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[发明专利]SONOS存储器的ONO刻蚀方法-CN201711392296.6有效
发明人：刘政红;辻直樹;陈广龙;黄冠群 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种SONOS存储器的ONO刻蚀方法，在已形成ONO叠层的基底上沉积一层阻挡层，利用湿法刻蚀工艺的各向同性特点，轻易完成浅沟槽隔离两侧ONO侧墙的去除而不对底部栅氧化层产生任何等离子体的损伤，器件的可靠性得到保证；同时还可以克服前层浅沟槽隔离平坦化研磨工艺带来的晶圆台阶高度的变化，使刻蚀窗口大大增加。该刻蚀工艺稳定可控，适合批量生产。
sonos 存储器 ono 刻蚀方法

[发明专利]半导体器件的制作方法、三维存储器及存储系统-CN202210569785.9在审
发明人：曾臻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制作方法、三维存储器及存储系统，半导体器件的制作方法，包括：形成半导体结构，半导体结构包括衬底、位于衬底上的堆叠结构和第一介质层，堆叠结构包括台阶结构、停止层、第二介质层，台阶结构包括层叠设置的栅极层和绝缘层；在台阶区形成第一台阶接触孔，第一台阶接触孔贯穿第一介质层和第二介质层并延伸到停止层；在第一介质层上形成掩膜层；形成包括第一台阶接触孔的第二台阶接触孔，第二台阶接触孔贯穿停止层并延伸到各相对应的栅极层；于第一介质层中形成第一开口；其中，第二台阶接触孔和第一开口在同一刻蚀步骤中形成。通过使第二台阶接触孔和第一开口在同一刻蚀步骤中形成，减少工艺步骤和降低成本。
半导体器件制作方法三维存储器存储系统

[发明专利]基于深硅刻蚀的光纤与硅光芯片高精度耦合实现方法-CN202310572186.7在审
发明人：纪幸辰;刘芳瑜;王硕;苏翼凯 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：一种基于深硅刻蚀的光纤与硅光芯片高精度耦合实现方法，通过在在衬底上旋涂光刻胶后进行掩膜对准式曝光；然后采用包层刻蚀去除顶部和底部包层材料后利用C4F8和SF6进行深硅刻蚀实现高深宽比、侧壁陡直的硅刻蚀；最后将晶片解理成独立芯片，其台阶状的沟道用于与光纤进行耦合。本发明通过特定深度深硅刻蚀槽图形，运用光刻及深硅刻蚀手段制备特定深度的深硅刻蚀槽，利用光刻和刻蚀的高精度从而实现光纤到芯片上波导耦合条件，如高度、距离等的精确控制，有效提高耦合容差和耦合鲁棒性。
基于刻蚀光纤芯片高精度耦合实现方法

[发明专利]高效制作高精度多台阶微透镜阵列的方法-CN201410519354.7有效
发明人：侯治锦;司俊杰;韩德宽;陈洪许;吕衍秋;王巍 -专利权人：中国空空导弹研究院
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效制作高精度多台阶微透镜阵列的方法，将待制作的台阶阵列分为若干组，包括第一组、第二组，第一组与第二组首尾相接，每组的各台阶是深度连续的；同步制作第一组与第二组的各台阶，形成对应深度相同的两组台阶；将第二组台阶整体刻蚀一定的深度，与第一组台阶形成深度连续的台阶阵列。
高效制作高精度台阶透镜阵列方法

[发明专利]基于自停止刻蚀的氮化镓基器件隔离的制备方法-CN201510275124.5在审
发明人：刘靖骞;王金延;徐哲;王茂俊;谢冰;于民;吴文刚;张进城;马晓华;郝跃 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于自停止刻蚀的氮化镓基器件隔离的制备方法，隔离区利用自停止氧化湿法腐蚀技术制备，消除了等离子体对有源区边缘及隔离区表面的损伤，可以有效降低泄漏电流，而隔离区仅势垒层被刻蚀掉，相对于ICP刻蚀来说台阶高度明显降低，且可以方便地与自停止刻蚀的栅凹槽同时完成，从而简化自停止刻蚀的凹槽栅氮化镓基增强型器件制备工艺，具有很高的可操作性和可重复性，十分利于工业化生产。
基于停止刻蚀氮化器件隔离制备方法

