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[发明专利]一种瞬态电压抑制器及其制作方法-CN201811530030.8在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：泉州臻美智能科技有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种瞬态电压抑制器及其制作方法，包括：提供第一导电类型的衬底以及第二导电类型的外延层；在所述外延层内形成第一导电类型的第一埋层和第二埋层；形成贯穿所述外延层延伸至所述衬底的第一介质层；形成从所述外延层上表面延伸至所述外延层中的第二介质层和第三介质层；在所述第一埋层和所述第二埋层的上侧形成第二导电类型的第一注入区；在所述第一沟槽分别与所述第二沟槽及所述第三沟槽之间形成第二导电类型的第二注入区；在所述第二沟槽和所述第三沟槽之间形成第一导电类型的第三注入区
外延层埋层第一导电类型导电类型介质层注入区瞬态电压抑制器上表面衬底第二金属层第一金属层背面电极浪涌电压正面电极低电容低水平延伸钳位制作贯穿

[发明专利]低开启电压和低导通电阻的碳化硅二极管及制备方法-CN202010126013.9有效
发明人：邓小川;路晓飞;徐晓杰;李旭;李轩;孙燕;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种低开启电压和低导通电阻的碳化硅二极管及其制作方法，包括阴极金属电极、阴极金属电极上方的N+衬底、N+衬底上方的N‑漂移区；N‑漂移区上方的P型屏蔽埋层、P型屏蔽埋层内部的P+欧姆接触区、P+欧姆接触区上方的阳极金属电极、P型屏蔽埋层上方的槽栅介质层、槽栅介质层内部的多晶硅槽栅、槽栅介质层之间的N+源区、N+源区之间上方的平面栅介质层、平面栅介质层内部的多晶硅平面栅，阳极金属电极覆盖槽栅介质层、多晶硅槽栅、N+源区、平面栅介质层、多晶硅平面栅。
开启电压通电碳化硅二极管制备方法

[发明专利]一种PSOI横向双扩散金属氧化物半导体场效应管-CN201410234468.7有效
发明人：段宝兴;李春来;杨银堂;马剑冲;袁嵩 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：这种结构是在靠近基区衬底中离子注入浓度渐变型埋层，中间部分为半导体衬底，靠近漏端衬底中埋有隔离的介质埋层。其耐压机理是通过浓度渐变型埋层电荷产生的附加电场调制作用，导致表面电场分布中产生一些新的峰并且趋于均匀而使击穿电压提高；浓度渐变型埋层的电中性作用补偿了漂移区优化的浓度而使器件比导通电阻降低，由此改善了
一种 psoi 横向扩散金属氧化物半导体场效应

[发明专利]具有复合栅介质的横向功率器件-CN201310749307.7有效
发明人：魏星;徐大伟;狄增峰;方子韦 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种具有复合栅介质的横向功率器件，包括半导体衬底、位于所述半导体衬底表面的绝缘埋层、位于所述绝缘埋层表面的有源层、位于所述有源层表面的栅介质层、位于所述栅介质层表面的栅电极和位于所述栅电极两侧的源电极和漏电极，所述栅介质层包括位于所述源电极一侧的第一栅介质和位于所述漏电极一侧的第二栅介质，所述第一栅介质的等效栅氧厚度大于所述第二栅介质的等效栅氧厚度，所述第一栅介质与所述第二栅介质相接触。本发明的优点在于，采用复合栅介质结构可以降低开态电阻，改善器件的跨导特性。
具有复合介质横向功率器件

[发明专利]具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片及其制成方法-CN201010278735.2有效
发明人：李乐 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-09-10 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明提出一种具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片，用于在绝缘体上硅衬底上制作器件，绝缘体上硅衬底依次包括衬底层、氧化掩埋层、单晶硅顶层和层间介质层，具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片包括金属接触孔，金属接触孔贯穿层间介质层、单晶硅顶层和氧化掩埋层，与衬底层接触。本发明所揭露的绝缘体上硅衬底硅片，在SOI衬底中形成金属接触孔，消除了氧化掩埋层对于热量的阻挡，增大SOI衬底的导热能力。
具有散热结构绝缘体衬底硅片及其制成方法

