衡电压模块开启的第二开关、及用于控制源极直流平衡电压模块开启的第三开关，其中，第一开关、第二开关和第三开关按照预定的时序闭合或关断，从而能够解决PA上电时容易导致器件损坏的问题。
脉冲模式功率放大器及其控制方法

[发明专利]高算力数据处理方法、系统、处理器和储存介质-CN202310603481.4在审
发明人：许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06F9/50 文献下载
摘要：本发明提供一种高算力数据处理方法、系统、处理器和储存介质，其中，高算力数据处理方法包括以下步骤：对待处理数据进行预处理，将待处理数据进行分组获得多组数据组，并将每组数据组打上顺序标签；将各组数据组存放在缓冲区内，并通过中转模块记录缓冲区内的各顺序标签数据组的位置信息；通过CPU处理缓冲区内的各数据组；输出处理后的数据组。本发明本申请通过给予CPU其需处理数据的位置信息，减少CPU在巡检待处理数据时在缓冲区内扫描的工作量，提高CPU的处理效率，从而提高CPU的算力。
高算力数据处理方法系统处理器储存介质

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