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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]N型和P型鳍式晶体管的集成电路结构-CN202111292193.9在审
发明人：翁文寅 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型和P型鳍式晶体管的集成电路结构，N型和P型鳍式晶体管分别形成于第一和第二鳍体上，在第一和第二鳍体上分别具有第一和第二扩散区切断结构。本发明能消除鳍体的扩散区切断结构的应力对晶体管的性能的不利影响并同时利用鳍体的扩散区切断结构的应力来同时改善N型和P型鳍式晶体管的性能。
型鳍式晶体管集成电路结构

[实用新型]一种鳍式场效应晶体管器件测试结构-CN201620502354.0有效
发明人：谢欣云 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提供一种鳍式场效应晶体管器件测试结构，所述鳍式场效应晶体管器件测试结构至少包括：衬底；位于所述衬底上的鳍形结构；位于所述衬底上并包裹所述鳍形结构的部分的伪栅叠层，其中，所述伪栅叠层与所述鳍形结构相互垂直设置；以及位于至少一条所述伪栅叠层下并贯穿该伪栅叠层下所有所述鳍形结构的鳍切断区。本实用新型的鳍式场效应晶体管器件测试结构，具有以下有益效果：通过对FinFET器件的结构进行改进，根据不同的器件布局结构在伪栅叠层下方设置所需的鳍切断区，从而获得好的器件密度和更好的器件特性，更好地检测不同器件结构相应的特性
一种场效应晶体管器件测试结构

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201510631734.4有效
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有隔离层；在所述隔离层表面形成无应变鳍部单元和应变鳍部单元，所述无应变鳍部单元具有多个分立的无应变鳍部，所述应变鳍部单元具有多个分立的应变鳍部所述方法提高了鳍式场效应晶体管的性能。
场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201410077191.1有效
发明人：肖德元 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成若干凹槽；在所述半导体衬底表面形成缓冲层，所述缓冲层填充满凹槽并覆盖半导体衬底表面；刻蚀部分厚度的缓冲层，形成鳍部；在鳍部周围的缓冲层上形成绝缘层，所述绝缘层的表面低于鳍部的顶部表面；在鳍部表面形成沟道层；在部分绝缘层表面和部分沟道层表面形成横跨鳍部的栅极结构；在栅极结构两侧的沟道层内形成源漏区。上述方法可以提高形成的鳍式场效应晶体管的性能。
场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201410554566.9有效
发明人：张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成鳍部；在所述鳍部和半导体衬底表面形成含碳半导体层；在所述含碳半导体层表面形成石墨烯层；对所述石墨烯层进行表面修复处理，消除所述石墨烯层的缺陷；在部分所述石墨烯层上形成隔离层，所述隔离层表面低于鳍部的顶部表面；在所述石墨烯层表面形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖位于鳍部顶部及侧壁上的部分石墨烯层。所述方法可以提高鳍式场效应晶体管的性能。
场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202110482059.9有效
发明人：李永亮;程晓红;赵飞;马雪丽;杨红;王晓磊;罗军;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，用于确保形成在不同类区域上的鳍式场效应晶体管具有不同阈值电压的情况下，减少各鳍式场效应晶体管所包括的沟道区中的缺陷。在介质层位于每类区域上的部分内分别开设凹槽，并在位于每类区域上的凹槽内形成相应材质的半导体材料层；位于不同类区域上的半导体材料层为相应类的阈值调控层；去除介质层，并至少刻蚀半导体材料层和基底，以在每类区域上均形成沿第一方向延伸的鳍状结构；基于每一鳍状结构，在每类区域上均形成鳍式场效应晶体管，以使得位于不同类区域上的鳍式场效应晶体管具有不同的阈值电压。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]鳍式BJT-CN201210154484.6有效
发明人：张智胜;林以唐;谢铭峰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供了一种使用鳍式场效应晶体管（FinFET）互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺流程所形成的双极结型晶体管（BJT）。该BJT包括形成在衬底上方的发射极鳍、基极鳍以及集电极鳍。基极鳍围绕着发射极鳍，并且集电极鳍围绕着发射极鳍。在一些实施例中，当从上方观看时，发射极鳍、基极鳍以及集电极鳍具有正方形的形状并且彼此同心。还提供了一种鳍式BJT。
鳍式 bjt

[发明专利]高压场效晶体管及其应用电路-CN201410814101.2有效
发明人：吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压场效晶体管及其应用电路，该高压场效晶体管包括高压鳍式场效晶体管其具有半导体鳍片和位于鳍片上的绝缘覆盖层。栅介电材料配置于半导体鳍片的第一侧边和第二侧边。栅极覆盖在位于第一侧边和第二侧边上方的栅介电材料以及半导体鳍片中的通道区上，并位于绝缘覆盖层上方。源极/漏极端，位于半导体鳍片中栅极的相反两侧，可以包括轻掺杂区，由栅极边缘往较重掺杂接触延伸。此一结构的尺寸可以构建来使晶体管具有大于或等于30伏特的崩溃电压。
晶体管侧边半导体鳍片高压场绝缘覆盖层应用电路栅介电鳍式场效晶体管半导体鳍崩溃电压材料配置轻掺杂区相反两侧栅极边缘漏极端通道区重掺杂构建源极鳍片延伸覆盖

