“逆导型”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3241454个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]三电平电路及其控制方法-CN202111280073.7在审
发明人：许亚明;王武华;周党生;贾宇 -专利权人：深圳市禾望电气股份有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H02M7/483 文献下载
摘要：本申请公开一种三电平电路及其控制方法，所述三电平电路包括第一至第六逆导型IGBT组成的有源中性点钳位三电平电路；其中第一逆导型IGBT和第四逆导型IGBT为所述三电平电路的外管，第二逆导型IGBT和第三逆导型IGBT为所述三电平电路的内管，第五逆导型IGBT和第六逆导型IGBT为所述三电平电路的钳位管；所述方法包括：采用单极性和双极性混合发波方式控制第一至第六逆导型IGBT，以实现正电平状态、零电平状态以及负电平状态之间的切换
电平电路及其控制方法

[实用新型]基于全桥逆变的DC‑DC变换器-CN201620828902.9有效
发明人：杨喜军;方万;韩斐;孟祥群;陈燕红 -专利权人：嘉兴力德数控科技有限公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：基于全桥逆变的DC‑DC变换器，包括第一逆变电路、第二逆变电路、第三逆变电路和整流电路，还包括变压器和整流电路；所述第一逆变电路、第二逆变电路、第三逆变电路的输入端接直流电源，其输出端串联在一起并且接入变压器的原边，变压器副边连接一个整流电路，将交流电压变换为直流电压，完成DC‑DC电力变换；所述第一逆变电路包括第一电解电容、第一逆导型开关、第二逆导型开关、第三逆导型开关、第四逆导型开关。
基于全桥逆变 dc 变换器

[发明专利]逆导型IGBT-CN202210087607.2在审
发明人：吴小利;王海军 -专利权人：上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆导型IGBT，在横向上IGBT的形成区域和FRD的形成区域互相邻接且隔离。在IGBT和FRD的形成区域中形成有漂移区和场截止层；在IGBT的形成区域中，在场截止层的背面形成有集电区。
逆导型 igbt

[发明专利]智能功率模块和具有其的电子设备-CN202310641268.2在审
发明人：谢地林;李正凯;周文杰;成章明;刘剑;别清峰 -专利权人：海信家电集团股份有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能功率模块和具有其的电子设备，包括：基板，基板设有导电区；框架，框架包括控制侧框架和功率侧框架，控制侧框架和功率侧框架分设于基板的相对两侧；逆导型功率芯片，逆导型功率芯片安装于导电区且与功率侧框架电连接；电路板，电路板与控制侧框架连接驱动芯片，驱动芯片安装于电路板；导电插针，导电插针穿过电路板以与逆导型功率芯片连接，固定电路板和逆导型功率芯片的相对位置，驱动芯片通过电路板和导电插针和逆导型功率芯片电连接根据本发明实施例的智能功率模块能够避免在塑封过程中溢料，且电路板和逆导型功率芯片之间电连接结构短，便于连接。
智能功率模块具有电子设备

[发明专利]增强逆导型IGBT雪崩耐量的方法-CN201811187009.2在审
发明人：周宏伟;刘鹏飞;闫宏丽;刘杰;徐西昌 -专利权人：龙腾半导体有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及一种增强逆导型IGBT雪崩耐量的方法，该方法在芯片背面相对应正面的主结区域，形成N注入区，将原来寄生的PNP三极管，变成一个PIN的结构，有效抑制雪崩过程中，发生二次击穿造成单管损坏。本发明在逆导型IGBT背面注入的时候，在对应主结区域，注入一圈N+区域，抑制了逆导型IGBT雪崩过程的二次击穿特性，大大提高逆导型IGBT的雪崩耐受能力，且不增加任何成本。
逆导型二次击穿雪崩过程雪崩耐量主结耐受能力芯片背面有效抑制单管雪崩背面

