“北京智慧能源研究院”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果63个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种功率半导体模块-CN202211405522.0有效
发明人：魏晓光;唐新灵;林仲康;王亮;代安琪;杜玉杰;石浩;韩荣刚;周扬;王磊;孙帅 -专利权人： 北京智慧能源研究院
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体模块，包括：栅极PCB板和多个并联的子模组，每个子模组包括半导体芯片和栅极引出端，栅极PCB板包括驱动连接单元，栅极引出端的一端连接半导体芯片的栅极；栅极PCB板上设置有多个与栅极引出端的另一端电连接的栅极触点，多个栅极触点通过多个第一布线层与驱动连接单元连接，流经多个第一布线层的电流路径一致。通过实施本发明，使得驱动端至各栅极触点的电流路径一致，实现了栅极寄生参数均衡化，从而有效提升了模块内部并联模组间电流的均流能力，提升了模块整体的安全工作区。并且均流能力的提升，能够在增加并联子模组的同时，提升其安全可靠性。
一种功率半导体模块

[实用新型]一种适用于高压功率芯片的终端结构-CN202321297019.8有效
发明人：李翠;魏晓光;金锐;和峰;王耀华;刘江;高凯;聂瑞芬;田宝华;李立;高明超;郝夏敏;孙琬茹 -专利权人： 北京智慧能源研究院;国网上海市电力公司;国家电网有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种适用于高压功率芯片的终端结构，包括围绕高压功率芯片有源区以及过渡区的多个同心浮空场限环，在所述场限环上方覆盖有钝化层。本发明可以提高高压大功率芯片的终端可靠性，提高终端效率，同时，兼顾安全工作区，工艺简单，适合大规模产品应用。本发明通过优化场环设计，提高高压功率芯片的终端效率，保证可靠性的同时，优化安全工作区。
一种适用于高压功率芯片终端结构

[发明专利]一种环氧树脂/金属嵌件环氧组合物界面胶及制备方法-CN202310271921.0有效
发明人：尹立;杨威;张翀;乔健;李震宇;卢毅;高岩峰;颜丙越;李文鹏;陈赟;王琨;李飞;吕洋;何剑飞;陈有文 -专利权人： 北京智慧能源研究院;国网冀北电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C09J163/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种环氧树脂/金属嵌件环氧组合物界面胶，属于电气绝缘材料技术领域和金属嵌件预埋环氧封装制造技术领域。所述环氧树脂/金属嵌件环氧组合物界面胶按重量份计包括：100份环氧树脂、40‑110份固化剂、0.3‑1.5份促进剂、8‑20份增韧剂、10‑22份弹性体颗粒、100‑260份溶剂。所述界面胶可以用于制备电缆中间环氧组合式接头、电缆终端用环氧内锥及高压盆式绝缘子等。本发明的环氧树脂/金属嵌件环氧组合物界面胶具备良好的抗开裂性能、耐高低温循环性能、界面粘接性、界面密封性能等，对于环氧/金属界面匹配和界面密封的提升方面有重要工程价值。
一种环氧树脂金属嵌件环氧组合界面制备方法

[发明专利]一种调控基平面位错的SiC外延生长方法-CN202310309155.2在审
发明人：于乐;李哲洋;汪久龙;李永平;金锐;魏晓光 -专利权人： 北京智慧能源研究院
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：一种调控基平面位错的SiC外延生长方法，是一种通过缓冲层工艺和原位刻蚀工艺实现兼具高基平面位错转化率以及基平面位错转化点下移的4H‑SiC外延生长方法。本发明在外延层生长前进行多个周期的缓冲层生长和原位刻蚀，一方面通过调控位错弹性能和材料内应力促使基平面位错转化率进一步提高，实现高基平面位错转化，另一方面通过调控表面形貌来调节镜像力的作用，使基平面位错的转化点发生下移，从而满足高压大电流电力电子器件的性能和可靠性需求。
一种调控平面 sic 外延生长方法

[发明专利]TinO2n-1涂层的制备方法及PEM电解制氢极板-CN202310609178.5在审
发明人：岳骆;邓占锋;徐桂芝;胡晓;张高群;常亮;黄尧;赵波 -专利权人： 北京智慧能源研究院;国网浙江省电力有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C25B11/077 文献下载
摘要：TinO2n‑1涂层的制备方法及PEM电解制氢极板，包括：对基材表面打磨后用乙醇、丙酮以及去离子水中清洗；将清洗好的基材置于草酸溶液中浸泡，保持一定温度及刻蚀时间后用过量去离子水、无水乙醇清洗；将一定量的TiO2分散到异丙醇水溶液中，待溶搅拌溶解后采用等体积体积浸渍法将其浸渍到极板上，采用聚环氧乙烷作为粘结剂，在高温下烧结；将具有氧化钛层的基材放入管式炉中，在流动的氢气气氛下升温并还原，随后降温至室温后切换为流动的惰性气氛、吹扫，即得到所需的亚氧化物层TinO2n‑1。本发明首先采用氧化法制备均匀致密的TiO2涂层，后续采用氢气还原方法控制工艺参数制备不同亚氧化钛，其接触电阻明显降低。
tino2n 涂层制备方法 pem 电解极板

