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[发明专利]一种光敏三极管-CN201610677155.8在审
发明人：周明 -专利权人：南通明芯微电子有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种光敏三极管，包括外壳、设在外壳内的管芯、连在管芯下方的引脚、设在外壳顶部的玻璃凸镜，所述的管芯包括两端的发射区和集电区、设在发射区和集电区中间的基区、连在发射区上的发射极、连在集电区上的集电极、连在基区上的基极、设在发射区与基区之间的发射结和设在集电区与基区之间的集电结，所述的引脚上设有定位块。
一种光敏三极管

[发明专利]一种界面极性偏转的InGaP/GaAs异质结双极型晶体管及其制备方法-CN202111573172.4在审
发明人：龚平;杨宇博;夏天文;吴旗召 -专利权人：西安唐晶量子科技有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及一种界面极性偏转的InGaP/GaAs异质结双极型晶体管及其制备方法，方法包括：选取GaAs衬底层；在GaAs衬底层上制备AlGaAs成核层；在AlGaAs成核层上制备n+GaAs集电极欧姆接触层；在n+GaAs集电极欧姆接触层上制备n+InGaP刻蚀阻止层；在n+InGaP刻蚀阻止层上制备n+GaAs集电极过渡层；在n+GaAs集电极过渡层上制备n‑GaAs第一集电区层；在n‑GaAs第一集电区层上制备n‑GaAs第二集电区层；在n‑GaAs第二集电区层上制备p+GaAs基区层；在p+GaAs基区层上制备n‑InGaP发射区层，p+GaAs基区层和n‑InGaP发射区层之间形成n‑InGaP发射区层的
一种界面极性偏转 ingap gaas 异质结双极型晶体管及其制备方法

[发明专利]一种三极管基区结构-CN200910199970.8有效
发明人：朱骏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明提供一种三极管基区结构，所述三极管包括发射区、基区和集电区，所述基区位于所述发射区和所述集电区之间，所述基区包括从集电区一侧到发射区一侧依次形成的无掺杂多晶硅层、锗硅层或锗硅炭层以及掺杂多晶硅层，其中所述无掺杂多晶硅层和所述集电区相连，所述掺杂多晶硅层和所述发射区相连。本发明在基区的锗硅层或锗硅炭层和集电区之间，淀积一层无掺杂多晶硅层，从而改善了在集电极上生长锗硅层或锗硅炭层而导致的锗硅之间的晶格失配的问题，有利于后续光刻工艺的对准操作。
一种三极管结构

[发明专利]一种高可靠性的SOI-LIGBT-CN201710014266.5有效
发明人：罗小蓉;黄琳华;邓高强;周坤;魏杰;孙涛;刘庆;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-01-10 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明相比于传统的LIGBT，在P+集电区附近引入一个N+集电区和多晶硅电阻区，又在发射极端引入槽形发射电极。新器件可实现如MOSFET的耐压机理，其耐压值大小不随P+集电区掺杂浓度的变化而变化，可在较短的漂移区内实现较高耐压。新器件在开启时，槽形发射电极使空穴电流聚集在N+发射区底部效应减弱，空穴电流分布更均匀，有效增强新器件抗闩锁效应和短路能力。
一种可靠性 soi ligbt

[实用新型]一种逆导型IGBT的背面版图布局-CN201220689587.8有效
发明人：张文亮;田晓丽;朱阳军;卢烁今 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能够同时消除短路集电极型逆导IGBT产生的初次回跳和二次回跳的逆导型IGBT的背面版图布局，属于半导体器件技术领域。该背面版图布局，包括P+集电区、N+短路区和P+引导区，N+短路区和P+引导区向该逆导型IGBT的正面延伸后与栅极引线键合窗口无交集，其特征在于，P+集电区连续。该背面版图布局1）由于引入了P+引导区，所以能够消除短路集电极型逆导IGBT的初次回跳；2）由于P+集电区连续，使导通区域的扩展过程也是连续渐变的，所以能够避免由于突变性扩展引起的二次回跳。
一种逆导型 igbt 背面版图布局

