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[发明专利]EUV掩模检验的方法及设备-CN202280008517.8在审
发明人： E·米尔施泰因;A·毕卡诺维;K·齐古特金;L·威尔逊;L·库切尔;B·阿尔;M·亚历山德罗维奇·德明斯基;L·鲍里索维奇·兹韦德努科;A·弗拉基米罗维奇·列别杰夫;A·叶夫根尼耶维奇·斯捷潘诺夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：本公开提供一种用于在EUV光源中产生保护缓冲流的方法及一种EUV掩模检验设备。所述方法包含沿光路径将光从所述EUV光源引导朝向集光器。通过所述集光器中的多个穿孔注入来自缓冲气体注入器的第一缓冲气体。所述第一缓冲气体经引导远离所述集光器的表面。从布置于所述集光器外围且相对于所述集光器朝向所述光路径布置于第一距离的环形歧管注入第二缓冲气体。所述第二缓冲气体经引导远离所述集光器的所述表面。所述第一距离对应于距所述集光器的距离，在所述距离处所述第一缓冲气体合并为单个流。
euv 检验方法设备

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN202211496299.5在审
发明人：李在镒;罗暻朝 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法可以使用半导体层的显影后检查(ADI)来确定光致抗蚀剂图案的返工。返工可以包括叠加函数的单至双转换(SDC)。
制造半导体装置方法

[发明专利]用于EUV光谱范围的二元强度掩模-CN202180082331.2在审
发明人： O·保罗;D·钟 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司;ASML荷兰公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种在以EUV辐射工作的EUV系统中使用的二元强度掩模(100)，包括衬底(110)和掩模结构(140)，该掩模结构被施加到衬底上并包含吸收体材料。掩模结构(140)具有结构化层组件，该结构化层组件包括由第一层材料制成的第一层(151)和由第二层材料制成的第二层(152)。在EUV辐射的波长λ处，第一层材料的折射率的实部n1大于1，而第二层材料的折射率的实部n2小于1。
用于 euv 光谱范围二元强度

[发明专利]极紫外遮罩及其制造方法-CN201910818426.0有效
发明人：石志聪;简聪智;傅士奇;傅啟华;郑国堂;刘柏村;李宗泉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：一种极紫外线遮罩及其制造方法。极紫外(extreme ultraviolet；EUV)遮罩包括：多层钼/硅堆叠、覆盖层及在覆盖层上的吸收体层。钼/硅堆叠包含安置于遮罩基板的第一主表面之上的交替的钼及硅层；覆盖层由钌制成并且安置在多层钼/硅堆叠之上。极紫外遮罩包括电路图案区域及粒子吸引区域，并且覆盖层在粒子吸引区域的图案的底部处暴露。
紫外及其制造方法

[发明专利]用于DUV光刻的光掩模版结构及其制备方法-CN202210817896.7有效
发明人：季明华;任新平;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：本发明提供一种用于DUV光刻的光掩模版结构及其制备方法，光掩模版结构包括：第一透光基底，第一透光基底包括相对的第一面和第二面；第一遮光掩模图形，设置于第一透光基底的第一面；第二透光基底，第二透光基底包括相对的第一面和第二面；第二遮光掩模图形，设置于第二透光基底的第一面；第一透光基底与第二透光基底堆叠设置，第一遮光掩模图形与第二遮光掩模图形不重叠，能在曝光系统投影的同一平面上的投影共同形成光掩模版结构所需的光掩模精细图案。基于本发明的光掩模版结构的光刻分辨率得到了较大的提升，晶圆上的图案缺陷得到了显著改善，同时光刻工艺的过程也得到了简化。
用于 duv 光刻模版结构及其制备方法