[发明专利]一种碳化硅功率器件封装用硅凝胶绝缘材料及其应用-CN202310852763.8有效
发明人：陈赟;张翀;杨威;王琨;乔博;尹立;颜丙越;乔健;吕洋;代勇;张伟;叶俊 -专利权人： 北京智慧能源研究院;国网山东省电力公司泰安供电公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机改性蒙脱土和笼形聚倍半硅氧烷（POSS）协同改性硅凝胶绝缘材料的制备方法及用途，先制备得到层间距增加以及表面修饰有机化官能团的有机改性蒙脱土；将有机改性蒙脱土、POSS和基础硅油等共混，利用硅氢加成反应，制备复合材料，赋予材料优异的绝缘性能。有机改性蒙脱土和POSS的加入，使复合材料的击穿强度增大、介电损耗降低、体积电阻率升高，同时热空气老化性能较好，满足高压碳化硅功率器件封装用硅凝胶绝缘材料的使用要求。
一种碳化硅功率器件封装凝胶绝缘材料及其应用

[发明专利]利用电解池自产氢评价阳极电化学活性面积的方法及应用-CN202310837169.1在审
发明人：柯绍杰;叶青;邓占锋;徐桂芝;康伟;宋小云;郭志远;滕越;王缔 -专利权人： 北京智慧能源研究院;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01N27/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用电解池自产氢评价阳极电化学活性面积的方法及应用，该方法通过电解池恒电流运行发生水电解反应，从而产生一定量的氢气留存在阴极，阳极处循环水系统进行换水作为工作电极，电化学工作站以阴极作参比电极可对阳极进行电化学测试，从而得到电解池阳极电化学活性面积。本发明采用的方法简单易行，可操作性强，对评价电解池阳极电化学活性面积具有可行性。
利用电解池自产评价阳极电化学活性面积方法应用

[发明专利]适用高寒高海拔地区高导热复合结构储热材料及制备方法-CN202311109301.3在审
发明人：常亮;邓占锋;祁富志;徐桂芝;张高群;胡晓;蔡林海;罗仲全;王克荣 -专利权人： 北京智慧能源研究院;国网青海省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C09K5/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种适用高寒高海拔地区高导热复合结构储热材料及制备方法，该复合储热材料包括储热组分、成型助剂和导热组分，和一种结构设计及相关制备工艺。其中，储热组分为碳酸锂、碳酸钠、氯化钠和碳酸钡中的一种或几种的混合物，成型助剂为蒙脱石粉、蛭石粉、云母石粉和硅藻土中的一种或几种的混合物，导热组分为等静压石墨颗粒、氧化铅和白炭黑中的一种或几种的混合物，结构设计为：以等静压石墨颗粒为主的高导热组分为外壳，以无机盐储热组分为主的高储热能力内核，混合烧结体，从而形成材料结构由内而外的导热系数梯度，实现应用过程中储释热效率的提升。
适用高寒海拔地区导热复合结构材料制备方法

[发明专利]一种高可靠性半导体器件及其制造方法-CN202310576474.X在审
发明人：牛喜平;杨霏;魏晓光;桑玲;安运来;张文婷;杨同同;罗伟霞;田琰;刘瑞;杜泽晨;李晨萌 -专利权人： 北京智慧能源研究院;国网北京市电力公司
申请日： 2023-05-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种高可靠性半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域，该半导体器件包括基体，基体上间隔设置有第一导电类型阱，相邻两个第一导电类型阱之间设置有JFET区；第一导电类型阱内设有雪崩电荷缓冲区，雪崩电荷缓冲区包括第二导电类型阱源区以及第一导电类型接触区，第一导电类型接触区位于第二导电类型阱源区一侧，第一导电类型接触区的宽度自芯片边缘向芯片中央递增。该高可靠性半导体器件具有较高的抗雪崩能力，而且能够改善碳化硅MOSFET芯片工作状态时内部温度分布不均匀问题，使得器件具有较高的工作稳定性。
一种可靠性半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种功率半导体器件串联均压结构及功率半导体器件-CN202211405501.9有效
发明人：魏晓光;杜玉杰;王亮;林仲康;代安琪;王磊;唐新灵 -专利权人： 北京智慧能源研究院
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明提供的功率半导体器件串联均压结构及功率半导体器件，多级串联功率芯片结构的第一端固定至所述第一极性金属板的第一侧面上；所述多级串联均压回路结构的第一端固定至所述第一极性金属板的第一侧面上；所述多级串联功率芯片结构的第二端与所述多级串联均压回路结构的第二端固定连接。本发明通过在器件内部完成器件的串联，并集成均压回路，提高了模块的功率密度和集成度，并提升了可靠性。
一种功率半导体器件串联结构