[发明专利]一种NPN型横向GaN/SiGe HBT器件结构及其制备方法-CN202010042636.8在审
发明人：李迈克 -专利权人：中合博芯（重庆）半导体有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种NPN型横向GaN/SiGe HBT器件结构，包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底表面形成有SiON氧化层，SiON氧化层表面从左至右形成有厚度相同而宽度不同的发射区、基区和集电区，发射区和集电区里淀积有Ge组分从左至右逐渐变大的P型掺杂Si1‑rGer层且0r1，发射区、基区和集电区表面对应生长有发射极、基极和集电极的电极引出层，各个电极均选用相同的金属硅化物，相邻电极区域之间通过隔离氧化层绝缘隔离。
一种 npn 横向 gan sige hbt 器件结构及其制备方法

[发明专利]具有高击穿电压的锗硅异质结双极晶体管结构及其制作方法-CN201110376860.1有效
发明人：韩峰;石晶;钱文生;刘冬华;胡君;段文婷;陈帆;邱慈云 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高击穿电压的锗硅异质结双极晶体管结构及其制造方法，包括：在HBT两侧的场氧区中，靠外边缘在部分场氧下有两个N+赝埋层；在N+赝埋层和有源区下方有匹配层；在HBT两侧的场氧区非赝埋层区域和匹配层上方有源区形成集电区；集电区采用非均匀掺杂，场氧之间纵向集电区部分重掺杂，场氧下方横向集电区部分轻掺杂；场氧下N-集电区与匹配层之间相互耗尽，形成横向耗尽区；基区窗口的尺寸等于或大于HBT有源区尺寸；基区窗口介质层采用多晶硅/氧化硅结构；发射区窗口尺寸小于有源区尺寸；发射区窗口介质层采用氮化硅/氧化硅结构；发射极采用氧化硅侧墙；在场氧中制作深孔接触，连接赝埋层，引出集电区电极。
具有击穿电压锗硅异质结双极晶体管结构及其制作方法

[发明专利]低比导通电阻的横向双极型晶体管-CN201210330620.2在审
发明人：张作钦;崔京京 -专利权人：苏州英能电子科技有限公司
申请日： 2012-09-09 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了低比导通电阻的横向双极型晶体管，包括,衬底;设置于衬底上的第一RESURF区；依次设置的集电区、基区以及发射区；其中，所述基区内形成有基区欧姆接触区，所述基区欧姆接触区上设置有基极；所述集电区内形成有集电区欧姆接触区，所述集电区欧姆接触区上设置有集电极；所述发射区上设置有发射极，用于平缓漂移区电场变化的第二RESURF区。
通电横向双极型晶体管

[发明专利]一种半导体器件集电区的制造方法-CN201811541415.4在审
发明人：王思亮;胡强;蒋兴莉 -专利权人：成都森未科技有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件制造领域，具体涉及一种半导体器件集电区的制造方法，其包括如下步骤：在半导体基板或具有形成于半导体基板背面的n型缓冲层的半导体基板，进行如下工序：注入工序，从半导体基板的背面进行硼注入；沉积工序，在半导体基板的背面进行铝薄膜沉积；形成工序，通过在所述注入工序和所述沉积工序后，对所述半导体基板进行退火处理，从而形成在所述半导体基板的背面形成p型集电区。本方法能够得到掺杂浓度较高的p型集电区，并且与集电区形成后的背面电极制作工艺兼容，从而有效提高半导体器件的空穴注入效率和电导调制效应，降低器件的导通损耗。
半导体基板半导体器件集电区沉积背面半导体器件制造电导调制效应空穴注入效率背面电极导通损耗降低器件退火处理形成工序制作工艺铝薄膜制造掺杂兼容

[发明专利]一种晶体管的制作方法-CN201010235711.9有效
发明人：吴小利;唐树澍 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-07-23 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提出一种晶体管的制作方法，包括以下步骤：制作集电区；在所述集电区上制作基区；在所述基区上制作发射区；以所述发射区为掩膜，对所述基区进行离子注入，所述离子注入的能量范围为5-150keV，剂量范围为3e15-3e12cm-2，使得离子能够注入到所述基区以及所述集电区内，注入完成后进行扩散工艺，在所述基区以及所述集电区内形成掺杂区。本发明提供的制作方法在保持晶体管的特征频率的前提下，提高了晶体管的集电极-基极反向击穿电压，从而提高了晶体管的整体性能。
一种晶体管制作方法