[发明专利]EUV光掩模基版、EUV光掩模版及其制造方法、衬底回收方法-CN202210594695.5有效
发明人：季明华;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种EUV光掩模基版、EUV光掩模版及其制造方法、基底，利用低成本、热膨胀系数接近于0的有机聚合物衬底，与具有深间隙填充能力、良好的热稳定性以及局部和全局的平面化能力的旋涂碳层(Spin‑on Carbon，SOC)相结合，提供表面缺陷较少且表面更加平坦的衬底，进而能制造更低成本、更少缺陷、更高性能的EUV光掩模版。进一步地，本发明还提供一种衬底回收方法，利用该旋涂碳层做牺牲层，在依次去除吸收层、反射膜堆栈层而暴露出旋涂碳层之后，采用等离子体灰化工艺很容易地去除该旋涂碳层，进而回收有机聚合物衬底，以用于新的EUV光掩模版的制造，进一步降低新的EUV光掩模版的制造成本。
euv 光掩模基版模版及其制造方法衬底回收

[发明专利]利用单次曝光形成多层图案的具有三种状态的光掩模-CN202010531834.0有效
发明人：卢彦丞;石志聪;游信胜;陈政宏;严涛南 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：本发明提供了用于光刻曝光工艺的掩模的一个实施例。该掩模包括：掩模衬底；第一掩模材料层，被图案化以具有限定第一层图案的多个第一开口；以及第二掩模材料层，被图案化以具有限定第二层图案的多个第二开口。本发明还公开了利用单次曝光形成多层图案的具有三种状态的光掩模。
利用曝光形成多层图案具有状态光掩模

[发明专利]成像对比度增强掩模及其制备方法-CN202211703277.1在审
发明人：罗先刚;罗云飞;刘凯鹏;张译尹;艾鑫;赵泽宇;高平 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：本公开提供一种成像对比度增强掩模及其制备方法，成像对比度增强掩模包括：掩模基底；吸收层，形成于掩模基底上，其中，吸收层的图形区中形成有尖端掩模图形结构，吸收层的材料为贵金属材料。该成像对比度增强掩模利用贵金属和尖端形状双重增强表面等离子体的激发，从而提升图形的成像对比度，实现高分辨率图形的加工。
成像对比度增强及其制备方法

[发明专利]掩膜板坯料、相移掩膜板及半导体器件的制造方法-CN201910950358.3有效
发明人：野泽顺;宍戸博明;酒井和也 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：一种掩膜板坯料、相移掩膜板及其它们的制造方法，根据该掩膜板坯料，即使在形成相移膜的材料中使用硅类材料的情况下，该相移膜在面内及膜厚方向上的组成以及光学特性的均匀性也较高，多个基板间的相移膜的组成以及光学特性的均匀性也较高，进而缺陷也较少。该掩膜板坯料的特征在于，在透光性基板上设有相移膜，所述相移膜以规定的透光率使ArF曝光光透过，且具有使透过的ArF曝光光产生规定量相移的功能，所述相移膜具有层叠了低透光层及高透光层的结构，所述低透光层及所述高透光层由以硅及氮形成的材料形成，或者由在该材料中含有从半金属元素、非金属元素以及稀有气体中选择的一种以上元素的材料形成，所述低透光层与所述高透光层相比，氮含量相对少。
掩膜板坯料相移半导体器件制造方法

[发明专利]空白掩模、使用其的光掩模及半导体器件的制造方法-CN202211047392.8在审
发明人：李乾坤;崔石荣;李亨周;孙晟熏;金星润;郑珉交;金泰完;申仁均 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：根据本实施方式的空白掩模，其包括：透光基板；以及配置在所述透光基板上的遮光膜。遮光膜包含过渡金属、氧以及氮中的至少任意一种。用二碘甲烷(Diiodomethane)测量的所述遮光膜的接触角为40°以上且45°以下。所述遮光膜的表面的Rsk值为‑1以上且0以下，所述遮光膜的表面的Rku值为7以下。所述空白掩模能够容易实现使用清洗溶液的遮光膜表面的清洗，并且在涂布抗蚀剂膜时能够与抗蚀剂膜之间具有稳定的附着力。
空白使用光掩模半导体器件制造方法