[发明专利]一种内透镜及制作方法-CN201911355336.9在审
发明人：姚嫦娲 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种内透镜及制作方法，制作方法包括以下步骤：在衬底上形成底层内透镜材料层；在底层内透镜材料层上形成光刻胶图形层；以光刻胶图形层为掩模，对底层内透镜材料层进行部分刻蚀，在底层内透镜材料层上形成第一个台阶层；对光刻胶图形层侧壁进行回刻，使第一个台阶层由光刻胶图形层的两侧部分露出；重复前述刻蚀步骤，在底层内透镜材料层上形成多个台阶层，使底层内透镜材料层具有台阶状的表面形貌；去胶清洗；在底层内透镜材料层上覆盖形成顶层内透镜材料层
一种透镜制作方法

[发明专利]一种金红石型110取向TiO2-CN202010063891.0在审
发明人：杨冰洁;李志鹏;李坊森;程飞宇 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：具体涉及一种金红石型110取向TiO2单晶的处理工艺，通过此工艺流程能够将金红石型110取向TiO2单晶处理出原子级台阶，台阶的高度与平整性均达到高质量薄膜生长的工艺要求。具体实施需要的设备包括超声波清洗仪和管式炉，流程包括有机溶剂超声波清洗、强酸刻蚀、氧氛围下退火。该流程能够在高效且低成本的方式下得到平整的金红石型110取向TiO2单晶表面，并且通过严格控制合适的刻蚀时间和退火温度，能够在大的斜切角平面内，得到平整的原子台阶该工艺能够解决单晶切割质量较低时，无法获得高质量的原子级平整台阶的问题。
一种金红石 110 取向 tio base sub

[发明专利]一种存储器及其制备方法、存储系统-CN202210401830.X在审
发明人：吴林春;张坤;周文犀;吴双双;张中;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器及其制备方法、存储系统，先形成在台阶区呈台阶结构的堆叠层，然后依次在台阶结构上覆盖第一牺牲层和第二牺牲层，在将层间牺牲层置换为栅极层后去除第二牺牲层，去除第二牺牲层后就可以去除第一牺牲层形成位于各台阶上的第三空腔本发明实施例在第二牺牲层的位置形成第二空腔，进而可以利用第二空腔对第一牺牲层进行刻蚀形成第三空腔，刻蚀工艺可以极大增加第三空腔的厚度，即可以极大增加停止层的厚度，进而可以使字线触点容易停在各层栅极层上，
一种存储器及其制备方法存储系统

[发明专利]改善边缘凹陷的浅槽隔离工艺-CN200810044072.0有效
发明人：钱文生;丁宇 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-12-09 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善边缘凹陷的浅槽隔离工艺，在传统浅槽隔离工艺生长隔离氧化层之前，先进行一步刻蚀硅片(10)形成硅片台阶(101)，然后将沟槽(102)的两侧壁刻蚀在硅片台阶(101)的两侧壁以内。
改善边缘凹陷隔离工艺

[发明专利]一种MEMS芯片低应力多孔阵列封装结构及封装方法-CN202210992757.8在审
发明人：商兴莲;凤瑞;宋金龙;解亚飞;周六辉 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS芯片低应力多孔阵列封装结构及封装方法，所述方法包括多孔阵列结构的硅基板的加工；所述基于多孔阵列结构的硅基板的加工包括以下步骤：准备单晶硅晶圆，底部刻隔离腔，顶部刻蚀多孔阵列结构，刻蚀划片槽，沿划片槽划片形成单个硅基板，本发明通过在硅基板底部刻蚀隔离腔，使得硅基板下表面与多孔阵列结构底面产生了台阶，通过环形粘胶固定在封装管壳底面上，既实现了机械固定又降低了硅基板的粘接应力。台阶可避免硅基板底面施胶过多溢出导致与多孔阵列结构底面粘连，且通过设置多孔阵列结构，使得产品在给MEMS芯片与硅基板提供足够强度的同时，又能释放封装管壳与硅基板之间的应力。
一种 mems 芯片应力多孔阵列封装结构方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构及其制造方法-CN201811224342.6有效
发明人：赵东光 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种浅沟槽隔离结构及其制造方法，包括：首先，形成氮化掩膜层于一衬底上，并刻蚀所述氮化掩膜层和所述衬底，以形成沟槽；然后，填充隔离氧化层于所述沟槽中，所述隔离氧化层填满所述沟槽，并将所述氮化掩膜层掩埋在内本发明提供的技术方案阻挡了氢氟酸等刻蚀剂对所述浅沟槽隔离结构的台阶的刻蚀，以对所述浅沟槽隔离结构的台阶高度进行准确地控制，进而提高器件的性能。
沟槽隔离结构及其制造方法

