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[发明专利]一种高可靠性半导体器件及其制造方法-CN202310576474.X在审
发明人：牛喜平;杨霏;魏晓光;桑玲;安运来;张文婷;杨同同;罗伟霞;田琰;刘瑞;杜泽晨;李晨萌 -专利权人：北京智慧能源研究院;国网北京市电力公司
申请日： 2023-05-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种高可靠性半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域，该半导体器件包括基体，基体上间隔设置有第一导电类型阱，相邻两个第一导电类型阱之间设置有JFET区；第一导电类型阱内设有雪崩电荷缓冲区，雪崩电荷缓冲区包括第二导电类型阱源区以及第一导电类型接触区，第一导电类型接触区位于第二导电类型阱源区一侧，第一导电类型接触区的宽度自芯片边缘向芯片中央递增。该高可靠性半导体器件具有较高的抗雪崩能力，而且能够改善碳化硅MOSFET芯片工作状态时内部温度分布不均匀问题，使得器件具有较高的工作稳定性。
一种可靠性半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件结构及制备方法-CN202310177334.5在审
发明人：杨同同;杨霏;魏晓光 -专利权人：北京智慧能源研究院;国网上海市电力公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种碳化硅MOSFET器件结构及制备方法，包括：SiCN++衬底、N型SiC外延层、自适应P+屏蔽区、自适应连接P区、自适应P+注入区、P型基区、P+注入区、源极欧姆接触、N+源区、栅氧化层、自适应连接源极欧姆接触、栅源隔离介质、栅极、源极加厚金属。本发明具有更低的比导通电阻、更低的峰值氧化层电场强度；本发明能够降低器件导通损耗、提升器件栅氧长期可靠性；本发明公开的屏蔽区电压自适应调整的SiC MOSFET结构，既拥有浮空P+屏蔽区MOSFET的低导通电阻，又具有接地P+屏蔽区SiC MOSFET的低氧化层峰值电场强度，在低损耗、高可靠性等方面具有明显的优势。
一种碳化硅 mosfet 器件结构制备方法

[实用新型]一种碳化硅MOSFET-CN202222583433.7有效
发明人：牛喜平;魏晓光;汤广福;安运来;桑玲;张文婷;刘瑞;杜泽晨;李晨萌;杨霏 -专利权人：北京智慧能源研究院;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本实用新型提供一种碳化硅MOSFET，包括：碳化硅衬底、生成在所述碳化硅衬底上的缓冲层、生长在所述缓冲层上的漂移区、在所述漂移区上设有从碳化硅MOSFET芯片边缘至芯片中央宽度逐渐增大的集成二极管p区、pwell区和源极区域；其中，所述源极区域包括：n+区和p+区，所述p+区嵌于所述n+区内部，所述n+区嵌于pwell区内部。本实用新型通过形成具有多组宽度从碳化硅MOSFET芯片边缘至芯片中央宽度逐渐增加集成二极管p区，可以增强二极管的导通性能和抗浪涌电流能力，并且可以有效降低芯片中央的结温，从而使得降低结温的芯片中央和芯片边缘的温度差更小，因此芯片整体呈现的是相对均匀的温度。
一种碳化硅 mosfet