[发明专利]表膜和表膜组件-CN202211277986.8在审
发明人： D·F·弗莱斯;E·A·阿贝格;A·本迪克塞;德克·S·G·布龙;P·K·果维欧;保罗·詹森;M·A·纳萨莱维奇;A·W·诺滕博姆;玛丽亚·皮特;M·A·范德柯克霍夫;威廉·琼·范德赞德;彼得-詹·范兹沃勒;J·P·M·B·沃缪伦;W-P·福尔蒂森;J·N·威利 -专利权人： ASML荷兰有限公司;ASML控股股份有限公司
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：一种适合与用于光刻设备的图案形成装置一起使用的表膜。所述表膜包括至少一个破裂区域，配置成在光刻设备中的正常使用期间在表膜的剩余区域破裂之前优先破裂。至少一个破裂区域包括表膜的在与表膜的周围区域相比时具有减小的厚度的区域。
组件

[发明专利]具有黑色边界区域的光刻掩模及其制造方法-CN201810457279.4有效
发明人：林进祥;陈建诚;李信昌;陈嘉仁;许倍诚;苏益辰;李环陵;沈仓辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：光刻掩模包括衬底、设置在衬底的第一侧上方的反射结构和设置在反射结构上方的图案化的吸收层。光刻掩模包括第一区域和在俯视图中围绕第一区域的第二区域。图案化的吸收层位于第一区域中。基本非反射材料位于第二区域中。通过以下方法形成光刻掩模：在衬底上方形成反射结构，在反射结构上方形成吸收层，限定光刻掩模的第一区域，以及限定光刻掩模的第二区域。第一区域的限定包括图案化吸收层。第二区域限定为在俯视图中围绕第一区域。第二区域的限定包括在第二区域中形成基本非反射材料。本发明的实施例还涉及具有黑色边界区域的光刻掩模及其制造方法。
具有黑色边界区域光刻及其制造方法

[发明专利]表膜和表膜组件-CN202211277895.4在审
发明人： D·F·弗莱斯;E·A·阿贝格;A·本迪克塞;德克·S·G·布龙;P·K·果维欧;保罗·詹森;M·A·纳萨莱维奇;A·W·诺滕博姆;玛丽亚·皮特;M·A·范德柯克霍夫;威廉·琼·范德赞德;彼得-詹·范兹沃勒;J·P·M·B·沃缪伦;W-P·福尔蒂森;J·N·威利 -专利权人： ASML荷兰有限公司;ASML控股股份有限公司
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：一种适合与用于光刻设备的图案形成装置一起使用的表膜。所述表膜包括至少一个破裂区域，配置成在光刻设备中的正常使用期间在表膜的剩余区域破裂之前优先破裂。至少一个破裂区域包括表膜的在与表膜的周围区域相比时具有减小的厚度的区域。
组件

[发明专利]EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版及其制造方法-CN202211075952.0有效
发明人：季明华;董于虎;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版及其制造方法，在基底上覆盖具有负热膨胀系数的有机聚合物材料层，并对有机聚合物材料层进行诱导裂纹处理，形成相应的裂纹，进一步在有机聚合物材料层的裂纹中以及表面上覆盖旋涂碳层（Spin‑on Carbon，SOC），使得所述EUV级衬底表面的热膨胀系数小于或等于0.1ppm/℃，进而可以获得低成本、高性能、低缺陷的EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩摸版。
euv 衬底掩模基版模版及其制造方法

[发明专利]紫外线固化掩模板及其制作方法、以及显示装置-CN202210865859.3在审
发明人：王洋清;杨雪鑫;张千;岳彬;童俊海;庄珍珍;李福顺;周晖;黄骏;陈芸;陈廷位;胡璋;李利杰 -专利权人：福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种紫外线固化掩模板及其制作方法、以及显示装置。在一具体实施方式中，紫外线固化掩模板，包括：衬底基板；形成在所述衬底基板上用于遮光的掩模层，其中，掩模层包括多个镂空图案，镂空图案具有波浪形边缘。该实施方式提供一种掩模层中镂空图案边缘不平滑的紫外线固化掩模板，该掩模板能够利用现有紫外线固化掩模板制作，而不必采购额外的图案化掩模板进行图案化，从而能够以更低的成本实现对显示装置的封框胶进行紫外线固化功能，具有广阔的应用前景。
紫外线固化模板及其制作方法以及显示装置

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