“工艺窗口”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果1544331个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]确定纳米光刻技术工艺窗口的方法-CN202211532593.7在审
发明人：刘丽红;韦亚一;董立松;张利斌;丁虎文 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种确定纳米光刻技术工艺窗口的方法，所述方法包括：依据预定第一关键尺寸的单沟槽或单线条成像模型进行成像，获取多个聚焦值对应的第一光强分布曲线；依据预定第二关键尺寸的多线条成像模型进行成像，获取多个聚焦值对应的第二光强分布曲线；依据所述第一光强分布曲线和所述第二光强分布曲线，分别获取第一泊松曲线和第二泊松曲线；依据第一泊松曲线和第二泊松曲线，分别获取第一工艺窗口和第二工艺窗口；将所述第一工艺窗口和第二工艺窗口的交集部分，确定为目标工艺窗口本发明提供的确定纳米光刻技术工艺窗口，能够通过光强曲线经过较少的计算量得到适用的工艺窗口，并有效对工艺窗口进行验证。
确定纳米光刻技术工艺窗口方法

[发明专利]一种半导体存储器的制造方法-CN201510308863.X在审
发明人：张怡 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-06-07 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储器的制造方法，实质上利用一个整合传统的浮栅光罩和控制栅保护光罩的图案的整合光罩，将存储区的存储单元工艺窗口和连接区的连接孔工艺窗口的刻蚀工艺、填充工艺合并，由此通过一次光刻和刻蚀工艺即可在存储单元位置形成存储窗口的同时，在连接线位置形成连接窗口，且存储窗口比连接窗口宽很多，之后沉积工艺形成第一层间介质层并高温回流，直接将连接窗口填满；省略了传统工艺中连接区使用单独光罩进行掩膜、刻蚀、填充以及研磨的工艺步骤，节省了工艺时间，降低了工艺成本。
一种半导体存储器制造方法

[发明专利]一种套刻标记可制造性快速筛选方法、装置及计算机设备-CN202211209144.9在审
发明人：丁成宏 -专利权人：东方晶源微电子科技(北京)有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明涉及光刻技术领域，其特别涉及一种套刻标记可制造性快速筛选方法、装置及计算机设备，包括以下步骤：输入预设范围的工艺窗口条件，选取其中的上限值和下限值作为极端工艺窗口条件；基于极端工艺窗口条件计算获得初始工艺变化带宽值，基于预设筛选比例对初始工艺变化带宽值进行第一筛选；对筛选后的工艺变化带宽值所对应的套刻标记计算获得待处理工艺窗口值；基于预设标准范围对待处理工艺窗口值进行第二筛选获得最终工艺窗口值；筛选出最终工艺窗口值所对应的套刻标记
一种标记制造快速筛选方法装置计算机设备

[发明专利]用于光刻工艺窗口最优化的方法和系统-CN200510004811.X有效
发明人：邢福仑;M·A·拉文;李金福;D·L·奥斯塔普科;A·E·罗森布卢特;成乐根 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-01-27 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于关于光刻工艺窗口的布图最优化的新型方法和系统，其促进光刻约束不被局部化，以便于提供通过工艺窗口印刷给定电路的能力，该工艺窗口超过使用常规的简化设计规则获得的工艺窗口。
用于光刻工艺窗口优化方法系统

[发明专利]一种相变存储器光刻工艺优化方法-CN202210276000.9在审
发明人：张家睿;周智全;钟旻;冯高明;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种相变存储器光刻工艺优化方法，包括：步骤(1)：当每片所述晶圆表面不平整度α相同时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第一光刻工艺窗口；步骤(2)：当特定图形的周期和线宽不一致时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第二光刻工艺窗口，其中，所述特定图形为晶圆上的电路图形；步骤(3)：取所述第一光刻工艺窗口和第二光刻工艺窗口的重叠部分作为最终共同工艺窗口，并将所述最终共同工艺窗口的中心作为最佳曝光条件。本发明能够得到相变存储器的最优光刻工艺窗口。
一种相变存储器光刻工艺优化方法

