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[实用新型]一种房车用的限高防撞装置-CN202320921444.3有效
发明人：曹洪波;李继红;冯光建;王坚;詹阳康 -专利权人：江西趣蜂专用车装备有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B60R19/00 文献下载
摘要：实用新型涉及房车技术领域，且公开了一种房车用的限高防撞装置，包括限定板，所述限定板的内部活动套接有滑轨，所述滑轨的上部固定连接有防撞板，所述防撞板的外部活动套接有前防护板，所述前防护板一侧的内部安装有定位孔，所述滑轨的一侧安装有弹簧，所述限定板的内部安装有第一限定板和感应板，所述防撞板下部的一侧固定连接有垫片，所述防撞板上端的内部活动套接有第一滚筒。该房车用的限高防撞装置，通过防撞板的上部安装有第一滚筒和前防护板的内部安装有第二滚筒，当房车的上部与限高装置接触时，第一滚筒和第二滚筒与限高装置接触后，可减小摩擦阻力，即车辆持续移动时，减小限高装置对车辆造成磨损。
一种房车限高防撞装置

[发明专利]一种转接板侧壁互联射频模组的互联工艺-CN202010855286.7有效
发明人： 冯光建;黄雷;高群 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种转接板侧壁互联射频模组的互联工艺，包括以下步骤：(a)、提供硅片，在硅片上表面形成RDL和焊盘；(b)、在硅片下表面形成RDL和焊盘，拆临时键合得到转接板；(c)、提供第一电路板，在第一电路板的一面设置焊盘，另一面设置焊球，将焊球进行压扁处理，得到第二电路板；(d)、将第二电路板和转接板焊接在第一PCB板的空腔内，得到第二PCB板；(e)、提供芯片，将芯片焊接在第二PCB板上方形成导通结构。本发明的转接板侧壁互联射频模组的互联工艺，通过形成带互联线的转接板，将电路板贴在转接板上使转接板有足够的面积容纳焊接点，芯片和转接板焊接，转接板与PCB焊接，减小PCB板的面积。
一种转接侧壁射频模组工艺

[发明专利]转接板堆叠模组、多层模组和堆叠工艺-CN202110307903.4有效
发明人： 冯光建;黄雷;高群 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明提供一种转接板堆叠模组，包括底座转接板和盖帽转接板；底座转接板的第一表面设有RDL和焊盘；底座转接板的第二表面开有空腔，底座转接板的第二表面设有RDL和焊盘，底座转接板空腔底部设有焊盘；芯片安装在底座转接板的空腔中；芯片的工作面与底座转接板第二表面的RDL电连接；底座转接板第二表面的RDL与其侧面设置的焊盘连接；所述盖帽转接板的第一表面设有与底座转接板空腔相对应的空腔，盖帽转接板的侧面设有焊盘；所述盖帽转接板与底座转接板对位键合堆叠；盖帽转接板侧面焊盘与底座转接板侧面焊盘通过导电线连接。本发明的结构和工艺能够制作厚度较大的转接板，承载厚度较大的芯片。
转接堆叠模组多层工艺

[发明专利]一种硅空腔做载板的芯片嵌入方法-CN202010132308.7有效
发明人：郁发新;冯光建;王永河;马飞;程明芳 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2020-02-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅空腔做载板的芯片嵌入方法，具体包括如下步骤：101)初步处理步骤、102)键合步骤、103)成型步骤；本发明提供制作方便、工艺简化，对芯片底部进行填充的一种硅空腔做载板的芯片嵌入方法。
一种空腔做载板芯片嵌入方法

[发明专利]一种芯片嵌入转接板凹槽制作方法-CN202010132305.3有效
发明人：郁发新;冯光建;王永河;马飞;程明芳 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2020-02-29 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片嵌入转接板凹槽制作方法，具体包括如下步骤：101)金属柱成型步骤、102)空腔制作步骤、103)初次腐蚀处理步骤、104)二次腐蚀成型步骤；本发明提供制作方便、工艺简化、成本低的一种芯片嵌入转接板凹槽制作方法。
一种芯片嵌入转接凹槽制作方法