[发明专利]鳍式场效应晶体管（FINFET）器件结构及其形成方法-CN201610516949.6有效
发明人：陈建颖;张家玮;廖家阳;杨柏峰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法。鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构包括在衬底上方形成的鳍结构和横越在鳍结构上方的栅极结构。该栅极结构包括栅电极层，所述栅电极层包括鳍结构之上的上部和鳍结构之下的下部。该上部具有第一宽度的顶面，该下部具有第二宽度的底面，并且第一宽度大于第二宽度。
场效应晶体管 finfet 器件结构及其形成方法

[发明专利]鳍式场效晶体管-CN202011460733.5在审
发明人：杜文仙;李暐凡 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种鳍式场效晶体管包括具有鳍片在上的基材，其中鳍片的第一鳍片部分的高度低于第二鳍片部分的高度。鳍式场效晶体管结构还包括相邻鳍片的介电层，其中介电层围绕在第二鳍片部分的底部部分和第一鳍片部分的侧壁，且介电层的高度高于第一鳍片部分的高度。鳍式场效晶体管亦包括在介电层无覆盖到的第二鳍片部分上的栅极堆叠和生长在第一鳍片部分的顶表面上的磊晶堆叠，其中磊晶堆叠紧靠栅极堆叠并包括具有晶面的第一结晶磊晶层、在第一结晶层上的非结晶磊晶层、和在非结晶磊晶层上第二结晶磊晶层
鳍式场效晶体管

[发明专利]鳍式场效晶体管装置结构-CN201810354465.5在审
发明人：陈俊翰;李振铭;杨复凯;王美匀;李志鸿;卢柏全 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开实施例提供鳍式场效晶体管装置结构，其包含鳍结构形成于基底上，以及第一栅极结构形成于鳍结构上。鳍式场效晶体管装置结构还包含第一盖层形成于第一栅极结构上，以及第一蚀刻停止层位于第一盖层和第一栅极结构上。鳍式场效晶体管装置结构还包含第一源极/漏极接点结构形成于鳍结构上且相邻于第一栅极结构。
鳍式场效晶体管栅极结构装置结构蚀刻停止层鳍结构盖层栅极间隔层源极/漏极接点结构基底

[发明专利]与鳍式场效应晶体管技术兼容的器件结构-CN201310142925.5有效
发明人： R·J·小戈捷;J·B·约翰逊;李军俊 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及与鳍式场效应晶体管技术兼容的器件结构。提供了用于鳍式场效应晶体管集成电路技术的器件结构、设计结构和制造方法。构成器件结构的电极的第一鳍和第二鳍中的每一者由第一半导体材料构成。第二鳍被形成为邻近第一鳍，以限定使第一鳍和第二鳍分隔的间隙。由第二半导体材料构成的层位于该间隙中。
场效应晶体管技术兼容器件结构

[发明专利]具有异质结和改进的沟道控制的FinFET-CN201810750478.4有效
发明人： V·莫洛兹;S·L·史密斯;吕强 -专利权人：美商新思科技有限公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：粗略地描述，一种计算机程序产品描述了具有鳍、鳍支撑部、栅极和栅极电介质的晶体管。鳍包括第一晶体半导体材料，该第一晶体半导体材料包括在第一晶体管的源极区域和该晶体管的漏极区域之间的该晶体管的沟道区域。鳍在鳍支撑部上。鳍支撑部包括与第一晶体半导体材料不同的第二晶体半导体材料。鳍的第一晶体半导体材料和鳍支撑部的第二晶体半导体材料在其间形成第一异质结。
具有异质结改进沟道控制 finfet

[发明专利]多次可编程的内存-CN201310363405.7有效
发明人：卓荣发;陈学深;林启荣;郭克文 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本装置包括基板及置于基板上的鳍型结构。鳍型结构作用为n个晶体管的共享基体。晶体管包括单独电荷储存层与栅极介电层。电荷储存层设置于鳍型结构的上部表面以及栅极介电层设置于鳍型结构的侧壁上。晶体管可在选择晶体管与储存晶体管之间互换。
多次可编程内存

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201310064769.5有效
发明人：殷华湘;三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有凸起的鳍部，所述鳍部之间具有隔离结构，所述隔离结构的顶表面低于所述鳍部的顶表面；在所述鳍部的侧壁周围形成掺杂侧墙，所述掺杂侧墙的高度小于所述鳍部的高度，所述掺杂侧墙的掺杂类型与所述鳍部的掺杂类型相同，且所述掺杂侧墙的掺杂浓度大于所述鳍部的掺杂浓度；对所述掺杂侧墙退火，使所述掺杂侧墙中的杂质扩散进入所述鳍部形成穿通阻挡层本发明的鳍式场效应晶体管可以减少器件操作过程中的穿通现象。
场效应晶体管及其形成方法

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