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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]鳍式场效晶体管-CN202011460733.5在审
发明人：杜文仙;李暐凡 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种鳍式场效晶体管包括具有鳍片在上的基材，其中鳍片的第一鳍片部分的高度低于第二鳍片部分的高度。鳍式场效晶体管结构还包括相邻鳍片的介电层，其中介电层围绕在第二鳍片部分的底部部分和第一鳍片部分的侧壁，且介电层的高度高于第一鳍片部分的高度。鳍式场效晶体管亦包括在介电层无覆盖到的第二鳍片部分上的栅极堆叠和生长在第一鳍片部分的顶表面上的磊晶堆叠，其中磊晶堆叠紧靠栅极堆叠并包括具有晶面的第一结晶磊晶层、在第一结晶层上的非结晶磊晶层、和在非结晶磊晶层上第二结晶磊晶层
鳍式场效晶体管

[发明专利]鳍式场效晶体管-CN201611087885.9在审
发明人：吴政达;王廷君;林钰庭;何柏慷;萧柏铠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种鳍式场效晶体管，包括衬底、多个隔离结构、多个阻挡层以与栅极叠层结构。衬底具有多个半导体鳍片。隔离结构位在衬底上，以隔离半导体鳍片。另外，半导体鳍片突出于隔离结构。阻挡层位在隔离结构与半导体鳍片之间。阻挡层的材料与隔离结构的材料不同。栅极叠层结构横跨过部分半导体鳍片、部分所述阻挡层以及部分所述隔离结构。另外，也提供一种鳍式场效晶体管的制造方法。
鳍式场效晶体管

[发明专利]鳍式场效晶体管-CN201010206805.3有效
发明人：林宪信;郭紫微;苏建彰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-06-17 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种鳍式场效晶体管。该鳍式场效晶体管包含：基板、鳍式结构、栅极结构、外延层以及通道。基板包含晶状半导体物质，并包含具有第一晶面方向的顶层表面。鳍式结构包含晶状半导体物质，覆盖于基板上。栅极结构覆盖于该鳍式结构的一部份。外延层覆盖于鳍式结构的另一部份，外延层包含具有第二晶面方向的表面。外延层以及其下的鳍式结构包含通过栅极结构隔离的漏极区以及源极区。通道定义于鳍式结构中，自源极区延伸至漏极区，并与基板的顶层表面以及外延层的表面沿平行方向对齐。
鳍式场效晶体管

[实用新型]鳍式场效晶体管-CN201420547258.9有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种鳍式场效晶体管，包括：衬底，所述衬底包括器件区域和熔丝区域；形成于所述器件区域上的FinFET结构；以及形成于所述熔丝区域上的e-fuse结构。在本实用新型提供的鳍式场效晶体管中，在传统的FinFET结构的基础上增加了能够实现可编程电子熔丝功能的e-fuse结构，而且所述FinFET结构与所述e-fuse结构能够在同一个工艺中制作完成，无需分别制作
鳍式场效晶体管

[发明专利]半导体装置-CN201610900624.8在审
发明人：江国诚;蔡庆威;王志豪;梁英强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含第一鳍式场效晶体管及第二鳍式场效晶体管。第一鳍式场效晶体管包含第一栅极、第一源极及第一漏极，且具有源极/漏极间的第一距离。第二鳍式场效晶体管包含第二栅极、第二源极及第二漏极，且具有小于第一鳍式场效晶体管源极/漏极间距离的第二距离。在一些实施例中，第一鳍式场效晶体管装置为一种输入/输出装置，而第二鳍式场效晶体管装置为诸如一核心装置的非输入/输出装置。在一些实施例中，第一鳍式场效晶体管源极/漏极之间具有较大的距离，是因为第一鳍式场效晶体管装置的一附加间隔层而第二鳍式场效晶体管装置没有。其功效在于可减少短通道效应。
半导体装置

[发明专利]确定电路老化性能的方法和装置-CN201310684584.4有效
发明人：孙永生;郭建平;付一伟 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种确定电路老化性能的方法和装置，该方法包括：确定电路中每个鳍式场效晶体管的自发热温度；根据每个鳍式场效晶体管的自发热温度，确定每个鳍式场效晶体管的仿真温度；根据每个鳍式场效晶体管的仿真温度本发明实施例的确定电路老化性能的方法和装置，根据电路中每个鳍式场效晶体管的自发热温度确定每个鳍式场效晶体管的仿真温度，能够使每个鳍式场效晶体管的仿真温度与每个鳍式场效晶体管的实际温度相接近，从而能够使根据该仿真温度确定的电路老化性能与实际情况下的电路老化性能相符合
确定电路老化性能方法装置

[发明专利]半导体元件-CN201910659652.9在审
发明人：江国诚;王志豪;蔡庆威;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本揭露是关于一种半导体元件及制造方法，且更特定而言关于具有鳍式结构的半导体元件，鳍式结构具有不同顶表面晶体取向及/或不同材料。本揭露提供一种包括N型鳍式场效晶体管元件及P型鳍式场效晶体管元件的半导体结构，其具有不同顶表面晶体取向及具有不同材料的鳍式结构。本揭露提供一种制造包括N型鳍式场效晶体管元件及P型鳍式场效晶体管元件的半导体结构的方法，N型鳍式场效晶体管元件及P型鳍式场效晶体管元件具有不同顶表面晶体取向及不同材料，用以实现最佳电子传输及空穴传输。本揭露亦提供一种二极管结构及在鳍式结构中包括硅锗的双极接面晶体管结构。
鳍式结构晶体取向顶表面半导体结构半导体元件双极接面晶体管二极管结构电子传输空穴传输硅锗制造