[发明专利]PNP型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件及其制备方法-CN201911303076.0在审
发明人：李迈克 -专利权人：中证博芯(重庆)半导体有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了PNP型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件，从下往上依次包括：衬底、埋氧层、集电区、基区以及发射区，所述集电区包括下层的P型单晶硅层以及上层的金属硅化物层，所述基区包括N型AlGaN层，所述发射区包括P型GaN层；所述P型单晶硅层上设有集电极，所述N型AlGaN层上设有基极，所述P型GaN层上设有发射极。
集电区发射区基区金属硅化物层硅基工艺接触界面截止频率器件开关发射极集电极埋氧层肖特基衬底下层兼容上层

[实用新型]NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件-CN201922274451.5有效
发明人：李迈克 -专利权人：中证博芯（重庆）半导体有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本实用新型公开了NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件及制备方法，从下往上依次包括：衬底、埋氧层、集电区、基区以及发射区，所述集电区包括下层的N型单晶硅层以及上层的TiSi2层，所述基区包括P型GaN层，所述发射区包括N型AlGaN层以及位于其上的N型GaN帽层；所述N型单晶硅层上设有集电极，所述基区设有基极，所述GaN帽层上设有发射极。
npn 型肖特基集电区 algan gan hbt 器件

[实用新型]三极管封装结构-CN201920659247.2有效
发明人：姚磊 -专利权人：无锡光磊电子科技有限公司
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本实用新型包括封装外壳，所述封装外壳内设有集电区、基区和发射区，所述封装外壳顶部和两侧均开设有穿孔，所述集电区向上引出集电电极，所述基区向上引出基区电极，所述发射区均向上引出发射电极，所述基区电极通过封装外壳顶部的穿孔穿出，所述封装外壳表面一体成型有散热片；散热片的设置有助于帮助整体三极管的封装结构在工作的时候加强散热，增加使用寿命；穿孔与电极之间胶接有硅胶密封圈有助于加强封装结构内的密封性，防止内部物体流出或外部气体水分进入影响结构；集电电极的长度为发射电极长度的两倍有助于进行区分；折痕的设置不但能够使得使用者分清楚电极还可以进行电极长度的裁切。
封装外壳封装结构电极穿孔发射电极基区电极集电电极发射区集电区三极管散热片基区本实用新型硅胶密封圈使用寿命外部气体一体成型影响结构密封性散热裁切穿出胶接折痕流出帮助

[发明专利]超高压锗硅HBT器件及其制造方法-CN201110370460.X有效
发明人：刘冬华;石晶;段文婷;钱文生;胡君 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高压锗硅HBT器件，包括位于两个浅槽隔离结构之间的集电区，其特征是，所述浅槽隔离结构的底部具有赝埋层，所述集电区的两侧与赝埋层相连；所述浅槽隔离结构的上方具有锗硅场板；所述赝埋层通过一个穿越浅槽隔离结构的接触孔电极引出，所述锗硅场板通过另一个接触孔电极引出，这两个接触孔电极相连接作为集电极。
超高压 hbt 器件及其制造方法

[发明专利]一种具有超结的逆导型IGBT-CN201910738148.8在审
发明人：郑崇芝;夏云;谯彬;李青岭;孙瑞泽;刘超;施宜军;信亚杰;王方洲;陈万军 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：相对于传统的超结逆导型IGBT，本发明将集电极区中的一部分的P+集电极区用N+集电区替换，并且用P型条以及介质隔离层将N型漂移区分为两个不相连的N型漂移区区域，P+集电极区与N+集电区各位于其中一个N型漂移区由于N+集电区的存在，器件能实现逆向导通。本发明的有益成果：实现逆向导通能力，无snapback现象，同时优化了逆向导通时电流分布。
导通状态集电极区集电区逆导型超结导通功率半导体技术漂移介质隔离层电流分布正向导通传统的单极双极叠加近似替换隔离优化