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[发明专利]静态随机存取存储器的布局图案-CN201610356955.X有效
发明人：叶书玮;吴宗训;苏智洺;郭有策 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明公开一种静态随机存取存储器的布局图案，至少包含一第一上拉晶体管、一第二上拉晶体管、一第一下拉晶体管、一第二下拉晶体管、一第一存取晶体管以及一第二存取晶体管位于一基底上，多个鳍状结构位于基底上，至少包含有一至少一第一鳍状结构与至少一第二鳍状结构，至少一J状栅极结构，该至少一J状栅极结构包含有一长边部分、一短边部分以及一连接该长边部分与该短边部分的桥接部分，以及至少一第一延伸接触结构，横跨于该至少一第一鳍状结构与该至少一第二鳍状结构，其中该至少一第一延伸接触结构与该桥接部分不重叠
静态随机存取存储器布局图案

[发明专利]V1和更高层可编程ECO标准单元-CN201780024113.7在审
发明人： S·萨胡;V·古普塔;X·陈;T·拉巴沙利 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L27/118 文献下载
摘要：该MOS器件包括在该器件的第一区域(102)中的第一pMOS晶体管(192)和第一nMOS晶体管(194)，这些晶体管中的每一者具有鳍。第一pMOS晶体管的pMOS晶体管栅极和第一nMOS晶体管的nMOS晶体管栅极由跨该器件在第一方向上延伸的栅极互连(112)形成。该MOS器件包括在该器件的毗邻于第一区域的第二区域(104)中的若干未利用的pMOS和nMOS晶体管。第一区域中的pMOS和nMOS晶体管的鳍与第二区域中的未利用的pMOS和nMOS晶体管的鳍断开连接。
第一区域第二区域标准单元库标准单元断开连接芯片设计可编程晶体管互连毗邻延伸高层

[发明专利]一种负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管及制备方法-CN202210219208.7在审
发明人：任开琳;高蒙;张建华;殷录桥;路秀真;郭爱英;王昊天 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管及制备方法，负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管包括：由下至上的衬底、氮化镓沟道层、氮化铝镓势垒层、氧化层、铁电介质层和栅极，栅极为三维鳍式结构，且栅极由上至下覆盖铁电介质层、氧化层、氮化铝镓势垒层和氮化镓沟道层，且氧化层和铁电介质层在栅极覆盖的区域内形成三维鳍式结构；氮化铝镓势垒层的上表面一端设有源极，另一端设有漏极；氧化层和铁电介质层位于源极与漏极之间并连接漏极和源极。本发明采用负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管，利用铁电介质的负电容特性使加到氧化层表面的电压大于栅极电压，在同样的沟道宽度下提供更高的功率放大倍数，提升了氮化镓基功率晶体管的栅控能力。
一种电容鳍型栅氮化功率晶体管制备方法

[发明专利]集成电路结构-CN201010581311.3有效
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-12-06 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路结构，包括一静态随机存取存储器单元，其包括一第一直鳍及实际上不与该第一直鳍相连接的一弯鳍。弯鳍有一第一部分及一第二部分平行于第一直鳍。介于弯鳍的第一部分和直鳍之间的距离小于介于弯鳍的第二部分和直鳍之间的距离。静态随机存取存储器单元包括一下拉晶体管，其包括一第一栅极长条的一部分，其分别形成具有直鳍及弯鳍的第一部分的第一及第二次下拉晶体管。静态随机存取存储器单元还包括一传输门晶体管，包括一第二栅极长条的一部分，其形成具有直鳍的第一次传输门晶体管。下拉晶体管包括超过传输门晶体管数目的鳍。
集成电路结构

[发明专利]鳍式场效应晶体管的制造方法-CN201610884434.1在审
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管的制造方法，包括提供基底；刻蚀所述基底，形成衬底以及位于衬底上的鳍部；在所述鳍部之间的衬底上形成隔离膜；去除部分厚度的所述隔离膜，形成初始隔离层，所述初始隔离层顶部表面低于所述鳍部顶部表面本发明的有益效果在于，离子掺杂工艺中减少了鳍部的损伤，且减少了凸出鳍部造成阴影效应的发生，从而提高了鳍式场效应晶体管的电学性能和稳定性。
场效应晶体管制造方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管（FINFET）器件结构的鳍上的保护层-CN201510450134.8有效
发明人：张简旭珂;郑志成;吴志楠;林俊泽;王廷君 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：提供一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法。FinFET器件结构包括衬底和从衬底延伸的鳍结构。FinFET器件结构还包括形成在衬底上的隔离结构。鳍结构具有顶部和底部，并且底部嵌入隔离结构中。FinFET器件结构还包括形成在鳍结构的顶部上的保护层。界面位于保护层与鳍结构的顶部之间，并且界面具有在从大约0.1nm至大约2.0nm的范围内的粗糙度。本发明的实施例还涉及鳍式场效应晶体管(FINFET)器件结构的鳍上的保护层。
场效应晶体管 finfet 器件结构保护层

[发明专利]一种P型鳍式场效应晶体管及制造方法-CN201510627918.3有效
发明人：张严波;殷华湘;朱慧珑;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种P型鳍式场效应晶体管，包括：衬底；鳍体，位于所述衬底上，所述鳍体包括：第一部分、第二部分，且所述第二部分材料的价带顶高于所述第一部分材料的价带顶，二者价带顶之差大于鳍式场效应晶体管FinFET的工作电压与单位电荷之积；隔离，部分填充于所述鳍体之间；栅堆叠，位于所述鳍体之上并垂直于所述鳍体，所述栅堆叠包括栅极和栅介质层；源/漏区，位于所述栅极两侧的鳍体上。本发明提供的FinFET由于所述鳍体的第二部分材料的价带顶高于所述第一部分材料的价带顶，之差大于鳍式场效应晶体管FinFET的工作电压与单位电荷之积，使所述第一部分作为阻挡层减小所述第二部分与所述衬底之间的漏电流
一种型鳍式场效应晶体管制造方法

