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[发明专利]具有低k介质埋层的SOI结构及其功率器件-CN200610020531.2无效
发明人：罗小蓉;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2006-03-21 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：与常规具有介质埋层的SOI功率器件相比，具有低介电系数介质埋层的SOI功率器件结构采用了低k(介电系数)材料，并且具有VLkSOI、Lk SOI、VLk PSOI和Lk PSOI功率器件四种结构。其实质是利用埋层介质的低k特性提高埋层纵向电场强度，突破习用SiO₂埋层的电场为Si层电场3倍的关系；利用变k埋层界面处的附加场调制Si有源层电场，二者均使器件耐压提高。同时，埋层的低介电系数使漂移区－衬底间电容降低，可提高器件的开关速度。利用本发明提供的低k介质埋层SOI结构，可以制作出性能优良的各类新结构高耐压器件，如：横向双扩散场效应晶体管、横向绝缘栅双极型功率晶体管、PN二极管、横向晶闸管等功率器件。
具有介质 soi 结构及其功率器件

[发明专利]一种在后道互连中刻蚀埋层的方法-CN201611245057.3有效
发明人：姚嫦娲 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种在后道互连中刻蚀埋层的方法。通过在埋层金属刻蚀过程中引入氧化膜掩膜阻止了刻蚀气体对通孔或沟槽内的位于金属铜与低k介质层之间的埋层金属的进一步刻蚀，从而既能确保低k介质钝化层表面的埋层金属被刻蚀干净，又能够避免金属铜与介质间的空洞的形成
一种在后互连刻蚀方法

[发明专利]基于体内曲率扩展的LDMOS结构及制造方法-CN202210761867.3在审
发明人：章文通;刘雨婷;吴凌颖 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种基于体内曲率扩展的LDMOS结构及制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第二导电类型漂移区、第一导电类型阱区、通过刻槽后离子注入并高温推结形成的第一导电类型埋层和第二导电类型埋层、位于器件表面的多晶硅栅电极，第一介质氧化层、第二介质氧化层、第三介质氧化层，第一导电类型埋层和第二导电类型埋层位于衬底内，所刻槽采用介质填充；本发明通过在衬底内引入第一导电类型埋层与第二导电类型埋层，在器件体内形成更大曲率，优化了器件体内电场分布
基于体内曲率扩展 ldmos 结构制造方法

[发明专利]一种具有双介质埋层的耐压层结构及采用双介质埋层的SOI功率器件-CN200610022120.7无效
发明人：罗小蓉;张波;李肇基;杨寿国;詹瞻 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2006-10-25 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01L29/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于SOI功率器件的具有双介质埋层的耐压层结构，以及采用该耐压层结构的SOI功率器件，属于SOI功率器件耐压技术领域。本发明耐压层具有双介质埋层，两介质埋层之间设置中间层。本发明采用的耐压层及其采用该耐压层制作的功率器件，在相同介质埋层厚度的情况下可以提高耐压，而在相同的耐压情况下可以大幅度减小自热效应，从而制作高耐压的SOI功率器件。
一种具有介质耐压结构采用 soi 功率器件

[实用新型]一种具有双介质埋层的耐压层结构及SOI功率器件-CN200620035998.X无效
发明人：罗小蓉;张波;李肇基;杨寿国;詹瞻 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2006-10-25 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01L29/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于SOI功率器件的具有双介质埋层的耐压层结构，以及采用该耐压层结构的SOI功率器件，属于SOI功率器件耐压技术领域。本实用新型耐压层具有双介质埋层，两介质埋层之间设置中间层。本实用新型采用的耐压层及其采用该耐压层制作的功率器件，在相同介质埋层厚度的情况下可以提高耐压，而在相同的耐压情况下可以大幅度减小自热效应，从而制作高耐压的SOI功率器件。
一种具有介质耐压结构 soi 功率器件

[发明专利]基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构-CN200910058145.6无效
发明人：罗小蓉;张伟;詹瞻;邓浩;高唤梅;王元刚;雷天飞;张波;李肇基 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2009-01-15 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构，包括半导体衬底层，介质埋层和半导体有源层，在所述半导体有源层上部设置有漂移区层，在所述半导体有源层的下部设置有至少一个界面岛型埋层，所述界面岛型埋层位于介质埋层上方，所述漂移区层和界面岛型埋层的导电类型相同，半导体有源层的导电类型与界面岛型埋层或漂移区层的导电类型相反。
基于隔离技术介质增强 soi 耐压结构

[发明专利]一种绝缘体上硅材料及其抗总剂量辐射的加固方法-CN201811618362.1有效
发明人：郑中山;朱慧平;孔延梅;李多力;李博;罗家俊;韩郑生;焦斌斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开一种绝缘体上硅材料及其抗总剂量辐射的加固方法，方法包括：在第一半导体衬底上制备第一介质埋层，在第二半导体衬底上制备第二介质埋层；在第一介质埋层上制备高k介质层；叠加连接所述高k介质层和所述第二介质埋层
一种绝缘体材料及其剂量辐射加固方法