[发明专利]一种半导体功率器件及其制备方法-CN202211095497.0在审
发明人：杜泽晨;杨霏;张文婷;刘瑞;安运来;牛喜平;桑玲;吴裔;田英杰 -专利权人：北京智慧能源研究院;国网上海市电力公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体功率器件及其制备方法，其中，半导体功率器件包括：半导体衬底层；第一漂移层，位于半导体衬底层上；第二漂移层，位于第一漂移层背离半导体衬底层的一侧表面，第二漂移层的导电类型和第一漂移层的导电类型相同，第二漂移层的掺杂浓度大于第一漂移层的掺杂浓度；位于第二漂移层中的阱区；位于阱区中的源区。本发明的半导体功率器件能够改善大功率半导体功率器件的导通性能。
一种半导体功率器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体离子注入机的智能化作业的系统和方法-CN202310269494.2在审
发明人：阎海亮;李玲;魏晓光;朱涛;李青岭;李嘉琳;王锐;杨霏;汪玉;王鑫 -专利权人：北京智慧能源研究院;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01J37/302 文献下载
摘要：一种半导体离子注入机的智能化作业系统和方法，所述系统包括：半导体离子注入机、KVM切换器、搭载RPA流程自动化模块的远程操控服务器或电脑；所述离子注入机能够对半导体工艺进行离子注入，被单独操作运行作业；所述KVM切换器用于把离子注入机切换到远程操控端服务器或电脑，通过网络通讯将离子注入机和远程操控端的服务器或电脑串联起来，远程操控服务器或电脑通过KVM切换器控制离子注入机的远程界面；所述RPA流程自动化模块搭载到远程操控端服务器或电脑，包括OCR文字识别单元、流程编辑单元、CV视觉处理单元、Dashboard单元。本发明大幅降低了人工工作的强度和时长、作业时的辐射风险，提升半导体离子注入机的作业效率。
一种半导体离子注入智能化作业系统方法

[发明专利]一种半导体器件的制备方法-CN202111465401.0在审
发明人：安运来;张文婷;杨霏;桑玲;刘瑞;田丽欣;张朋;罗松威;杜泽晨;汪玉;王鑫 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供第一半导体衬底；提供第二半导体衬底，所述第二半导体衬底的直径大于所述第一半导体衬底的直径；把所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底键合在一起；在所述第一半导体衬底背向所述第二半导体衬底的一侧形成正面器件结构；形成所述正面器件结构之后，去除所述第二半导体衬底。第一半导体衬底的尺寸虽然与工艺线的设计尺寸不匹配，但是由于工艺线的设计尺寸与第二半导体衬底的尺寸匹配，第一半导体衬底也可以在工艺线上制备正面器件结构，工艺线可以同时兼容不同直径尺寸的半导体器件流片。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]一种双层掩膜改善钛铝腐蚀形貌的方法及器件-CN202310120878.8在审
发明人：孙俊敏;魏晓光;朱涛;李玲;吴沛飞;白雪;董佳俊;王海兴;周行;李嘉琳;张丙可;金锐;杨霏 -专利权人：国网智能电网研究院有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种双层掩膜改善钛铝腐蚀形貌的方法及器件，包括：在晶圆表面依次沉积金属钛层和金属铝层，并在所述金属铝层上生长预设厚度的氧化膜；在所述金属钛层和金属铝层待腐蚀区域对应的所述氧化膜表面上旋涂光刻胶，对所述光刻胶进行光刻处理，形成具有预设形状窗口的光刻胶膜；通过所述具有预设形状窗口的光刻胶膜对所述氧化膜进行刻蚀，形成具有预设形状窗口的氧化膜；通过所述具有预设形状窗口的氧化膜和光刻胶膜对金属铝层和金属钛层依次进行腐蚀，得到具有预设形状窗口的金属钛层和金属铝层，并去除所述光刻胶膜和氧化膜，所述金属钛层和金属铝层的窗口边缘形貌为预设形状。可改善金属腐蚀边缘形貌，有效去除氧化膜而不影响芯片性能。
一种双层改善腐蚀形貌方法器件

[发明专利]一种半导体功率器件及其制备方法-CN202111433944.4在审
发明人：桑玲;杨霏;吴军民;牛喜平;张文婷;安运来 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体功率器件及其制备方法，其中，该半导体功率器件包括半导体层、源极、栅极、半导体区域、阱区和JFET区，所述JFET区形成在两个阱区之间的所述半导体层内，且所述JFET区具有与栅极交叠的部分，所述JFET区内的离子掺杂浓度为1E16‑1E18cm‑3，所述JFET区与所述半导体层的导电类型相同。本发明通过在阱区之间的半导体层内形成JFET区，该JFET区具有与栅极交叠的部分，其中交叠部分的面积可以用于改变器件的正向导通电阻和栅端的MOS电容，从而实现对栅控半导体功率器件的正向导通特性以及开关时间和开关损耗等开关特性的调制。
一种半导体功率器件及其制备方法