[发明专利]具有晶体绝缘体的FINFET及其形成方法-CN201410161352.5有效
发明人：托马斯·N·亚当;程慷果;A·克哈基弗尔鲁茨;亚历山大·雷茨尼采克;R·斯瑞尼瓦萨恩 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了鳍式场效应晶体管（FinFET）结构以及其形成方法。鳍片形成在块体衬底上。晶体绝缘体层形成在块体衬底上，其中鳍片伸出外延氧化物层。围绕鳍片形成从晶体绝缘体层突出的栅。通过在晶体绝缘体层上合并鳍片而在源漏区域形成外延生长半导体区域以形成鳍片合并区域。
具有晶体绝缘体 finfet 及其形成方法

[发明专利]鳍式场效晶体管装置结构-CN201810257650.2在审
发明人：王朝勋;赵高毅;林睿哲;高承远;王美匀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法被提供。此鳍式场效晶体管装置结构包括形成于基板之上的鳍式结构；形成于鳍式结构之上的栅极介电层；形成于栅极介电层之上的栅极电极层；以及形成于栅极电极层之上的栅极接触结构。
栅极电极层鳍式场效晶体管第一导电层装置结构第二导电层栅极介电层栅极接触鳍式结构阻挡层电性连接基板

[发明专利]三栅石墨烯鳍式场效应晶体管及其制造方法-CN201410593448.9有效
发明人：康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种三栅石墨烯鳍式场效应晶体管及其制造方法，通过在衬底上鳍结构中间的栅极位置覆盖形成三个表面的石墨烯层，再依次沉积栅极介质层和栅极电极层，从而形成三栅结构，以形成3D器件，可以提高晶体管的电学性能，并相较于单栅和双栅结构，本发明的三栅结构还可缩小晶体管占用的硅片表面面积。
石墨烯鳍式场效应晶体管及其制造方法

[实用新型]半导体装置-CN202320160640.3有效
发明人：张朝渊;张峰铭;张瑞文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：半导体装置包含第一晶体管，位于基底的第一装置类型区中，其中第一晶体管包含第一栅极结构及相邻于第一栅极结构的第一源极/漏极部件。此半导体装置更包含第二晶体管，位于基底的第二装置类型区中，其中第二晶体管包含第二栅极结构及相邻于第二栅极结构的第二源极/漏极部件。第一晶体管包含第一鳍，第一鳍具有与第一源极/漏极部件横向接触的第一数量的半导体通道层，第二晶体管包含第二鳍，第二鳍具有与第二源极/漏极部件横向接触的第二数量的半导体通道层，且其中第二数量的半导体通道层少于第一数量的半导体通道层
半导体装置

[发明专利]场效应晶体管及其制造方法-CN201911166151.3有效
发明人：李争刚;袁刚;彭楠;杨帅 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了一种场效应晶体管及其制造方法。场效应晶体管包括：半导体衬底；沿所述半导体衬底表面第一方向延伸的鳍部；分别位于所述鳍部两侧的半导体表面的源区和漏区；位于所述鳍部上方的沿所述半导体衬底表面第二方向延伸的栅叠层，其中，所述鳍部的侧壁具有凹凸图案该场效应晶体管的鳍部的侧壁具有凹凸图案，包括截面形状为圆形的纳米线，使得在相同体积时，本申请的晶体管鳍部与所述栅叠层的接触面积更大，可以形成更大的饱和电流，在相同饱和电流时，本申请的晶体管体积更小，有利于减小芯片面积
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法-CN202011350417.2在审
发明人：杨智铨;徐国修;张峰铭;林建隆;洪连嵘 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本申请的实施例公开了一种半导体器件及其形成方法，该半导体器件包括位于第一区域中的纳米片场效应晶体管(NSFET)和位于第二区域中的鳍状式场效应晶体管(FinFET)。在一个实施例中，一种器件包括第一存储器单元，该第一存储器单元包括：第一晶体管，包括第一沟道区，该第一沟道区包括第一多个半导体纳米结构；以及第二晶体管，包括第二沟道区，该第二沟道区包括半导体鳍部。
半导体器件形成方法

[发明专利]鳍式结构的晶体管及其制作方法-CN202010661865.8在审
发明人：夏劲秋 -专利权人：泉芯集成电路制造（济南）有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种鳍式结构的晶体管及其制作方法，本发明技术方案在对半导体衬底的表面进行刻蚀形成鳍状结构时，在所述表面的器件区以及所述隔离区均形成至少一个所述鳍状结构，从而能够使得各个所述鳍状结构具有较为一致的刻蚀环境，从而能够精确的形成所需的鳍状结构，形成高质量的鳍状结构，以形成可靠性较好的晶体管。
结构晶体管及其制作方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202011066070.9在审
发明人：任伦;金兴成 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，包括：基底，基底上形成有选择开关晶体管；第一介质层，位于基底上，且覆盖选择开关晶体管；鳍式堆叠电容，位于第一介质层的上表面，且部分嵌入第一介质层内；鳍式堆叠电容与选择开关晶体管的漏极电连接；第二介质层，位于第一介质层的上表面，且覆盖鳍式堆叠电容；第一金属层，位于第二介质层的上表面；第一金属层至少包括板线，板线与鳍式堆叠电容电连接；第三介质层，位于第二介质层的上表面，且覆盖第一金属层；第二金属层，位于第三介质层的上表面，第二金属层包括位线，位线与选择开关晶体管的源极电连接。
半导体器件及其制备方法