[发明专利]一种光波导模斑转换装置及其制造方法-CN202211038179.0有效
发明人：冯大增;仇超;田斌;王奕琼 -专利权人：上海羲禾科技有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：本申请涉及集成光芯片技术领域，特别涉及一种光波导模斑转换装置及其制造方法，该装置包括硅衬底、氧化硅埋层、绝缘体层、楔形波导、电介质层和辅助波导；楔形波导设置于绝缘体层上；绝缘体层设置于氧化硅埋层上；氧化硅埋层设置于衬底上；楔形波导的大头端用于与硅光波导连接；电介质层设置于绝缘体层上，并包围楔形波导；辅助波导设置于电介质层上；辅助波导用于在楔形波导的小头端与光纤耦合；楔形波导的大头端用于与硅光波导连接；辅助波导的第一折射率小于楔形波导的第二折射率，且大于电介质层的第三折射率。
一种波导转换装置及其制造方法

[发明专利]双埋层SOI高压器件-CN201410216637.4在审
发明人：张炯;郑辉;徐帆;程玉华 -专利权人：上海北京大学微电子研究院
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了提出一种新的双埋层并且双埋层都具有双面界面电荷岛结构，双埋层的双面界面电荷岛处于交叉状态的SOI高压器件。该结构在SOI器件上下介质层上下界面分别注入形成一系列等距的高浓度N+区及P+区。由于上下介质层的电场分析相似，以上介质层为例分析，器件外加高压时，纵向电场所形成的反型电荷将被未耗尽n+区内高浓度的电离施主束缚在介质层上界面，同时在下界面积累感应电子。引入的界面电荷对介质层电场(E，)产生附加增强场(△E，)，使介质层承受更高耐压，同时对顶层硅电场(ES)产生附加削弱场(△艮)，避免在硅层提前击穿，从而有效提高器件的击穿电N(BV)。详细研究DCISOI工作机理及相关结构参数对击穿电压的影响，在5μm介质层、1μm顶层硅上仿真获得825V高耐压，较常规结构提高284.4％，其中，附加场△E，和AEs分别达到725.5V／tm和34V
双埋层 soi 高压器件

[发明专利]一种带场板的肖特基结金刚石二极管器件的制备方法-CN201811386860.8有效
发明人：郁鑫鑫;周建军;孔月婵 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提出的是一种带场板的肖特基结金刚石二极管器件的制备方法，具体实施步骤包括：（1）样品的清洁处理；（2）背面欧姆接触金属的制备及合金处理；（3）牺牲介质层的制备；（4）场板埋层区域牺牲介质层的刻蚀；（5）场板埋层区域金刚石材料层的刻蚀；（6）金刚石材料的选择性外延生长；（7）牺牲介质层的去除；（8）离子注入区域的定义和高阻区域的离子注入；（9）带场板肖特基接触的制备。本发明基于选区再生长和离子注入非晶化技术开发具有有效提升器件耐压能力的带埋层场板结构的金刚石肖特基二极管器件，具有边缘电场抑制能力强、抗辐照能力强、导通电阻低、工作温度稳定性好等优点。
一种带场板肖特基结金刚石二极管器件制备方法

[发明专利]一种平面栅型IGBT芯片制作方法-CN201210521271.2有效
发明人：刘国友;覃荣震;黄建伟 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面栅型IGBT芯片制作方法，先进行正面处理，对半导体衬底进行第二N型载流子埋层的注入、退火；进行第一N型载流子埋层注入窗口刻蚀、注入、退火；对第一N型载流子埋层进行刻蚀；去除半导体衬底表面的氧化层；在第一N型载流子埋层外表面进行绝缘材料沉积，对沉积绝缘材料进行光刻与刻蚀，形成介质埋层；完成余下的正面处理工艺；再进行背面处理，将背面部分减薄至所需厚度；N缓冲层区注入、掺杂与推进、退火；P+集电极区注入
一种平面 igbt 芯片制作方法