[实用新型]一种新型超结逆导IGBT结构-CN201621232477.3有效
发明人：徐承福;白玉明;张海涛 -专利权人：无锡同方微电子有限公司
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及高压IGBT器件终端技术领域，尤其是一种新型超结逆导IGBT结构，包括N‑型基区、P型基区、N+集电区、集电极、P柱、和背部P柱，其中P柱为多个且分布在N‑型基区的内两侧，背部P柱为两个且位于集电极的上表面，两个背部P柱分别位于N‑型基区的底部两侧。本实用新型的新型超结逆导IGBT结构集成了超结MOSFET结构和逆导结构，可以得到相应的超结MOSFET结构和逆导结构的优点，同时两个背部P柱可以替代背P+层发射区，衬底的背部P柱可以用键合工艺的方法加工，无需采用背面光刻和P+注入的方法来形成逆导型IGBT，降低了超结逆导IGBT结构整体制造工艺难度。
一种新型超结逆导 igbt 结构

[发明专利]逆导型IGBT的热阻测试电路和方法-CN201810300563.0有效
发明人：陈媛;张鹏;陈义强;骆成阳;贺致远 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种逆导型IGBT的热阻测试电路和方法，包括控制电路、栅极电压源、测试电流源和加热电流源，栅极电压源、测试电流源和加热电流源均连接控制电路，栅极电压源、测试电流源、加热电流源和控制电路均用于连接待测逆导型控制电路控制测试电流源、加热电流源和栅极电压源分别提供逆向测试电流、正向加热电流和栅极电压，加热时待测逆导型IGBT正向导通导通后功率加热，测试时，由于逆导型IGBT集成了反向二极管，通过输入逆向测试电流，记录待测逆导型IGBT的降温曲线，根据降温曲线和温敏系数得到热阻值，避免了由于正向测试时回跳现象引起的测试不准确的问题，热阻测试准确性高。
逆导型 igbt 测试电路方法

[发明专利]一种逆导型IGBT器件及智能功率模块-CN201911044513.1有效
发明人：冯宇翔;周海佳 -专利权人：广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请公开了一种逆导型IGBT器件及智能功率模块。该逆导型IGBT器件集成有IGBT器件和快速恢复二极管，其中，快速恢复二极管的第一掺杂类型电极区和/或第二掺杂类型电极区采用热电材料形成。通过这种方式，能够提高逆导型IGBT的主动散热性能。
一种逆导型 igbt 器件智能功率模块

[发明专利]逆导型IGBT功率集成模块-CN202010837962.8在审
发明人：尚敬;肖强;朱利恒;罗海辉;覃荣震;刘鹏飞 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本公开提供一种逆导型IGBT功率集成模块，包括衬板和设置于所述衬板上的逆导型IGBT芯片；所述衬板包括发射极导电层和集电极导电层；所述逆导型IGBT芯片包括终端区、若干IGBT器件和若干FRD器件；其中，所述IGBT器件的总面积为所述逆导型IGBT芯片的面积的50％至90％，所述IGBT器件的发射极PAD区与所述FRD器件的阳极PAD区通过绑定线与所述发射极导电层连接，所述IGBT器件的集电极PAD区和所述通过将若干IGBT器件和FRD器件集成在一个芯片上，形成逆导型IGBT芯片，使得IGBT器件和FRD器件共用芯片的终端区，提高了衬板通流能力。
逆导型 igbt 功率集成模块

[发明专利]一种逆导型功率半导体模块封装结构及其封装方法-CN201911359251.8在审
发明人：刘国友;李道会;齐放;李想;王彦刚;罗海辉 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L23/043 文献下载
摘要：本发明提供了一种逆导型功率半导体模块封装结构及其封装方法，该封装结构包括基板，所述基板上设置有多个功能单元，所述功能单元包括相对设置的第一衬板与第二衬板，所述第一衬板上设置有第一金属层，所述第二衬板上设置有第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层上均设置有芯片模块，所述芯片模块由轴对称分布的由多个逆导型芯片组成，所述逆导型芯片的栅极区域位于其边角处且所述多个逆导型芯片的栅极区关于芯片模块的中心呈中心对称；本发明中采用对称且栅极中心对称布局的逆导型芯片
一种逆导型功率半导体模块封装结构及其方法

