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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN202211622976.3在审
发明人：黄俊;彭路露;李仁雄;丁琦;何坤芹 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体装置，其包括P型衬底、设置在P型衬底上的N型埋层以及设置在N型埋层上的LDMOS器件。LDMOS器件包括：N型源接触区和与N型源接触区邻接的P型体接触区；源电极，设置在N型源接触区和P型体接触区上；N型漏接触区；漏电极，设置在N型漏接触区上；栅介质，从N型源接触区的上表面延伸到N型漏接触区的上表面并且邻接漏电极；半导体层，设置在栅介质上，半导体层的边缘与栅介质的边缘对准，半导体层包括在靠近源电极的一侧形成的栅接触区；以及栅电极，设置在栅接触区上，半导体层具有使栅介质暴露的开口区域。
半导体装置

[发明专利]具有槽限制的隔离扩散的互补模拟双极型晶体管-CN03824204.4有效
发明人：理查德·K·威廉斯;迈克尔·E·康奈尔;陈伟田 -专利权人：先进模拟科技公司
申请日： 2003-08-13 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01L29/00 文献下载
摘要：一种半导体衬底，包括用电介质材料填充的一对槽。在衬底经历热处理时限制驱入槽之间台地中的掺杂剂横向扩散。因此，半导体器件可一起在衬底上更加紧密地间隔，并能提高器件的封装密度。在一组实施例中，在外延层和衬底之间界面处形成掩埋层，通常位于在台地中掺杂剂以下的位置。当对衬底进行热处理时，掩埋层向上扩散，台地中的掺杂剂向下扩散直到两掺杂剂汇合从而形成从外延层表面向下延伸至掩埋层的隔离区域或下沉区。在另一实施例中，以高达几个MeV的高能量将掺杂剂注入电介质填充的槽之间，然后扩散，结合了深注入和槽限制的扩散的优点，从而实现具有最小热预算的深扩散。
具有限制隔离扩散互补模拟双极型晶体管

[发明专利]双向高压瞬态电压抑制器的结构及其制作方法-CN202110964546.9在审
发明人：朱伟东;赵泊然;陈德朋 -专利权人：江苏应能微电子有限公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种双向高压瞬态电压抑制器的结构，包括：重掺杂第一导电类型衬底，在重掺杂第一导电类型衬底上生长有一层第二导电类型外延层，与重掺杂第一导电类型衬底形成PN结；在一层第二导电类型外延层顶部形成有第二导电类型中间埋层；在第二导电类型中间埋层上生长有另一层第二导电类型外延层；在另一层第二导电类型外延层顶部形成有重掺杂第一导电类型区，与另一层第二导电类型外延层形成PN结；在重掺杂第一导电类型区上设有介质层；介质层上形成有接触孔，金属层填充接触孔并与重掺杂第一导电类型区接触；介质层和金属层表面覆盖有钝化层；在钝化层中形成用于连接金属层的空腔。
双向高压瞬态电压抑制器结构及其制作方法

[发明专利]模拟BiCMOS工艺高应力边缘效应优化集成方法和高线性双多晶电容器-CN202210789412.2在审
发明人：殷万军;钟怡;刘玉奎;刘青;杨永晖;龚榜华;朱坤峰;张静;谭开洲 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：BiCMOS工艺高应力边缘效应优化集成方法和高线性双多晶电容器，步骤包括：1)在N型阱表面的场氧化层上方淀积P1埃米的多晶电容器下极板多晶膜层，并完成N型光刻注入掺杂；2)淀积d1埃米的双多晶电容器第一层介质，并采用曝光刻蚀工艺完成双多晶电容器下电极边缘保护膜层的制作；3)淀积d2埃米的多晶电容器介质复合膜层，并采用曝光刻蚀工艺完成电容介质层结构制作；高线性双多晶电容器包括衬底、N型埋层、P型埋层、外延层、
模拟 bicmos 工艺应力边缘效应优化集成方法线性多晶电容器