[实用新型]一种新型工艺品-CN202022544452.X有效
发明人：林佳森 -专利权人：泉州咏鑫工艺品科技有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： B44C5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种新型工艺品，属于工艺品技术领域，包括主体件，主体件内设置有空腔，主体件上开设有主窗口和副窗口，主窗口和副窗口均贯穿至空腔内，空腔内分别设置有主挡板和副挡板，主挡板沿着主窗口的长度方向与主窗口滑动连接，副挡板滑动连接在空腔内，副挡板的位置对应副窗口，空腔内分别对应主窗口和副窗口的位置分别设置有不同的标号，副挡板和主挡板之间通过传动机构相连接。本实用新型的一种新型工艺品，使用者可将该工艺品安装在门上，通过标号的改变判断门是否能进行开启，起到装饰的同时提高工艺品的实用性。
一种新型工艺品

[发明专利]用于获取晶圆的目标工艺窗口的方法、设备和介质-CN202110954968.8在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：全芯智造技术有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及用于获取晶圆的目标工艺窗口的方法、设备和计算机可读存储介质。用于获取晶圆的工艺窗口的方法包括：基于与晶圆的关键尺寸相关联的第一工艺参数，确定第一工艺参数范围，关键尺寸为晶圆中多个单元的关键尺寸；基于与关键尺寸和图像判定结果相关联的第二工艺参数，确定第二工艺参数范围，图像判定结果指示多个单元中的相应单元的实际图像质量；以及基于第一工艺参数范围和第二工艺参数范围，确定目标工艺窗口。本公开的实施例能够得到优化的工艺窗口，提升工艺窗口的可靠度。
用于获取目标工艺窗口方法设备介质

[发明专利]一种改善深沟槽隔离焦深工艺窗口的方法-CN201711185873.4在审
发明人：熊易斯 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善深沟槽隔离焦深工艺窗口的方法，包括以下步骤提供一半导体衬底，所述半导体衬底上表面依次覆盖有氧化层、第一抗反射层和第一光阻层；对所述第一光阻层进行曝光；刻蚀；去除所述第一光阻层、所述第一抗反射层和所述氧化层，形成第二抗反射层；形成第二光阻层；对所述第二光阻层进行曝光，形成初始工艺窗口；形成水溶性有机化合物层；对所述第二光阻层进行高温烘烤，形成最终工艺窗口；刻蚀；去除所述第二抗反射层、所述第二光阻层和所述水溶性有机化合物层；其中，所述初始工艺窗口的尺寸大于所述最终工艺窗口的尺寸。其优点在于，初始工艺窗口的尺寸大于最终工艺窗口尺寸，降低深宽比，满足可靠工艺生产要求。
一种改善深沟隔离焦深工艺窗口方法

[发明专利]多重图形化的光刻顺序的确定方法-CN202111242999.7有效
发明人：王嘉鸿;童宇诚;夏忠平 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：该方法中，基于所获得至少两个掩膜版中掩模图形的工艺窗口的大小排布顺序，以进一步根据工艺窗口的大小排布顺序而确定出所对应的掩模版的光刻顺序。通过将工艺窗口较大的掩模图形所对应的掩模版优先执行光刻步骤，并将工艺窗口较小的掩模图形所对应的掩模版靠后执行光刻步骤，以提高最终形成的图形的良率，增大多重图形化工艺的整体工艺窗口。
多重图形光刻顺序确定方法

[发明专利]用于等离子体工艺系统中的光学窗口淀积屏蔽-CN03822080.6有效
发明人：西本伸也;三桥康至;三枝秀仁;高濑均;中山博之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-09-29 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提出了用于等离子体工艺系统的改进的光学窗口淀积屏蔽，光学窗口淀积屏蔽通过一个淀积屏蔽，用于等离子体工艺系统中的工艺空间的光学入口，其中光学窗口淀积屏蔽的设计和制作对工艺空间中的工艺等离子体方便地提供了一个光学清洁入口，而基本上保持最小地腐蚀光学窗口淀积屏蔽。
用于等离子体工艺系统中的光学窗口屏蔽