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011493051.4在审
发明人：黄仁安;林毓超;李东颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体结构包含位于基底之上的第一全绕式栅极场效晶体管以及相邻于第一全绕式栅极场效晶体管的第一鳍式场效晶体管，第一全绕式栅极场效晶体管包含多个第一纳米结构以及围绕第一纳米结构的第一栅极堆叠。第一鳍式场效晶体管包含第一鳍结构以及位于第一鳍结构之上的第二栅极堆叠。半导体结构还包含栅极切割部件，栅极切割部件插入第一全绕式栅极场效晶体管的第一栅极堆叠与第一鳍式场效晶体管的第二栅极堆叠之间。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202210113321.7在审
发明人：黄玉莲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本文涉及一种半导体装置的形成方法，所描述的各种半导体技术能够缩小鳍式场效晶体管的一个或多个尺寸及/或增加鳍式场效晶体管的一个或多个尺寸。可使用材料通过选择性沉积来缩小鳍式场效晶体管的一个或多个x方向尺寸，而通过蚀刻来增加或扩大鳍式场效晶体管的一个或多个y方向尺寸。鳍式场效晶体管的金属漏极的x方向尺寸、鳍式场效晶体管的主动区的x方向尺寸及/或鳍式场效晶体管的多晶硅区的x方向尺寸可通过选择性沉积氮化硼、碳化硼、氧化硼(例如B2鳍式场效晶体管的一个或多个y方向尺寸增加。
半导体装置形成方法

[发明专利]鳍式场效晶体管应力工程优化及其的制作方法-CN202010145943.9有效
发明人：鲍宇 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种鳍式场效晶体管应力工程优化方法和鳍式场效晶体管的制作方法，涉及半导体制造技术，在鳍式场效晶体管的后栅工艺中，通过离子注入工艺形成包括非晶硅和多晶硅的双层结构的伪栅极结构，非晶硅退火体积膨胀产生压应力，在垂直方向挤压鳍结构，而提高鳍式场效晶体管的性能。
鳍式场效晶体管应力工程优化及其制作方法

[发明专利]半导体装置-CN201810794975.4在审
发明人：江国诚;杨凱傑;蔡庆威;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本揭示内容的各方面提供了一种半导体装置，例如鳍式场效晶体管(FinFET)，其结合了在鳍片的通道区域的顶部的鳍片顶部硬罩。由于鳍片顶部硬罩的存在，鳍式场效晶体管的栅极高度可以减低，而不影响鳍片的侧壁上的垂直栅极通道的适当操作。因此，鳍式场效晶体管中，介于栅极堆叠和源极/漏极接触的寄生电容可经由降低鳍式场效晶体管的栅极高度而减小。
鳍式场效晶体管鳍片半导体装置源极/漏极垂直栅极寄生电容通道区域栅极堆叠侧壁减小

[发明专利]鳍式场效晶体管装置结构的形成方法-CN201810355316.0在审
发明人：蔡宗裔;陈燕铭;李宗霖;叶致锴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种具有虚设鳍式结构的鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法。此鳍式场效晶体管装置结构包括隔离结构位于基板之上，以及第一鳍式结构延伸高于隔离结构。此鳍式场效晶体管装置结构包括第二鳍式结构埋设于隔离结构之中，以及衬层形成于第一鳍式结构的侧壁及第二鳍式结构的侧壁上。此鳍式场效晶体管装置结构包括材料层形成于第二鳍式结构之上，其中材料层与隔离结构是由不同的材料所形成。
鳍式结构鳍式场效晶体管装置结构隔离结构材料层侧壁衬层基板埋设虚设延伸

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202010881891.1在审
发明人：曹敏;王培宇;杨世海;蔡庆威;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置的形成方法，此种半导体装置包括n型鳍式场效晶体管结构及p型鳍式场效晶体管结构，其中n型鳍式场效晶体管及p型鳍式场效晶体管结构的每一个皆包括半导体基板及栅极沟槽。所述方法包括：沉积界面层于每一个栅极沟槽中；沉积第一金属氧化物层于界面层上；从p型鳍式场效晶体管结构移除第一金属氧化物层；沉积铁电层于每一个栅极沟槽中；沉积第二金属氧化物层于铁电层上；从n型鳍式场效晶体管结构移除第二金属氧化物层
半导体装置形成方法

[发明专利]鳍状场效晶体管及其工艺-CN201210080899.3在审
发明人：林建廷;江文泰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2012-03-23 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种鳍状场效晶体管(FinFET)及其工艺，该工艺包括下述步骤。首先，提供基底。接着，形成第一鳍状场效晶体管以及第二鳍状场效晶体管于基底上，其中第一鳍状场效晶体管包括第一金属层，而第二鳍状场效晶体管包括第二金属层。然后，进行处理工艺于第一金属层，以改变第一鳍状场效晶体管的临限电压。
鳍状场效晶体管及其工艺

[发明专利]鳍式场效晶体管应力工程优化及其的制作方法-CN202010145945.8有效
发明人：鲍宇 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种鳍式场效晶体管应力工程优化方法和鳍式场效晶体管的制作方法，涉及半导体制造技术，在鳍式场效晶体管的后栅工艺中，通过离子注入工艺形成包括非晶硅和多晶硅的双层结构的伪栅极结构，非晶硅构成鳍结构的侧墙，由非晶硅构成的侧墙退火体积膨胀产生压应力，在垂直方向挤压鳍结构，缓解鳍结构的侧壁呈上窄下宽的结构而造成沟道性能差异的问题，而提高鳍式场效晶体管的性能。
鳍式场效晶体管应力工程优化及其制作方法

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