[发明专利]一种探针台及IGBT芯片测试系统-CN202111333394.9在审
发明人：杜泽晨;杨霏;吴军民 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G01R1/073 文献下载
摘要：本发明提供一种探针台及IGBT芯片测试系统，探针台包括：导电载台，导电载台适于承载IGBT芯片且与IGBT芯片的集电极接触；绝缘支撑件，绝缘支撑件位于导电载台的侧部；绝缘升降件，绝缘升降件与导电载台相对设置并适于沿着绝缘支撑件作升降运动；探针组件，探针组件包括相互间隔的栅极探针和发射极探针，栅极探针的一端和发射极探针的一端分别贯穿绝缘升降件，栅极探针的相对端适于与IGBT芯片的栅极接触，发射极探针的相对端适于与IGBT芯片的发射极接触。探针台能够直接对IGBT芯片进行动态特性测试，避免了对IGBT芯片封装带来的寄生参数，提高了动态特性测试的结果的准确性。同时，还避免了对IGBT芯片进行封装，节约了封装成本。
一种探针 igbt 芯片测试系统

[发明专利]一种基于互相关算法的涡流阻抗求解方法及装置-CN201910585996.X有效
发明人：胡鹏飞;沈力;杨楠;宋茂江;杨霏;龙波;邓兵 -专利权人：贵州装备制造职业学院
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于互相关算法的涡流阻抗求解方法及装置，在阐述互相关算法原理的基础上，基于Xilinx FPGA硬件平台，给出了互相关算法的核心组件的数字化设计，因算法仅需单片FPGA及少量接口器件即可实现，利于检测设备的小型化和便携化；经互相关算法得到的结果与LCR测试结果比对，误差保持在±0.5％内,算法准确性高；互相关算法约2.4s完成8组频率响应下的单只工件分选，算法实时性强，适合在线检测；同相及正交支路分量输出趋近直流的程度是互相关算法精度的体现，同相支路的直流输出仍有低频抖动，后续工作的开展从成形滤波后引入滑动平均滤波算法入手，让更多周期的分量数据参与均值运算，则直流分量计算准确度预计会进一步提高。
一种基于互相算法涡流阻抗求解方法装置

[发明专利]比接触电阻检测样品的制备方法及比接触电阻检测样品-CN202211734844.X在审
发明人：魏晓光;朱涛;焦倩倩;董佳俊;王锐;阎海亮;李嘉琳;李青岭;李玲;金锐;杨霏 -专利权人：国网智能电网研究院有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提供一种比接触电阻检测样品的制备方法及比接触电阻检测样品，包括：在清洗后的SiC晶圆表面沉积介质膜；在所述介质膜表面旋涂光刻胶，并对所述光刻胶进行预处理，形成具有预设图案的光刻胶膜，基于所述光刻胶膜对所述介质膜进行腐蚀处理，去除光刻胶膜，形成具有预设图案的介质膜；基于所述介质膜沉积金属层，在预设温度中对金属层进行激光退火处理；通过金属腐蚀液对激光退火后的金属层进行腐蚀处理，得到比接触电阻检测样品。本发明通过在进行光刻处理后的具有预设图案的介质膜上沉积金属层，然后优化了比接触电阻检测样品的制备过程，提升比接触电阻金属区退火均匀性，从而得到较准确的欧姆接触比接触电阻，从而有效的评估激光退火欧姆接触工艺效果。
接触电阻检测样品制备方法