[发明专利]一种低反向漏电流的肖特基二极管与制备方法-CN202310394327.0在审
发明人：李嘉琳;朱涛;魏晓光;张丙可;李玲;赵万利;周行;葛欢;常树丞;孙俊敏;白雪 -专利权人： 北京智慧能源研究院
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种低反向漏电流的肖特基二极管及制备方法，肖特基二极管包括元胞区，元胞区包括衬底层、外延层、高掺杂区、高肖特基势垒接触区域、中肖特基势垒接触区域、正面电极层、背面电极层；所述外延层位于所述衬底层之上。本发明通过在常规肖特基势垒面积较大的区域加入部分高肖特基势垒区域，此区域导通开启电压小，但具有高肖特基势垒，在正向通流能力损失较少的情况下，减少肖特基势垒二极管和结势垒肖特基二极管部分因肖特基区域镜像力导致反向阻断漏电过大的问题。
一种反向漏电肖特基二极管制备方法

[发明专利]增强储能特性的聚丙烯薄膜、方法、应用及薄膜电容器-CN202310525023.3在审
发明人：肖萌;崔惠泽;郭少玮;杜伯学;张翀;邢照亮;倪祺;孟夏卿;王媚 -专利权人：国网智能电网研究院有限公司;北京智慧能源研究院;国网上海市电力公司;天津大学;国家电网有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C08J7/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种增强储能特性的聚丙烯薄膜、方法、应用及薄膜电容器，其技术特点是：制备过硫酸铵水溶液；将过硫酸铵水溶液充分浸润聚丙烯薄膜，用两块玻璃板固定住聚丙烯薄膜，并放置在紫外光灯下进行辐照；将紫外光辐照后的聚丙烯薄膜取出，进行冲洗、加热、干燥处理后得到表面羟基修饰的聚丙烯薄膜；将羟基修饰后的聚丙烯薄膜放入硅烷偶联剂溶液中进行化学接枝反应，得到增强储能特性的的聚丙烯薄膜。本发明采用紫外辐照和溶液化学反应方法接枝极性基团，优化了薄膜表面深陷阱密度和能级，提升薄膜的绝缘和储能性能，具有提升效果明显、操作简易且成本低廉等优点。
增强特性聚丙烯薄膜方法应用电容器

[发明专利]增强绝缘特性的聚丙烯薄膜、方法、应用及薄膜电容器-CN202310525022.9在审
发明人：邢照亮;崔惠泽;肖萌;张翀;陈新;郭少玮;苏尧天;倪祺;孟夏卿;王媚 -专利权人：国网智能电网研究院有限公司;北京智慧能源研究院;国网上海市电力公司;天津大学;国家电网有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C08J7/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种增强绝缘特性的聚丙烯薄膜、方法、应用及薄膜电容器，该增强绝缘特性的聚丙烯薄膜制备方法是：制备光催化接枝反应溶液；将光催化接枝反应溶液充分浸润聚丙烯薄膜，构成玻璃板/聚丙烯薄膜/玻璃板的三层组合；将玻璃板/聚丙烯薄膜/玻璃板的三层组合进行光催化接枝处理；将光催化接枝处理后的聚丙烯薄膜取出，进行冲洗并干燥后得到增强绝缘特性的聚丙烯薄膜。本发明通过对聚丙烯薄膜表面接枝强极性官能团，引入了深陷阱，有效抑制了来自于电极的界面电荷注入，从而降低了介电损耗，并提升薄膜的绝缘性能，性能提升效果明显、操作简易且价格成本低廉，并且能够大规模生产制备，可广泛用于薄膜电容器。
增强绝缘特性聚丙烯薄膜方法应用电容器

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310395190.0在审
发明人：孙琬茹;聂瑞芬;金锐;和峰;刘江;李翠;陈堃;田宝华;郝夏敏 -专利权人： 北京智慧能源研究院;国网湖北省电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域，该半导体器件包括基板、焊接层、银烧结层以及功率芯片。焊接层设置在基板上，焊接层包括由上至下设置的氰化浸金层、钯镀层以及镍层；银烧结层设置在焊接层上；功率芯片设置在银烧结层上。该半导体器件能够减小器件中各互连金属构件之间的剪切应力，避免芯片脱落及产生裂纹，能够满足现有功率模块高功率密度、稳定可靠的要求。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种适用于电解堆的电磁原位诊断装置及方法-CN202310250084.3在审
发明人：白子为;邓占锋;徐桂芝;刘敏;康伟;张雪松 -专利权人： 北京智慧能源研究院;国网浙江省电力有限公司电力科学研究院;国网浙江省电力有限公司;国家电网公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01R31/56 文献下载
摘要：一种适用于电解堆的电磁原位诊断装置，包括：空间定位器组合阵列：具有三维定位功能，用于定位电解堆和待测空间位点；底座：用于固定空间定位器组合阵列；电磁感应阵列：用于监测电磁场变化，安装在空间定位器组合阵列上，可实时连续检测三维磁场变化；解析模块：实时的电磁场信号通过该模块计算后用于诊断电解堆内部工装状态及潜在故障风险。本发明实时的电磁场信号通过解析模块计算后用于诊断电解堆内部工装状态及潜在故障风险。
一种适用于电解电磁原位诊断装置方法

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 63 条