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[发明专利]一种HBT结构及其制造方法-CN202310625337.0在审
发明人：易孝辉;张培健;陈仙;洪敏;魏佳男;唐新悦;罗婷;张静 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路技术领域，提供了一种HBT结构及其制造方法，结构包括：硅基衬底；集电区耐压区，深N阱注入于硅基衬底；外延集电区，外延于集电区耐压区上；多个集电区接触区，间隔设置于集电区耐压区背离硅基衬底的一侧；多个隔离浅槽，设置于各集电区接触区两侧；基区，外延于外延集电区上；发射区，外延于基区的发射区窗口中。本发明中，HBT结构不需要传统的掩埋层，通过隔离浅槽将集电区耐压区与集电区接触区相隔离，在横向和纵向都能有效承受压降；通过在集电区耐压区上外延集电区，并在外延集电区上形成基区得到非平面PN结，形成二维电场分布
一种 hbt 结构及其制造方法

[发明专利]逆导型IGBT器件及其制备方法-CN202310892475.5在审
发明人：陈开宇 -专利权人：瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种逆导型IGBT器件及其制备方法，包括缓冲层、漂移区、体区、源区、栅极结构、第二导电类型集电区、第一导电类型集电区、发射电极、栅极引出端及集电极，其中，相邻的第一导电类型集电区和第二导电类型集电区之间构成台阶，第二导电类型集电区的底面不低于第一导电类型集电区的顶面。本发明通过于第一导电类型集电区与第二导电类型集电区之间形成为台阶，提高缓冲层的扩展电阻，使得第二导电类型集电区和第一导电类型集电区之间的电压降增大，从而使器件尽快进入双极导通模式，降低了器件的电压折回效应
逆导型 igbt 器件及其制备方法

[发明专利]变掺杂阳极IGBT结构及其制作方法-CN201610348468.9有效
发明人：刘国友;朱利恒;覃荣震;罗海辉;黄建伟;戴小平 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种变掺杂阳极IGBT结构及其制作方法，IGBT结构包括集电区，其中，集电区包括有源区对应的第一集电区和终端对应的第二集电区，第一集电区的掺杂剂量高于第二集电区的掺杂剂量。由于有源区对应的第一集电区与终端对应的第二集电区的掺杂剂量不相同，第一集电区的掺杂剂量高、空穴注入效率高，而第二集电区的掺杂剂量低、空穴注入效率低，可使得该IGBT结构既能获得良好的导通性能，又具有较高的抗动态雪崩性能
新型掺杂阳极 igbt 结构及其制作方法

[发明专利]双极型晶体管的集电区本征方块电阻的测量方法-CN200910196466.2无效
发明人：王兵冰 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： G01R27/08 文献下载
摘要：本发明提出一种双极型晶体管的集电区本征方块电阻的测量方法，双极型晶体管包括发射区、基区和集电区，其中发射区包括发射区金属引出，基区包括基区金属引出，集电区包括两个集电区金属引出，测量时，发射区保持零偏压，基区加第一电压Vbe；集电区的两个集电区金属引出上分别加第二电压Vce+ΔV、第三电压Vce-ΔV，并测量流经集电区的电流I；在多个具有相同长度Lc和不同宽度Wc的集电区的双极型晶体管上重复步骤a和b；根据集电区的长度Lc、宽度Wc和电流I的数值，由公式2ΔV/ΔI＝Rsh*Lc/ΔWc+Rx，以Lc/ΔWc为横坐标、2ΔV/ΔI为纵坐标拟合出曲线，曲线的斜率为集电区本征方块电阻Rsh，截距为集电区的非本征电阻
双极型晶体管集电区方块电阻测量方法

[发明专利]逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法、电力电子设备-CN201711034355.2有效
发明人：何昌 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：逆导型绝缘栅双极型晶体管包括集电极金属、位于集电极金属前侧且交替排列的第一P型集电区和N型集电区，以及对应设置在每个N型集电区前侧的第二P型集电区，第二P型集电区与N型集电区相对设置，集电极金属通过贯穿N型集电区的接触孔槽与第二P型集电区连接。
逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法电力电子设备

[发明专利]半导体器件制作方法-CN201310641870.2在审
发明人：张文亮;朱阳军;陆江;田晓丽 -专利权人：江苏中科物联网科技创业投资有限公司
申请日： 2013-12-03 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件制作方法，包括：在衬底表面内形成集电区，所述集电区包括并列设置于所述衬底表面的P型集电区和N型集电区；在所述集电区表面形成漂移区，所述漂移区的掺杂浓度小于所述集电区的掺杂浓度；在所述漂移区表面形成正面结构；对所述衬底背离所述集电区一侧进行背面减薄，直至同时曝露出P型集电区和N型集电区。
半导体器件制作方法

[发明专利]一种逆导型IGBT器件-CN201310283853.6有效
发明人：任敏;宋询奕;李果;顾鸿鸣;张鹏;吴明进;曾智;李泽宏;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明利用变组分的混合晶体来制作IGBT的集电区，形成禁带宽度渐变的能带结构。在集电区与漂移区交界处具有较小的禁带宽度，降低了集电区与漂移区的内建电势，缓解snap-back现象；同时由于集电区材料组分渐变，形成渐变的禁带宽度，在集电区内产生了一个少子的减速场，从而减小了漂移区向集电区的少子注入，提高了集电区向漂移区注入效率，可获得更强的电导调制效应，有利于降低IGBT的正向导通压降。
一种逆导型 igbt 器件