[发明专利]具有分离栅结构的RET IGBT器件结构及制作方法-CN202111116107.9有效
发明人：张金平;肖翔;尹俊博;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种具有分离栅结构的RET IGBT器件结构及制作方法，通过在N型电荷存储层下方引入P型埋层，在P型埋层左侧引入N型埋层，消除了高浓度P型埋层对器件阈值电压的影响，电子电流可以通过N型埋层流入同时，分离栅底部的氧化层厚度可以进一步提高，或使用高介电常数的介质材料，可以改善沟槽底部电场集中，提升器件的可靠性。当器件关断时PMOS的开启为空穴提供了一条额外的抽取通路，加快了电流的关断。
具有分离结构 ret igbt 器件制作方法

[发明专利]SOI器件新结构-CN201410216651.4在审
发明人：徐帆;牟志强;蒋乐乐 -专利权人：上海北京大学微电子研究院
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本文公开了一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构，其中主要包括埋层结构，埋氧层在源端和漏端成U型。利用U型埋氧层在大的漏端电压时正电荷不易被抽走提高击穿电压；源端U型介质埋氧层在漏端电压较大时保证击穿不会发生在p阱和漂移区形成的耗尽区，漏端U型介质埋层通过积累大量正电荷来提高击穿电压。
soi 器件结构

[发明专利]一种提高横向耐压的大功率埋层结构-CN201711454894.1在审
发明人：陆宇;沈立;周润宝;沈金龙;程玉华 -专利权人：上海卓弘微系统科技有限公司;上海北京大学微电子研究院;上海芯哲微电子科技股份有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本文公开了一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构，其中主要包括埋层结构，埋氧层在源端和漏端成U型。利用U型埋氧层在大的漏端电压时正电荷不易被抽走提高击穿电压；源端U型介质埋氧层在漏端电压较大时保证击穿不会发生在p阱和漂移区形成的耗尽区，漏端U型介质埋层通过积累大量正电荷来提高击穿电压。
击穿电压埋氧层端电压正电荷漏端埋层源端介质埋层耗尽区漂移区新结构击穿耐压积累保证

[发明专利]一种具有P浮空层电流栓的RC-IGBT-CN201310076402.5无效
发明人：李泽宏;陈伟中;刘永;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-03-11 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明是在传统RC-IGBT的N集电区和P集电区之间引入介质埋层，并在介质埋层上方的N型缓冲层中引入一个p浮空层电流栓。
一种具有浮空层电流 rc igbt

[发明专利]带有绝缘埋层的图像传感器的制作方法-CN201110229920.7有效
发明人：尚岩峰;张俊超;汪辉;陈杰;汪宁;苗田乐 -专利权人：上海中科高等研究院
申请日： 2011-08-11 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种带有绝缘埋层的图像传感器的制作方法，包括如下步骤：提供支撑衬底；在支撑衬底的驱动电路区域和光学传感区域交界处形成隔离沟槽；在沟槽中填充绝缘介质，以形成绝缘侧墙；在支撑衬底的驱动电路区域中形成绝缘埋层，绝缘埋层的深度不大于隔离沟槽的深度，并同时在绝缘埋层表面隔离形成顶层半导体层；采用离子注入的方式在支撑衬底中形成从侧面和底部环绕光学传感区域的隔离层，所述隔离层的材料是P型半导体材料；在由隔离层围拢的支撑衬底内形成光学传感器件
带有绝缘图像传感器制作方法

[发明专利]二晶体管结构的快速存取非易失性存储器存储单元-CN200910057619.5有效
发明人：谭颖;陈广龙 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-07-21 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种二晶体管结构的快速存取非易失性存储器存储单元，是在P阱上形成左右两个N+源漏掺杂区，两个N+源漏掺杂区之间有一N埋层，靠近左边N+源漏掺杂区的N埋层上面为ONO多介质结构栅氧，上面为多晶硅，构成SONOS晶体管门栅，靠近右边N+源漏掺杂区的N埋层上面为HTO氧化层，上面为多晶硅，所述HTO氧化层及上面的多晶硅并向一侧延伸覆盖于所述ONO多介质结构栅氧上面的多晶硅之上，构成选择管门栅，所述二多晶硅之间有氮化硅隔离层
晶体管结构快速存取非易失性存储器存储单元