专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种环栅晶体管-CN202311161002.4在审
  • 李永亮;雒怀志 - 中国科学院微电子研究所
  • 2023-09-08 - 2023-10-27 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种环栅晶体管,涉及半导体技术领域,用于增强栅堆叠结构对每层纳米结构沿长度方向两侧边缘部分的控制能力,利于提升环栅晶体管的驱动性能。所述环栅晶体管包括:半导体基底、源区、漏区、至少一层纳米结构、栅堆叠结构和内侧墙。上述源区、漏区和至少一层纳米结构形成在半导体基底上。至少一层纳米结构位于源区和漏区之间。栅堆叠结构环绕在每层纳米结构的外周。内侧墙位于栅堆叠结构与源区之间、以及栅堆叠结构与漏区之间。内侧墙具有靠近栅堆叠结构的内侧壁,内侧壁沿栅堆叠结构宽度方向的中部区域的表面相对于边缘区域的表面向内凹入或向外凸出。
  • 一种晶体管
  • [发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202310878725.X在审
  • 李永亮;赵飞;罗军;王文武 - 中国科学院微电子研究所
  • 2023-07-17 - 2023-10-24 - H01L21/8238
  • 本发明公开了一种半导体器件的制造方法,涉及半导体技术领域,以降低CFET器件的集成难度,提高CFET器件的良率。所述半导体器件的制造方法包括:在半导体基底上形成依次层叠设置的至少一层叠层、半导体隔离层和半导体层。在半导体层上依次形成材料不同的第一掩膜图案和第二掩膜图案。在第一掩膜图案和第二掩膜图案的掩膜作用下,至少对层叠设置的至少一层叠层、半导体隔离层和半导体层进行图案化处理。去除第一掩膜图案;并在第二掩膜图案的掩膜作用下,至少对半导体层进行图案化处理。基于第一鳍状结构制造具有[100]晶向的沟道的N型环栅晶体管;并基于第二鳍状结构制造具有[110]晶向的沟道的P型环栅晶体管。
  • 一种半导体器件制造方法
  • [实用新型]一种便于使用的办公桌-CN202320369017.9有效
  • 李永亮;李可伟 - 洛阳佰佑办公家具有限公司
  • 2023-03-02 - 2023-10-24 - A47B21/04
  • 本实用新型提供一种便于使用的办公桌,涉及办公桌技术领域,该便于使用的办公桌包括桌面和桌腿,所述桌面上表面的一侧开设有贯通槽,所述桌面的下表面且位于贯通槽的两侧分别设置有固定块,两个所述固定块之间设置有导向杆,所述桌面的上表面设置有升降部件,所述升降部件的下端穿过贯通槽后与导向杆滑动连接,所述升降部件的上端用于放置显示器,升降部件通过贯通槽和导向杆在桌面上水平移动,能够对显示器在桌面上水平放置的位置进行调整,然后通过升降部件在竖直方向上的垂直移动,对显示器在竖直方向上的位置进行调整,能够根据使用者的个人情况方便的调整显示器的位置和高度,调节方便,容易操作。
  • 一种便于使用办公桌
  • [发明专利]一种后备电源、供电装置及供电系统-CN202311135046.X在审
  • 王飞;李永亮;严晓宇;孙秋妮;邢伟;唐丽华;沙蓓;夏南飞 - 成都竞恒电力工程有限公司
  • 2023-09-05 - 2023-10-20 - H02J9/08
  • 本发明公开了一种后备电源、供电装置及供电系统,涉及供电领域,在电网附近的升压变压器的低压侧,设置有柴油发电机,通过柴油发电机产出电能,并在控制器控制升压变压器合闸的情况下,使得升压变压器可以接收到柴油发电机传输的电能并进行升压,进而将升压后的电能传输至抑制器件,以通过抑制器件对升压变压器开启后产生的涌流进行抑制,并通过电网和电缆将抑制后的电能传输至偏航电机,减小升压变压器合闸产生的涌流,能够使得偏航电机在正常工作的前提下尽量不产生柴油发电机跳闸的情况,还具有成本低的优点,并且在风电机组外设置柴油发电机,不容易造成火灾等事故危险,提高了安全性。
  • 一种后备电源供电装置供电系统
  • [实用新型]一种塑料母粒用热塑造粒装置-CN202321252215.3有效
  • 曾国元;李永亮;宋世坤;李裕乐;刘礼祥;李明景 - 江西广源新材料有限公司