[发明专利]一种集成式GaN器件实时测温系统及其制备方法-CN202010023859.X有效
发明人：仇志军;叶怀宇;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：其制备方法包括：1)蓝宝石衬底上生长高阻GaN缓冲层；2)高阻GaN缓冲层上生长p型掺杂的InGaN层；3)p型InGaN层上生长本征掺杂GaN层；4)本征掺杂GaN层上外延生长本征掺杂AlGaN层；5)选择性刻蚀外延层材料形成刻蚀台面和台阶，并在台面和台阶上淀积氧化铝钝化层；6)选择性刻蚀氧化铝钝化层，并淀积金属电极。
一种集成 gan 器件实时测温系统及其制备方法

[发明专利]一种薄膜电阻的制备方法-CN201810310445.8在审
发明人：左青云;康晓旭;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜电阻的制备方法，包括如下步骤：S01：提供表面覆盖有绝缘层的衬底；S02：在衬底上沉积并图形化薄膜电阻材料层；S03：在衬底和薄膜电阻材料层上依次淀积金属电极材料层和硬掩膜层；S04：采用干法刻蚀图形化硬掩膜层并停止于所述金属电极材料层，完全去除所述金属电极材料层台阶处以及台阶之间的硬掩膜层；S05：采用还原性气体处理暴露出来的金属电极材料层表面；S06：采用各向同性刻蚀图形化金属电极材料，去除上述暴露出来的金属电极材料层，形成薄膜电阻本发明提供的一种薄膜电阻的制备方法，可以避免薄膜电阻的过刻蚀和金属电极的刻蚀残留问题，提高薄膜电阻的精度和可靠性。
薄膜电阻金属电极材料衬底制备薄膜电阻材料硬掩膜层去除绝缘层图形化金属电极图形化硬掩膜层各向同性刻蚀电极材料层还原性气体表面覆盖淀积金属干法刻蚀金属电极过刻蚀台阶处图形化暴露刻蚀沉积残留

[发明专利]在硅表面上大面积石墨烯的制备方法-CN202310686745.7在审
发明人：郭艳敏;王楠;赵堃;莫宇 -专利权人：中电科先进材料技术创新有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：将清洗后的硅衬底安装在具有快速退火功能的设备中，在硅衬底上形成3C‑SiC单晶种子层；在3C‑SiC单晶种子层上基于LPCVD法，在3C‑SiC单晶种子层上生长3C‑SiC加厚层；对3C‑SiC加厚层刻蚀，得到台阶状的3C‑SiC刻蚀层；将台阶状的3C‑SiC刻蚀层进行高温热分解，在3C‑SiC刻蚀层的表面生长一层石墨烯。
表面上大面积石墨制备方法

[发明专利]一种基于硅基氮化镓和二硫化钨单层膜的二维激子激光器及其制备方法-CN201910505261.1有效
发明人：蔡玮;韩冰;王新迪 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于硅基氮化镓和二硫化钨单层膜的二维激子激光器及其制备方法，使用电感耦合等离子体反应离子刻蚀技术在硅衬底氮化镓晶圆上表面经过两次刻蚀形成三层阶梯状台阶；使用磁控溅射技术在三层阶梯状台阶中间台面和下台面同时蒸镀形成p型电极和n型电极；使用聚焦离子束刻蚀技术刻蚀u‑GaN层获得高Q值光子晶体纳米腔；再使用PDMS将增益介质WS2单层膜转印到光子晶体纳米腔表面，WS
一种基于氮化硫化单层二维激子激光器及其制备方法