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[发明专利]三维存储器、其制作方法以及存储系统-CN202111676832.1在审
发明人：孙昌志;高庭庭;夏志良;杜小龙;刘小欣;袁伟 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：该方法包括：提供衬底，衬底上具有堆叠体，在堆叠体的台阶区形成台阶结构，台阶结构远离衬底的一侧具有第一表面，各第一表面为不同牺牲层的远离衬底一侧的表面中的部分，第一表面所在的牺牲层为第一牺牲层，除去第一牺牲层之外的牺牲层为第二牺牲层；在第一表面上设置刻蚀阻挡层；在台阶区中形成顺序贯穿衬底和台阶结构至刻蚀阻挡层的伪沟道孔；在各伪沟道孔中依次形成绝缘层和导电支撑部，将第一牺牲层置换为第一控制栅结构，将第一牺牲层置换为第二控制栅结构，并使导电支撑部与第一控制栅结构电连接
三维存储器制作方法以及存储系统

[发明专利]一种Ⅲ族氮化物纳米阵列结构太阳能电池的制作方法-CN201010196477.3有效
发明人：郑新和;唐龙娟;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2010-06-10 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明揭示了一种Ⅲ族氮化物纳米阵列结构太阳能电池的制作方法，包括步骤：Ⅰ、对GaN样品台面进行第一次刻蚀，形成台阶状的样品结构；Ⅱ、在台阶上方的p区或n区的台面上制作微结构掩模层并进行第二次台面刻蚀形成纳米柱阵列，同时露出与台阶下方台面相一致的n区或p区；Ⅲ、对带纳米柱阵列的GaN样品旋涂填充物，使之平面化；Ⅳ、在对应于纳米柱阵列的平面化GaN样品表面制作电流扩展层；Ⅴ、在电流扩展层表面及台阶下方台面上沉积金属本发明基于传统工艺作出调整，能有效避免台阶下方电极区粗糙，使淀积的金属粘附性增强，不易剥落；提高了电学连接的稳定性和器件的可靠性；同时该制作方法还具有简单快捷，普适性强的特点。
一种氮化物纳米阵列结构太阳能电池制作方法

[发明专利]SiGeC应力引入的直接带隙Ge沟道PMOS器件及其制备方法-CN201610486998.X有效
发明人：魏青;宋建军;刘伟峰;胡辉勇;宣荣喜;张鹤鸣 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该制备方法包括：选取单晶Si衬底；生长第一Ge层；生长第二Ge层；连续生长栅介质层和栅极层，选择性刻蚀工艺刻蚀所述栅介质层和所述栅极层形成栅极；在栅极表面形成栅极保护层；刻蚀所述第二Ge层在所述PMOS栅极位置处形成Ge台阶；采用外延工艺在所述第二Ge层表面生长Si
sigec 应力引入直接 ge 沟道 pmos 器件及其制备方法

[发明专利]SiGeC应力引入的直接带隙Ge沟道NMOS器件及其制备方法-CN201610486996.0有效
发明人：吴翼飞;宋建军;宣荣喜;蒋道福;胡辉勇;张鹤鸣 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该制备方法包括：选取单晶Si衬底；生长第一Ge层；生长第二Ge层；连续生长栅介质层和栅极层，刻蚀工艺选择性刻蚀所述栅介质层和所述栅极层形成栅极；在栅极表面形成栅极保护层；刻蚀所述第二Ge层在所述NMOS栅极位置处形成Ge台阶；采用外延工艺在所述第二Ge层表面生长Si
sigec 应力引入直接 ge 沟道 nmos 器件及其制备方法

[发明专利]利用前向馈送数据使沟槽凹陷至目标深度的方法和系统-CN200710135930.8有效
发明人：程慷果 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-03-13 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：在一个实施例中，公开一种方法，包括：提供在晶片上的一个区域以及施加在该区域上方的材料，所述区域包括含沟槽的沟槽区和没有任何沟槽的场区，该材料施加在该区域上方使得填充沟槽区中的沟槽并在沟槽区和场区之间形成台阶；进行刻蚀以部分地刻蚀沟槽；确定用于刻蚀至目标深度(D_T)的目标刻蚀持续时间(t_D)；以及在近似等于目标刻蚀持续时间(t_D)的时段中沟槽刻蚀至目标深度目标刻蚀持续时段t_D可以被前向馈送，以将另一沟槽凹陷至目标深度D_T。该方法不需要先发晶片，与常规自动化工艺完全兼容，并对每个晶片提供原位刻蚀时间校正。
利用馈送数据沟槽凹陷目标深度方法系统