[发明专利]一种NLDMOS器件和LDMOS功率器件的制造方法-CN201810588296.1有效
发明人：刘宪周 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种全隔离型的NLDMOS器件和LDMOS功率器件的制造方法，该方法包括在位于N型埋层之上的外延层的表面进行介质层沉积，对介质层进行光刻去掉多余的介质层形成场效应氧化层，以及对外延层进行光刻和第一次离子注入，分别采用PGRD光罩和NGRD光罩对外延层进行光刻和离子注入分别形成P型漏极漂移区和N型漏极漂移区，同时对位于N型漏极漂移区下方的预制P型隔离结构进行第二次离子注入，以形成与N型埋层之间的P型隔离结构
一种 nldmos 器件 ldmos 功率制造方法

[发明专利]介质隔离集成电路硅片及其制备方法-CN200810232036.7无效
发明人：周鸣新 -专利权人：天水华天微电子股份有限公司
申请日： 2008-10-13 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明主要涉及介质隔离硅片的制备方法。一种N型/P型介质隔离集成电路硅片，其主要特点在于有N型/P型衬底硅片(1)，其上设有夹心氧化层(2)，还有N型/P型硅单晶层(6)，在硅单晶层(6)内设有隐埋层(3)；其硅单晶层(6)由二氧化硅(5)本发明还公开了N型/P型介质隔离集成电路硅片的制备方法，包括有隐埋层制备，贴片，研磨、抛光和刻槽，二氧化硅、多晶硅生长，抛光。
介质隔离集成电路硅片及其制备方法

[发明专利]半导体器件-CN201410113786.8有效
发明人：下村彰宏;秋山豊;下村纱矢;中柴康隆 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-03-25 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在漂移层中形成第二导电类型的掩埋层和第二导电类型的下层。在第二导电类型的掩埋层的侧部和漂移层之间的边界中形成边界绝缘膜。第二导电类型的下层与第二导电类型的掩埋层的下端和边界绝缘膜的下端相接触。第二导电类型的掩埋层与源电极电连接。在第二导电类型的掩埋层的表面层中形成第二导电类型的高浓度层。
半导体器件

[发明专利]双极晶体管的集电区和集电区埋层的制造工艺方法-CN200910202080.8有效
发明人：邱慈云;朱东园;范永洁;钱文生;陈帆;徐炯;张海芳 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极晶体管的集电区和集电区埋层的制造工艺方法，一方面以离子注入和退火工艺制造赝埋层(21)即集电区埋层，赝埋层(21)的面积较小，因而后续工艺中不再需要深槽隔离结构对赝埋层(21)进行分割
双极晶体管集电区集电区埋层制造工艺方法

[发明专利]ROM器件及其制造方法-CN201110147412.4有效
发明人：肖莉 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-06-02 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种ROM器件及其制造方法，所述方法包括：提供基底；在所述基底内形成埋层区；在具有埋层区的基底上形成栅极；在所述基底的埋层区上形成金属硅化物。本发明所提供的ROM器件制造方法，由于在所述基底的埋层区上形成了金属硅化物，而所述金属硅化物能够有效地减小埋层区的寄生电阻，所述埋层区寄生电阻的减小有利于ROM器件特征尺寸的进一步减小，且不会影响所述ROM
rom 器件及其制造方法

[发明专利]高压隔离结构及其制造方法-CN202111092769.7在审
发明人：房子荃 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：方法包括：提供基底层的第一导电类型衬底；以第一注入能量进行第一导电类型离子注入形成第一导电类型埋层A部；以第二注入能量进行第一导电类型离子注入，形成第一导电类型埋层B部初级结构，使得第一导电类型埋层B部初级结构向下与第一导电类型埋层A部接触；第一注入能量高于第二注入能量；在第一导电类型衬底上生长第二导电类型外延层，第一导电类型埋层B部初级结构向第二导电类型外延层中扩展，形成第一导电类型埋层B部；通过第一导电类型离子注入，形成第一导电类型阱区，使得第一导电类型阱区向下与第一导电类型埋层B部接触。
高压隔离结构及其制造方法