[发明专利]一种三维堆叠对准方法-CN201910924309.2有效
发明人：郁发新;冯光建;张兵;王志宇;陈华 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维堆叠对准方法，具体包括如下步骤：101)预处理步骤、102)初对准步骤、103)微调步骤、104)键合步骤、105)多层设置步骤；本发明提供达到较高的模组对准能力，节省成本且方便操作的一种三维堆叠对准方法。
一种三维堆叠对准方法

[发明专利]减少应力的芯片贴装工艺-CN202110464976.4有效
发明人： 冯光建;郭西;顾毛毛;黄雷;高群 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种减少应力的芯片贴装工艺，包括以下步骤：步骤S1，通过表面贴装工艺将芯片贴装在基板表面，回流焊接使得芯片正面的各焊球与基板上的焊盘对应连接；所述芯片预设有阵列式小芯片单元；步骤S2，在芯片底部填充底填胶，通过芯片和基板的表面张力，吸收液态的底填胶进入芯片和基板之间的空隙，再使底填胶固化；步骤S3，从芯片背面进行分割，形成沟槽，将芯片分割成阵列式的小芯片单元；各小芯片单元通过基板上焊盘与布线实现阵列式的小芯片单元之间的互联。本发明通过将芯片设计成阵列式结构，芯片与基板焊接并分割成阵列式的小芯片单元，可以降低芯片贴装一致性难度，减少贴装成本，保持芯片总体面积基本不变。
减少应力芯片工艺

[发明专利]一种芯片再分布方法-CN202010134698.1有效
发明人：郁发新;冯光建;王永河;马飞;程明芳 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片再分布方法，具体包括如下步骤：101)制作凸点步骤、102)下压接触步骤、103)成型步骤；本发明提供制作方便、工艺简化，调整芯片与载板接触高低，保证了芯片本身平面度一致的一种芯片再分布方法。
一种芯片再分方法

[发明专利]底填胶填充芯片边缘区域的工艺方法-CN202110437178.2有效
发明人： 冯光建;郭西;高群;顾毛毛 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种底填胶填充芯片边缘区域的工艺方法，包括以下步骤：步骤S1，提供基板，在基板待贴装芯片的表面改性成对底填胶胶体非浸润；步骤S2，通过表面贴片工艺将芯片贴装在基板的该表面；并通过回流焊焊接；回流焊焊接时，在芯片与基板之间围绕芯片四周分布有焊接柱；步骤S3，对芯片边缘的基板边缘区域改性成对底填胶胶体浸润；步骤S4，在芯片边缘的基板边缘区域设置底填胶，加热回流使底填胶布满芯片边缘和基板边缘区域，然后固化得到最终的模组。本发明能够在进行底填胶填充工艺时避开不需要覆盖的芯片表面区域。
底填胶填充芯片边缘区域工艺方法

[发明专利]一种腔底防溢胶结构的制备方法-CN202110557075.X有效
发明人： 冯光建;黄雷;郭西;高群 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种腔底防溢胶结构的制备方法，包括以下步骤：在硅片表面制作TSV金属柱，临时键合TSV金属柱开口一面，并减薄硅片的背面；在硅片表面制作钝化层，并形成带有阶梯结构的空腔，TSV金属柱从空腔的底部露出；在空腔的边缘涂布绝缘填充胶，在空腔的底部填充导电胶；加热硅片的底部，待胶体变软紧密结合在空腔底部后，贴装芯片，并对芯片施加压力，使胶体溢出并填充芯片与空腔的缝隙，完成芯片的嵌入动作。本发明在空腔底部形成阶梯结构的空腔，犹如形成围栏，在围栏里面用导电胶，围栏外圈则用绝缘填充胶，嵌入芯片并挤压使导电胶在底部胶均匀填充，溢出的胶则被绝缘填充胶阻挡，分布在芯片的四周，避免胶体溢出。
一种腔底防溢胶结制备方法