[发明专利]一种逆导IGBT结构及其制备方法-CN201210424866.6在审
发明人：尹建维 -专利权人：扬州虹扬科技发展有限公司
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种逆导IGBT结构及其制备方法，包括半导体衬底、衬底正面结构和衬底背面结构，衬底正面结构与现有逆导IGBT结构相同；衬底背面结构包括第三p型区、第四p型区、铝金属层、钒金层、镍金属层和银金属层，所述第三p型区和第四p型区位于半导体衬底的底部，且被半导体衬底部分隔离开，半导体衬底底部依次淀积有铝金属层，钒金属层、镍金属层和银金属层；该逆导IGBT结构的衬底正面结构加工方法与制备常规逆导IGBT该逆导IGBT结构导通特性好，“snapback”效应小，总面积小、封装可靠性高，封装成本低；其制备方法简单，加工成本低。
一种 igbt 结构及其制备方法

[发明专利]逆导型IGBT的元胞结构及逆导型IGBT-CN201911366131.0在审
发明人：罗海辉;肖强;朱利恒;覃荣震;刘鹏飞 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供一种逆导型IGBT的元胞结构及逆导型IGBT。这种结构可以降低栅极电压对逆导型IGBT内FRD正向导通压降的影响，使FRD获得更低的正向压降。
逆导型 igbt 结构

[发明专利]一种多电极集成LED的双向导通光增强逆导型碳化硅IGBT器件-CN202310728817.X在审
发明人：陈雨箭;张峰;张国良 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种多电极集成LED的双向导通光增强逆导型碳化硅IGBT器件，由多个元胞并联形成，各元胞包括P型掺杂集电区、N型掺杂集电区、N型掺杂漂移区、N型掺杂缓冲层、N型掺杂漂移区、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、P型掺杂的沟道区、氧化层、栅极电极、发射极电极、集电极电极、LED元胞；通过在IGBT器件的发射极和栅极内部集成LED元胞，使栅极集成的LED元胞在正向导通时发光，发射极集成的LED元胞在器件反向导通时发光，使IGBT器件内部在导通时产生大量光生载流子，大幅提高逆导型IGBT器件的正反向导通电流密度并消除逆导型IGBT器件正向导通时的折回现象，增强逆导型IGBT器件的续流能力。
一种电极集成 led 双向导通光增强逆导型碳化硅 igbt 器件

[发明专利]逆导型IGBT芯片-CN202010864142.8有效
发明人：朱利恒;罗海辉;肖强;覃荣震;王梦洁 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本公开提供一种逆导型IGBT芯片，包括第一导电类型衬底；若干间隔设置于所述衬底下方且与所述集电区相邻接的第一导电类型短路区；其中，所述短路区位于以芯片中心为中心的第一预设范围外；在所述第一预设范围外且于第二预设范围内不仅解决了逆导型IGBT芯片的初次和二次电压折回现象，还降低了芯片的终端区的注入效率，从而降低了器件的高温漏电流。
逆导型 igbt 芯片

[发明专利]一种基于电流阈值判断的逆导型IGBT门极预退饱和驱动方法-CN201810110681.5有效
发明人：黄先进;凌超;游小杰;郑琼林 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于电流阈值判断的逆导型IGBT门极预退饱和驱动方法，利用在逆导型IGBT门极中外置功率MOSFET，起到驱动电平的灵活转换，该驱动电路可以实时监测逆导型IGBT的运行模式，并通过电流测量方法，获得流过电路的平均电流，由此判断是否需要改变门极电压，以优化逆导型IGBT内部集成二极管动态与静态特性，从而降低三相逆变系统动态与静态损耗，提高系统效率，经测算，将此预退饱和门极驱动电路应用于三相逆变器中
逆导型退饱和门极三相逆变器阈值判断门极驱动电路三相逆变系统功率MOSFET 二极管驱动电流测量静态损耗静态特性门极电压内部集成平均电流驱动电路驱动电平实时监测系统容量系统效率运行模式电路测算释放节约灵活转换应用优化

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条