[发明专利]锗硅HBT的集电区引出结构及其制造方法-CN201210163783.6有效
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本申请公开了一种锗硅HBT的集电区引出结构，包括集电区电极；还包括填充结构，其顶面接触集电区电极的底面。所述填充结构对称分布于集电区两侧的隔离区及其下方的衬底中。掺杂多晶硅的深度＞集电区的深度＞隔离区的深度。两个掺杂多晶硅的侧面接触集电区。本申请还公开了其制造方法。本申请可以降低集电区引出结构与衬底之间的寄生电容。
锗硅 hbt 集电区引出结构及其制造方法

[发明专利]电池及其导电结构-CN200510048280.4有效
发明人：叶胜发;蔡嘉轩;洪俊睿;罗志伦;刘礼纶 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2005-12-30 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01M2/20 文献下载
摘要：极卷包括一正极集电区以及一负极集电区。正极导电元件以铆接的方式耦接该正极集电区。负极导电元件以铆接的方式耦接该负极集电区。
电池及其导电结构

[发明专利]一种双模式绝缘栅晶体管-CN201410287757.3有效
发明人：张文亮;朱阳军;高君宇 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：该双模式绝缘栅晶体管包括逆导区和引导区；逆导区和引导区均包括P+集电区，漂移区和MOS元胞区，漂移区均在P+集电区的上方，MOS元胞区均在漂移区的上方；逆导区还包括N+集电区，N+集电区与P+集电区相间分布；引导区还包括分离区或低掺杂区，分离区将引导区的P+集电区与逆导区的P+集电区和N+集电区隔离，低掺杂区在引导区的P+集电区上方。
一种双模绝缘晶体管

[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极型晶体管-CN202310430492.7有效
发明人：林青;张杰 -专利权人：上海陆芯电子科技有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：该逆导型绝缘栅双极型晶体管包括至少一个元胞，每一个元胞包括：集电区，集电区包括P型集电区和N型集电区；N型缓冲区覆盖P型集电区和N型集电区；导电接触孔位于P型集电区和N型集电区之间，从集电区延伸至N型缓冲区的部分区域；N型漂移区位于N型缓冲区远离集电区的一侧；P型体区位于N型漂移区远离N型缓冲区的一侧；发射区包括P型发射区和N型发射区，P型发射区包围N型发射区设置；沟槽栅结构位于N型发射区内，贯穿N型发射区且从N型发射区
一种逆导型绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种功率半导体器件及其集电区的制造方法-CN201811541418.8在审
发明人：王思亮;胡强;蒋兴莉 -专利权人：成都森未科技有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件制造领域，具体涉及一种功率半导体器件及其集电区的制造方法，其包括半导体基板或具有形成于半导体基板背面的n型缓冲层的半导体基板、第一p型集电区和第二p型集电区，第一p型集电区通过对半导体基板背面的硼注入形成，第二p型集电区是通过对半导体基板背面的铝注入形成，从半导体基板的背面算起，铝注入的峰值位置比所述硼注入的峰值位置浅，铝注入的峰值浓度比所述硼注入的峰值浓度高。本发明通过硼注入形成第一p型集电区和铝注入形成第二p型集电区，在不超过退火温度范围的情况下，能够有效增加集电区载流子浓度，从而提升IGBT器件的空穴注入效率和漂移区电导调制效应，实现更低的导通压降和通态损耗
半导体基板集电区功率半导体器件峰值位置载流子半导体器件制造退火电导调制效应空穴注入效率导通压降通态损耗浓度比漂移区制造背面

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010454921.0在审
发明人：杨广立 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底；位于衬底上的集电区；位于集电区上的基区，基区的掺杂类型与集电区的掺杂类型相反；位于基区内的过渡区，过渡区的掺杂类型与基区的掺杂类型相反，且过渡区的底部高于基区的底部由于过渡区可以作为集电区的延伸，进而使得有效的基区变窄，从而增大电流放大系数β；在进行集电区与发射区之间的击穿电压(BVceo)检测时，位于过渡区底部的基区会帮助过渡区耗尽，从而使得集电区与发射区之间的击穿电压增大另外，集电区不能够被过渡区简单的进行取代，这是由于集电区将位于过渡区顶部和底部的基区进行包围，有效的隔绝电流直接流向衬底，避免了噪声的产生。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]共振隧穿二极管近红外探测器-CN201510547194.1有效
发明人：裴康明;倪海桥;詹锋;董宇;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：一种共振隧穿二极管近红外探测器，包括一衬底；一集电区接触层，其制作在衬底上，集电区接触层一侧的上面形成一台面；一集电区，其制作在集电区接触层上台面的一侧，该集电区为圆形；一吸收层，其制作在集电区上；一空穴堆积层，其制作在吸收层上，其直径小于吸收层的直径；一双势垒结构，其制作在空穴堆积层上；一隔离层，其制作在双势垒结构上；一发射区，其制作在隔离层上；一上电极，其制作在集电区上；一下电极，其制作在集电区接触层一侧的台面上
共振二极管红外探测器

[发明专利]一种三极管版图设计方法、装置及一种芯片-CN200910243862.6无效
发明人：冯春磊 -专利权人：北京中星微电子有限公司
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：所述三极管版图依次包括集电区、基区和发射区三个区域，所述方法包括：根据版图设计规则，设计基区与发射区之间的距离；去除集电区与基区之间的距离，使基区与集电区相接，但在集电区与基区之间填充硅进行区域区分。本发明去除了现有技术中集电区与基区之间的距离，使基区与集电区直接相邻，从而减小了版图的面积；而且，在集电区与基区之间填充硅进行区域区分，从而保证了杂质注入所述两个区域的准确性，实现了集电区与基区的自校准
一种三极管版图设计方法装置芯片

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