[发明专利]一种超厚转接板的制作方法-CN202010186946.7有效
发明人：郁发新;冯光建;王志宇;张兵 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种超厚转接板的制作方法，包括：转接板采用具有SOI层的硅片，在具有SOI层的硅片的底部做硅通孔，沉积钝化层和种子层，之后电镀金属；在底部电镀金属的硅片的顶部做硅通孔，为顶部硅通孔；在顶部开有硅通孔的硅片的顶部硅通孔沉积钝化层然后刻蚀打开钝化层，然后做电镀种子层，在顶部硅通孔表面电镀填充金属；沉积种子层，电镀填充金属，通过抛光去除转接板两面的金属层，得到超厚转接板。本发明通过在硅片表面制作不同的TSV孔，使硅片上下表面能进行电互联，所做TSV孔深度较大，能够使硅片不用临时键合工艺也能方便制作，大大较少了转接板的制作成本，有力的推动了转接板的普及。
一种转接制作方法

[发明专利]多层堆叠模组层间互联工艺-CN202110464995.7有效
发明人： 冯光建;陈桥波;黄雷;高群 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种多层堆叠模组层间互联工艺，包括以下步骤：步骤S1，提供硅片，在硅片的第一表面制作TSV金属柱，并通过钝化层覆盖所述硅片的第一表面和TSV金属柱顶端；步骤S2，在硅片第一表面刻蚀硅凹槽，使TSV金属柱侧壁露出，清洗去除TSV金属柱侧壁的钝化层；步骤S3，采用步骤S1～S2同样方式加工另一块硅片；步骤S4，在两块硅片的第一表面涂布胶或者金属焊料，加热使两层硅片焊接在一起；步骤S5，在两层硅片硅凹槽的TSV金属柱侧面涂布焊锡或者植焊锡球，回流焊使得焊锡融化使两层硅片的TSV金属柱互联；步骤S6，对通过以上工艺堆叠后形成的模组侧面进行抛光和打磨，使得模组侧面焊锡光滑。本发明能够简化工艺难度。
多层堆叠模组层间互联工艺

[发明专利]一种高深宽比TSV金属柱的电镀工艺-CN202110435726.8有效
发明人： 冯光建;莫炯炯;顾毛毛;郭西;高群 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种高深宽比TSV金属柱的电镀工艺。本发明高深宽比TSV金属柱的电镀工艺包括以下步骤：在硅片的上下表面分别制作第一TSV盲孔和第二TSV盲孔，第一TSV盲孔与第二TSV盲孔之间有硅材质或钝化层隔离；在硅片的表面和TSV盲孔侧壁形成钝化层，然后在硅片的一面和第一TSV盲孔侧壁沉积种子层；干法刻蚀钝化层，然后将种子层作为导电层继续在硅片表面和TSV盲孔中电镀金属层，退火后抛光所述硅片双面的金属层，得到TSV盲孔填满金属柱的双孔互联的硅片结构，能够方便地制备具有高深宽比TSV金属柱的转接板，为制备具有较深TSV结构的转接板提供了一种新思路。
一种高深 tsv 金属电镀工艺

[实用新型]点歌柜-CN202223542652.7有效
发明人：曹洪波;冯光建;胡烘;梅晓琴 -专利权人：江西趣蜂专用车装备有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G10H1/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了点歌柜，涉及房车车载家具技术领域，具体包括柜体，所述柜体上分别设有影音腔、收纳腔和暖风出风装置，所述影音腔设置在柜体的上端，且影音腔的内部设有影音设备，所述收纳腔位于影音腔的侧面，所述暖风出风装置设置在柜体的下端，所述柜体远离收纳腔的一侧上端分别安装有连接插座和控制器。本实用新型使用时，多组功能性配置，提高了点歌柜整体实用性，给房车旅途增添更多乐趣，同时该点歌柜整体结构简单，与房车形成整体模块化组装，增加操作空间的同时节省生产时间。
点歌

[发明专利]一种超厚转接板的制作方法-CN202010128859.6有效
发明人：郁发新;冯光建;王永河;马飞;程明芳 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种超厚转接板的制作方法，包括以下步骤：A，在双层SOI硅片转接板表面制作TSV，对TSV进行金属填充，减薄转接板背面，在转接板背面制作凹槽；B，在凹槽内电镀金属，对腔体进行胶体填充，在转接板背面制作RDL和焊盘；C，对转接板TSV面做空腔刻蚀，腐蚀掉空腔内TSV；D，在空腔内电镀金属，对腔体进行胶体填充，在转接板TSV面制作RDL和焊盘；E，切割转接板成单一芯片，得到具有上下互联结构的转接板。
一种转接制作方法

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