[实用新型]一种用于APCVD的履带轨道工艺气孔的刻蚀工具-CN201821861997.X有效
发明人：刘建锋;李建刚;李鲁 -专利权人：麦斯克电子材料有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种用于APCVD的履带轨道工艺气孔的刻蚀工具，包括刻蚀腔体和腔体盖板组件，刻蚀腔体由侧板首尾相接围成，上下两端开口，刻蚀腔体的下部开设有安装密封圈的密封圈沟槽，刻蚀腔体上部安装有围绕刻蚀腔体上开口的边板，边板和侧板相接处构成用以安装所述腔体盖板组件的台阶结构，所述的腔体盖板组件包括盖板、波纹管和排风接头，盖板通过螺钉固定安装在刻蚀腔体的上开口，所述波纹管一端穿过盖板和刻蚀腔体连通，另一端安装所述的排风接头
刻蚀腔体腔体盖板盖板工艺气孔刻蚀工具履带轨道波纹管氢氟酸上开口边板侧板排风密封圈本实用新型密封圈沟槽螺钉固定排风管道上下两端首尾相接台阶结构组件包括对设备密封性相接处挥发连通泄漏抽出开口穿过伤害损害污染

[发明专利]台阶结构及其形成方法-CN201710750398.4有效
发明人：吕震宇;陈俊;戴晓望;朱继锋;陶谦;黄郁茹;胡思平;姚兰;肖莉红;郑阿曼;鲍琨;杨号号 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本发明公开了一种台阶结构及其形成方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供衬底，在衬底上形成叠层结构，在叠层结构上形成第一掩膜层；刻蚀第一掩膜层和叠层结构形成各台阶层；在各台阶层上形成着陆垫；去除剩余的第一掩膜层，并形成覆盖各台阶层的覆盖层。本发明中，通过在各台阶层上形成着陆垫，增加了台阶层之间互联部分的厚度，使得即使是很薄的字线需求，通过单张掩膜来形成台阶间的互连亦是可行的。
台阶结构及其形成方法

[发明专利]一种增加碳化硅台阶金属层覆盖厚度的方法及相关设备-CN202211118561.2在审
发明人：董佳俊;李青岭;赵万利;李旭晗;王锐;常树丞;魏晓光;金锐;汪玉;王鑫 -专利权人：北京智慧能源研究院;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造领域，具体涉及一种增加碳化硅台阶金属层覆盖厚度的方法，所述方法包括如下步骤：金属淀积，对完成介质层台阶蚀刻的碳化硅晶圆进行溅射形成金属层；反溅射，采用氩离子轰击所述金属层以消除台阶间的封口；重复所述金属淀积和反溅射直至碳化硅台阶覆盖厚度达到设计要求。本发明通过反溅射对台阶上部和台阶间槽口的金属层进行刻蚀以达到清除台阶间槽口的金属层以避免槽口过早闭合；通过多次金属淀积和反溅射的循环加工实现了提高台阶底部填充厚度避免槽口封闭的有益技术效果。
一种增加碳化硅台阶金属覆盖厚度方法相关设备

[发明专利]LED芯片及其制作方法-CN201510778265.9在审
发明人：马新刚;江忠永;李东昇;潘艳萍;丁海生;赵进超;王洋 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，所述LED芯片包括衬底、台阶、斜坡以及膜层，所述台阶形成于所述衬底上，所述斜坡为环绕台阶的斜坡，所述膜层覆盖所述台阶、斜坡以及衬底。本发明的LED芯片中斜坡为环绕台阶的斜坡，可有效解决后续形成的膜层断层的问题，由此可以解决由膜层断层导致的漏电问题，有利于提升倒装LED芯片的性能。另外，本发明通过旋涂、烘烤(或光照)以及刻蚀等简单工艺形成斜坡，成本低廉、适于大规模商业化生产。
led 芯片及其制作方法

[发明专利]三维存储结构及其制作方法-CN201910791908.1在审
发明人：韩玉辉 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：该该三维存储结构中堆叠结构的至少一侧具有台阶区域，台阶区域远离衬底的一侧覆盖有介质层，且上述三维存储结构还包括多个伪沟道孔和多个接触孔，由于上述三维存储结构中对伪沟道孔在台阶区域中的面积占比进行优化，相比于现有技术，提高了伪沟道孔在台阶区域中的密度，从而在伪沟道孔的形成工艺中刻蚀材料在伪沟道孔中的堆积，进而减少或避免了刻蚀不足的问题的产生；同时，通过对伪沟道孔的中心与接触孔的中心之间距离进行优化，相比于现有技术，
沟道三维存储结构台阶区域接触孔衬底堆叠结构工艺窗口接触电阻刻蚀材料有效面积介质层刻蚀堆积优化保证覆盖制作