[发明专利]一种具有界面N⁺层的SOI LDMOS半导体器件-CN201210261200.3有效
发明人：胡盛东;罗俊;谭开洲;徐学良;王健安;秦国林;唐昭焕;陈文锁 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有界面N+层的SOILDMOS半导体器件，涉及一种半导体功率器件，包括衬底硅层、介质埋层和有源顶层硅，介质埋层设置于衬底硅层与有源顶层硅之间，有源顶层硅自半导体表面至介质埋层分为N型硅层、P型硅层和N+硅层三部分；本发明采用在介质埋层与有源顶层硅间设置N+硅层，使得该器件在反向阻断状态时，界面部分耗尽的高浓度电离施主增强介质埋层电场，并有效调制有源顶层硅内电场分布，从而有效提高器件纵向耐压和器件横向耐压
一种具有界面 sup soi ldmos 半导体器件

[发明专利]一种硅光电池-CN201210003894.0有效
发明人：张有润;吴浩然;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-01-09 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅光电池，包括：背面P+欧姆接触区、P-基区和N+发射区，所述背面P+欧姆接触区、P-基区和N+发射区组成pin结构，其特征在于，还包括介质埋层，所述介质埋层位于P-基区内部，耗尽区外部，并且介质埋层不隔断P-基区。本发明提出的硅光电池通过在光电池基区引入埋层介质形成内部反射机制，引入的介质埋层具有一定的反射入射光的能力，使得光电池收集几率高的位置能接收更多的光照，吸收更多的光子，因而可以在不增加电池厚度的条件下获得高的光生电流
一种光电池

[实用新型]一种硅光电池-CN201220008543.4有效
发明人：张有润;吴浩然;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-01-09 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅光电池，包括：背面P+欧姆接触区、P-基区和N+发射区，所述背面P+欧姆接触区、P-基区和N+发射区组成pin结构，其特征在于，还包括介质埋层，所述介质埋层位于P-基区内部，耗尽区外部，并且介质埋层不隔断P-基区。本实用新型提出的硅光电池通过在光电池基区引入埋层介质形成内部反射机制，引入的介质埋层具有一定的反射入射光的能力，使得光电池收集几率高的位置能接收更多的光照，吸收更多的光子，因而可以在不增加电池厚度的条件下获得高的光生电流
一种光电池

[发明专利]一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构-CN201410216647.8在审
发明人：徐帆;牟志强;蒋乐乐 -专利权人：上海北京大学微电子研究院
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本文公开了一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构，其中包括阶梯型埋氧层和双层复合介质埋层结构，埋氧层从源端到漏端成阶梯型，在漏洞下方为双层复合介质埋层。该阶梯型埋氧层为双面阶梯型，层复合介质埋层中间填充多晶硅，且两层埋氧层开有窗口。
一种提高 soi 器件击穿电压结构

[发明专利]一种提高击穿电压的大功率器件模块结构-CN201711452884.4在审
发明人：陆宇;沈立;周润宝;沈金龙;程玉华 -专利权人：上海卓弘微系统科技有限公司;上海北京大学微电子研究院;上海芯哲微电子科技股份有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本文公开了一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构，其中包括阶梯型埋氧层和双层复合介质埋层结构，埋氧层从源端到漏端成阶梯型，在漏洞下方为双层复合介质埋层。该阶梯型埋氧层为双面阶梯型，层复合介质埋层中间填充多晶硅，且两层埋氧层开有窗口。
阶梯型埋氧层击穿电压介质埋层双层复合大功率器件复合介质模块结构多晶硅新结构两层漏端埋层源端填充漏洞

[发明专利]金属埋层凸起的去除方法以及空气隙的制备方法-CN201611235875.5有效
发明人：姚嫦娲;肖慧敏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属埋层凸起的去除方法以及空气隙的制备方法，利用了高表面张力的湿法刻蚀将金属埋层凸起刻蚀掉，为了避免刻蚀药液对于空气隙结构中的介质层以及金属埋层的过多刻蚀，采用提高刻蚀药液的表面张力方法，使得刻蚀药液只停留在衬底表面包括金属埋层表面，阻止刻蚀药液进入到待形成空气隙的沟槽中，从而在确保空气隙结构不被破坏的前提下，成功去除金属埋层凸起，实现了降低介质层K值的目的。
金属凸起去除方法以及空气制备

[发明专利]一种具有介质层固定电荷的SOI功率器件-CN201410833251.8在审
发明人：朱辉;李琦;徐晓宁 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有介质层固定电荷的SOI功率器件，包括衬底层、有源层以及处于衬底层和有源层之间的绝缘介质埋层，在绝缘介质埋层与有源层接触的表面的靠边区域设置了一个高浓度固定电荷区，高浓度固定电荷区面积占绝缘介质埋层与有源层接触的表面面积的应用本发明的功率器件，其耐压由于介质埋层电场的增强而大幅提高。
一种具有介质固定电荷 soi 功率器件

[发明专利]一种SOI型P-LDMOS-CN201010612349.2无效
发明人：张波;吴丽娟;乔明;胡盛东;胡曦;李肇基 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种SOI型P-LDMOS，包括：半导体衬底层、介质埋层和半导体有源层，所述半导体有源层内具有多个间隔设置的n+掺杂区，位于介质埋层与半导体有源层的交界面的半导体有源层一侧，所述半导体有源层内无轻掺杂漏区域该方案与现有技术相比，相邻的两个未耗尽的n+掺杂区之间形成了界面电荷岛，当外加电压时，在库仑力的作用下，空穴积累在半导体有源层与介质埋层的交界面，能够增强介质埋层的电场强度，从而提高该器件的纵向击穿电压，以实现在不增加半导体有源层和介质埋层厚度的前提下，提高SOI型P-LDMOS的击穿电压，实现提升其高压应用范围的能力。
一种 soi ldmos

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