[实用新型]一种基于图像识别的视频监控装置-CN202320194708.X有效
发明人：刘博;蒙宇村;杨霏 -专利权人：承德纵横电子商务有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： F16M11/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及视频监控装置技术领域，具体为一种基于图像识别的视频监控装置，包括摄像头，所述摄像头内开设有L形活动槽，所述L形活动槽内活动连接有活动柱，所述活动柱的两端固定连接有同一个挡板，所述挡板的内部顶面开设有卡槽一，所述摄像头的上表面开设有滑槽一，所述滑槽一内设有弹性组件，所述摄像头的底面铰接有铰接板，本实用新型通过设置的活动柱、挡板、卡槽一、滑槽一、铰接板和底座，解决了视频监控装置上的挡板与视频监控装置固定在一起，当视频监控装置上的挡板损坏时，不方便人们拆卸下来进行更换，且视频监控装置与墙壁通过螺栓固定在一起，当视频监控装置损坏时，不方便人们取下进行更换的问题。
一种基于图像识别视频监控装置

[实用新型]一种碳化硅复合终端结构-CN202222121728.2有效
发明人：牛喜平;桑玲;魏晓光;杨霏;安运来;刘瑞;杜泽晨 -专利权人：国网智能电网研究院有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：一种碳化硅复合终端结构，在所述碳化硅复合终端的衬底上设有缓冲层，且所述缓冲层上设有外延层；所述外延层上设有斜面刻蚀区；在所述斜面刻蚀区表面沉积掩膜结构；所述斜面刻蚀区的高侧为碳化硅器件有源区，所述斜面刻蚀区的低侧为碳化硅器件边缘区；在所述斜面刻蚀区上设有结终端扩展结构和场限环结构。本实用新型在斜面刻蚀区设有结终端扩展结构和场限环结构使电场分布趋于平缓，有效降低器件表面的局部电场，提高器件的可靠性。
一种碳化硅复合终端结构

[发明专利]胞内集成二极管的碳化硅MOSFET器件及其制备方法-CN202211475391.3在审
发明人：安运来;杨霏;魏晓光;桑玲;张文婷;牛喜平;刘瑞;杜泽晨;李晨萌;王鑫;张淑娟 -专利权人：北京智慧能源研究院;国家电网有限公司;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种胞内集成二极管的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，该器件包括：碳化硅MOSFET器件以及漂移层远离衬底的表面设置的平滑的刻蚀凹槽，凹槽内部填充有肖特基接触金属，刻蚀凹槽的侧壁设有离子注入区，离子注入区顶部填充欧姆接触金属。通过实施本发明，在元胞内形成结势垒肖特基二极管，节约了芯片面积，显著改善器件第三象限特性，实现了低第三象限开启电压，避免了双极退化效应的发生；平滑的刻蚀凹槽结构可以避免电场集中，离子注入能够避免栅极击穿，同时在不改变电流通路的情况下，实现了通过结势垒肖特基二极管结构对裂栅的包裹和保护，降低了栅氧化层电场，增强了器件的可靠性。
集成二极管碳化硅 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅器件结终端结构的制备方法及结终端结构-CN202211189001.6在审
发明人：张文婷;牛喜平;魏晓光;杨霏;朱涛;安运来;刘瑞;杜泽晨;桑玲;李晨萌 -专利权人：北京智慧能源研究院;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/334 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅器件结终端结构的制备方法及结终端结构，包括：在碳化硅衬底层上形成外延层，并在所述外延层上沉积介质层；对所述介质层进行多次光刻和多次刻蚀处理，形成具有多种厚度的掩膜台阶；通过所述具有多种厚度的掩膜台阶向所述外延层进行离子注入，形成具有多种离子深度的结终端结构。通过具有多种厚度的掩膜台阶向外延层进行离子注入，形成具有多种离子深度的结终端结构，可以避免离子注入对碳化硅表面损伤，消除表面不可控的低浓度注入区域，提高了器件终端结构的可靠性和稳定性。
一种碳化硅器件终端结构制备方法

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