[发明专利]高压MOS管及其制造方法-CN202111049362.6在审
发明人：谢磊;何志斌 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种高压MOS管的制造方法，包括：提供一衬底，其中形成有浅沟道隔离结构，并且其表面还形成有衬垫氧化层；形成掩膜层；刻蚀所述掩膜层、所述衬垫氧化层、所述浅沟道隔离结构和所述衬底以在所述浅沟道隔离结构和所述衬底中得到台阶式沟槽以及在所述台阶式沟槽中形成栅氧化层本申请通过同时刻蚀高压器件区域的衬底和浅沟道隔离结构形成台阶式沟槽，使得在台阶式沟槽中沉积的栅氧化层的顶表面与其周围其他器件(中压、低压器件)区域的栅氧化层的顶表面趋于齐平，进而改善后续栅氧化层上方形成的伪多晶硅栅的高度均匀性
高压 mos 及其制造方法

[发明专利]一种具有终点检测功能的离子束刻蚀系统-CN202111585443.8在审
发明人：李雪冬;刘海洋;刘小波;朱小庆;许开东;陈璐 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有终点检测功能的离子束刻蚀系统，离子束刻蚀系统包括载台和聚焦环；载台包括晶圆承载面、厂务连接板和载台座，聚焦环包括固定部、环体和台阶部，环体通过固定部固定于载台上，台阶部下表面与环体外径相连，台阶部上表面高于晶圆上表面；终点检测装置包括信号收集探头、信号传输线和信号处理器；信号收集探头的采集端放置在台阶部的孔内，信号收集探头的数据输出端与信号传输线连接，信号收集探头对临近晶圆处的实时光谱信号进行实时采集
一种具有终点检测功能离子束刻蚀系统

[发明专利]台阶状硅锗源/漏结构的制造方法-CN201010285697.3有效
发明人：李凤莲 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种台阶状硅锗源/漏结构的制造方法，包括：提供硅衬底，所述硅衬底上形成有栅极结构、位于栅极结构两侧的第一间隙壁、以及位于第一间隙壁两侧的第二间隙壁；执行多次离子注入工艺，所述多次离子注入工艺的注入方向及注入深度各不相同，以在第二间隙壁两侧的硅衬底中形成第一非晶态区域，并在第二间隙壁下方的硅衬底中形成至少一个第二非晶态区域；去除所述第二间隙壁；去除所述第一非晶态区域和第二非晶态区域，以形成台阶状凹陷部；在所述台阶状凹陷部内形成掺杂的台阶状硅锗源与现有技术相比，本发明可减少刻蚀步骤，并可降低刻蚀工艺的控制难度。
台阶状硅锗源结构制造方法

[发明专利]闪存存储器及其制备方法-CN201910324086.6有效
发明人：陈宏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供了一种闪存存储器及其制备方法，包括提供一衬底，所述衬底上还依次形成有多晶硅层和保护层；在所述保护层上形成图形化的掩模层；以所述图形化的掩模层为掩模，刻蚀去除所述保护层的上台阶部分和下台阶部分；保留所述保护层的台阶侧壁部分；通过保留所述保护层的台阶侧壁部分，以保护所述存储单元侧壁的多晶硅层形貌，在后续多晶硅层刻蚀后形成规则的多晶硅残留块，规则的多晶硅残留块较强壮稳固，不存在凸起状缺陷，在后续工艺中不易被剥离
闪存存储器及其制备方法

[发明专利]3D存储器件及其制造方法-CN202010240421.7有效
发明人：吴林春;刘磊;张中;张若芳 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：该3D存储器件制造方法包括：在半导体衬底上形成具有台阶状的绝缘叠层结构，每个台阶包括牺牲层以及位于牺牲层下方的层间绝缘层；在牺牲层暴露的至少部分表面形成保护层；在保护层上方形成覆盖绝缘叠层结构的介质层；将牺牲层替换为栅极导体层以形成栅叠层结构；在至少一个所述台阶上形成与所述栅极导体层连通的导电通道，其中，保护层作为形成导电通道的停止层，导电通道与栅极导体层至少部分接触。该制造方法通过在叠层结构表面处理形成保护层，并以保护层作为停止层执行刻蚀工艺进而形成台阶区接触，在单层介质叠层厚度减小的情况下降低了刻蚀难度，提升了存储器件的可靠性。
存储器件及其制造方法