[发明专利]高压BCD结构中环形隔离结构及其制作方法-CN202111037073.4在审
发明人：杨文清;金锋;王佰胜 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：该高压BCD结构中环形隔离结构的制作方法包括：在高压电路区域和低压电路区域之间形成环形隔离结构，所述环形隔离结构由第一类阱区和第一类埋层构成；通过光刻工艺在所述环形隔离结构的两侧定义第二类埋层图案，所述环形隔离结构左侧包括至少2个宽度不相同的第二类埋层图案；通过离子注入工艺在所述第二类埋层图案对应的衬底中形成第二类埋层；解决了目前环形隔离结构左侧的埋层容易发生击穿的问题；达到了改善环形隔离结构两侧埋层的浓度分布，提升环形隔离结构的击穿电压的效果
高压 bcd 结构环形隔离及其制作方法

[发明专利]零标的形成方法-CN200910057071.4有效
发明人：缪燕 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-04-14 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种零标的形成方法，用于包含埋层图形的外延工艺中，包括：1)在衬底表面氧化形成垫层氧化层；2)先用同时包含有埋层图形和零标图形的光刻掩膜版以及光刻工艺在衬底上定义出埋层图形和零标图形的位置；3)利用光刻工艺中形成的光刻胶作为掩膜，进行离子注入在埋层图形位置处和零标图形位置处分别形成埋层和离子注入区；4)普通工艺去除所述光刻胶和所述垫层氧化层；5)之后在含氧的气氛下进行热处理，使所述衬底表面氧化，并推进所述埋层；6)湿法去除在步骤5)中形成的衬底表面的氧化层，即得到具有零标图形和埋层图形的结构。
标的形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710299097.4有效
发明人：郑大燮;陈德艳;杨广立 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：其中，所述方法包括：在衬底上形成图案化的第一掩模层，以定义埋层的位置；以所述第一掩模层为掩模执行第一离子注入，以在所述第一掩模层两侧的衬底中形成彼此间隔开的第一埋层和第二埋层，所述第一埋层和所述第二埋层具有第一导电类型；执行第二离子注入，以在所述第一埋层和第二埋层之间的衬底中形成具有第二导电类型的隔离区，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；在形成所述隔离区之后，去除所述第一掩模层；以及在去除所述第一掩模层之后，在所述衬底上形成半导体层
半导体装置及其制造方法

[发明专利]带有电荷陷阱和绝缘埋层的衬底及其制备方法-CN201510526058.4有效
发明人：魏星;叶斐;陈猛;陈国兴 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2015-08-25 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种带有电荷陷阱和绝缘埋层的衬底及其制备方法。所述带有电荷陷阱和绝缘埋层的衬底，包括支撑层、支撑层表面的第一绝缘埋层以及第一绝缘埋层表面的器件层，在支撑层靠近第一绝缘埋层一侧的表面具有电荷陷阱层，所述电荷陷阱层具有俘获电荷的能力，并且所述支撑层和电荷陷阱层之间进一步包括第二绝缘埋层而第二绝缘埋层的作用在于电学隔离衬支撑衬底与电荷陷阱层，防止电荷通过支撑衬底向环境中迁移，进一步加强了电荷陷阱层的电学特性。
带有电荷陷阱绝缘衬底及其制备方法

[发明专利]锗硅HBT器件及其制造方法-CN201110349921.5有效
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-08 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅HBT器件，包括有位于沟槽中的隔离结构，所述隔离结构往下在衬底中依次形成有三个以上纵向接触的赝埋层，其中最下方的赝埋层相互之间横向连接，最上方的赝埋层与所述隔离结构相接触且通过接触孔中的电极引出作为集电极，其余赝埋层则连接最下方和最上方的赝埋层。本发明通过调节沟槽底部的最上方赝埋层与有源区的边缘距离决定锗硅HBT器件的击穿电压，实现具有不同击穿电压的锗硅HBT器件。本发明还公开了所述锗硅HBT器件的制造方法，只需要在形成赝埋层的离子注入步骤中调节注入能量便可以实现，无须增加额外的光刻，也无须额外的光刻掩膜版，不仅简化了工艺，而且降低了成本。
锗硅 hbt 器件及其制造方法

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