[实用新型]新型摄像头及半导体制造工序间高分子材料传送装置-CN202021428973.2有效
发明人：曹准硕 -专利权人：曹准硕
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型公开了新型摄像头及半导体制造工序间高分子材料传送装置，包括上板和下板，所述上板上设有补强板钢片粘贴工艺窗口，所述下板上设有软板及补强板加强点胶工艺窗口，所述上板上的补强板钢片粘贴工艺窗口有三行，所述下板上的软板及补强板加强点胶工艺窗口有三行，所述软板及补强板加强点胶工艺窗口与补强板钢片粘贴工艺窗口位置对应。
新型摄像头半导体制造工序高分子材料传送装置

[发明专利]一种建筑物窗口的施工工艺-CN202011310359.0在审
发明人：邢志涛;林娜 -专利权人：邢志涛
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： E04G21/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种建筑物窗口的施工工艺，步骤如下：S1、根据图纸，定制窗口的预制构件，预制构件用于免除窗户部位砌筑施工之后的抹灰、保温工艺施工；S2、根据图纸、施工方案，定做窗口的内模板和外模板，解决窗口方正及同规格窗口的尺寸统一；S3、砌筑墙体；S4、安装窗口。本发明采用上述的一种建筑物窗口的施工工艺，施工简单，便于维修，可以有效的防止窗户漏水和透风，且为窗户安装施工提供便利。
一种建筑物窗口施工工艺

[发明专利]用于优化光刻工艺窗口的方法及装置、计算机存储介质-CN202110034008.X在审
发明人：张双;韦亚一;张利斌;盖天洋;何建芳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明能够提供用于优化光刻工艺窗口的方法及装置、计算机存储介质。用于优化光刻工艺窗口的方法包括：获取理想光刻条件下的理想光源信息和理想掩模信息，依据理想光源信息和理想掩模信息生成理想光刻条件下的工艺窗口信息；基于工艺窗口信息得到用于优化当前光刻工艺窗口的像差系数组合本发明能够有效解决非理想光刻机系统或非理想工艺条件下的光刻工艺匹配问题，可达到与理想光刻机、理想光刻工艺相当的工艺窗口。
用于优化光刻工艺窗口方法装置计算机存储介质

[发明专利]城铁车窗口梁的制造方法-CN201711120724.X有效
发明人：王震;王洪斌;唐振兴 -专利权人：中车长春轨道客车股份有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： B21D47/01 文献下载
摘要：城铁车窗口梁的制造方法属于机械加工制造方法领域，该方法结合生产实际，分多个步骤加工和调修窗口梁工件，重新改进了窗口梁工件的生产工艺条件、方法和加工顺序，制造出符合图纸标准的窗口梁工件。本发明通过给出标准化的工艺参数和规范化的操作流程，能够实现窗口梁工件的批量化、标准化生产，并避免窗口梁成型质量容易产生缺陷，窗口梁工件的废品率，以及由于现有的窗口梁制造工艺的工序不够合理，而造成的生产劳动强度大
城铁车窗制造方法

[发明专利]激光热丝焊工艺优化方法-CN201310508669.7有效
发明人：温鹏;郑世卿;单际国 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-10-24 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： B23K28/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光热丝焊工艺优化方法，包括以下步骤：建立送丝速度-加热电流-激光功率的三维坐标系；在该三维坐标系中测绘熔断过渡与连续过渡的临界工艺参数组合，得到理想工艺参数窗口上界曲面；在三维坐标系中测绘连续过渡与顶丝过渡的临界工艺参数组合，得到理想工艺参数窗口下界曲面；根据理想工艺参数上界曲面和理想工艺参数下界曲面，确定焊丝发生连续过渡的理想工艺参数窗口；在理想工艺参数窗口中选取工艺参数组合，进行激光热丝焊，实现焊丝连续过渡。该方法以送丝速度、加热电流和激光功率作为工艺参数来控制激光热丝焊过渡行为，通过测临界工艺参数组合界定理想工艺参数窗口，具有控制参数简单，易于操作，实用性强的优点。
激光焊工优化方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top