  • 2023-05-23 - 2023-10-20 - B29B9/00
  • 一种塑料母粒用热塑造粒装置,包括箱体,箱体上端固定设置有进料管,箱体的内部固定安装有隔板,隔板中心固定安装有转轴,转轴上段周围固定安装有混合杆,隔板下面的转轴下段与驱动电机连接,隔板贯穿连接有流动管的入管,流动管的出管与造粒器上端连接,箱体内底面并列固定安装有第一吹风机和第二吹风机,第一吹风机通过第一出风管与流动管连接,第二吹风机通过第二出风管与箱体底面装有的集料箱一端连接,集料箱另一端固定连接有出料管,出料管贯穿箱体的下端并至箱体外,集料箱上端固定安装有圆筒形造粒器,隔板下端设置有伸缩杆,伸缩杆下端固定设置有碾压板,碾压板下面固定设置有热塑板。
  • 一种塑料母粒用热塑造装置
  • [发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202310932558.2在审
  • 李永亮;毛晓烔;罗军;王文武 - 中国科学院微电子研究所
  • 2023-07-27 - 2023-10-13 - H01L21/336
  • 本发明公开一种半导体器件的制造方法,涉及半导体技术领域,用于在抑制寄生沟道漏电的同时,降低鳍式场效应晶体管和环栅晶体管的制造难度。所述制造方法包括:在半导体基底上至少形成第一鳍部、以及位于第一鳍部上的第二鳍部。第一鳍部和第二鳍部自对准、且第一鳍部和第二鳍部的材料不同。依次形成横跨在第一鳍部和第二鳍部上的牺牲栅和栅极侧墙。在牺牲栅和栅极侧墙的掩膜作用下,对第一鳍部和第二鳍部进行图案化处理;并去除第一鳍部的剩余部分,以在第二鳍部的剩余部分与半导体基底之间形成空隙。形成填充在空隙内的介质隔离结构。在第二鳍部的剩余部分的两侧分别形成源/漏区。去除牺牲栅,并基于第二鳍部的剩余部分形成沟道区。
  • 一种半导体器件制造方法
  • [发明专利]一种环栅晶体管及其制造方法-CN202310944498.6在审
  • 李永亮;孙龙雨 - 中国科学院微电子研究所
  • 2023-07-28 - 2023-10-13 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种环栅晶体管及其制造方法,涉及半导体技术领域,以提高环栅晶体管包括的源区和漏区的形成质量。所述环栅晶体管包括:半导体基底、有源结构、栅堆叠结构和半导体调节结构。有源结构包括源区、漏区、以及仅位于源区和漏区之间的至少一层纳米结构。沿至少一层纳米结构的长度方向,每层纳米结构具有沟道部和连接部。栅堆叠结构环绕在每层纳米结构具有的沟道部的外周。半导体调节结构位于栅堆叠结构和源区之间、以及位于栅堆叠结构和漏区之间。半导体调节结构的外侧壁与至少一层纳米结构沿自身长度方向的侧壁自对准,半导体调节结构的长度小于等于至少一层纳米结构具有的连接部的长度、且半导体调节结构分别与源区和漏区非一体成型。
  • 一种晶体管及其制造方法
  • [发明专利]一种环栅晶体管及其制造方法-CN202310707713.0在审
  • 李永亮;刘昊炎 - 中国科学院微电子研究所
  • 2023-06-14 - 2023-10-13 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种环栅晶体管及其制造方法,涉及半导体技术领域,以改善环栅晶体管中寄生沟道的漏电。所述环栅晶体管法包括:半导体基底、浅槽隔离结构、有源结构、栅堆叠结构、含锗半导体结构以及介电结构。浅槽隔离结构形成在半导体基底具有的隔离区上。有源结构形成在半导体基底具有的有源区上;有源结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的沟道区。栅堆叠结构环绕在沟道区的外周。含锗半导体结构位于有源结构与半导体基底之间;含锗半导体结构中锗的含量高于沟道区中锗的含量,含锗半导体结构沿宽度方向的侧壁相对于沟道区沿宽度方向的侧壁向内凹入,形成第一凹口。介电结构填充在第一凹口内,介电结构和浅槽隔离结构非一体成型。
  • 一种晶体管及其制造方法

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