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- [实用新型]一种双P-GaN栅氮化镓增强型器件-CN202220591131.1有效
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余丽波;邓颖婷;郑崇芝
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成都智达和创信息科技有限公司
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2022-03-18
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2022-08-16
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H01L29/06
- 本实用新型公开了一种双P‑GaN栅氮化镓增强型器件，从下到上依次包括GaN沟道层和AlGaN势垒层，在所述AlGaN势垒层的顶部设有P‑GaN势垒层Ⅰ和P‑GaN势垒层Ⅱ，且P‑GaN势垒层Ⅰ和P‑GaN势垒层Ⅱ之间具有间距，在所述AlGaN势垒层的顶部一端淀积有源极金属，另一端淀积有漏极金属；所述P‑GaN势垒层Ⅰ的顶部淀积有栅极金属Ⅰ，所述P‑GaN势垒层Ⅱ的顶部淀积有栅极金属Ⅱ，所述的GaN沟道层和所述的AlGaN势垒层形成二维电子气，所述的P‑GaN势垒层Ⅰ、栅极金属Ⅰ、P‑GaN势垒层Ⅱ和栅极金属Ⅱ共同构成双P‑GaN栅结构；本实用新型不仅拥有相对传统GaN HEMT器件更低的栅电容，同时提高了耐压，提升了器件在高压条件下工作时的可靠性。
- 一种gan氮化增强器件
- [发明专利]一种低导通电阻高跨导的p-GaN HEMT器件-CN202110861761.6在审
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郑崇芝;信亚杰;段力冬;王方洲;孙瑞泽;张波
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电子科技大学
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2021-07-29
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2021-10-22
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H01L29/778
- 本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，涉及一种低导通电阻高跨导的p‑GaNHEMT器件。与常规的p‑GN HEMT器件不同的是，本发明的器件buffer层为p型掺杂的缓冲层。由于缓冲层存在自由移动的空穴，2DEG沟道与p型buffer层之间形成等效的寄生电容，使器件栅源间寄生电容增大，从而提升器件的工作电流，也即降低器件的导通电阻。另外由于p型缓冲层的存在，使AlGaN/GaN界面三角势阱变窄，从而提升栅极控制2DEG沟道的能力，也即提升器件的跨导。研究结果表明，相比于传统的p‑GaN HEMT器件，在同等量级击穿电压的条件下，导通电阻能够降低46.1％，跨导峰值提升26.9％。此外，相比于传统的p‑GaN HEMT器件，除去本发明器件的buffer外延层需要p‑型掺杂外，后续器件制备工艺与传统p‑GaN HEMT器件制备工艺完全兼容。
- 一种通电阻高跨导ganhemt器件
- [发明专利]一种改善反向恢复特性的超结MOSFET-CN202010994816.6有效
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郑崇芝;吴毅;夏云;孙瑞泽;刘超;陈万军;张波
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电子科技大学
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2020-09-21
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2021-06-04
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H01L29/78
- 本发明涉及功率半导体技术，涉及一种改善反向恢复特性的超结MOSFET。相对于传统的MOSFET，本发明在P型漂移区和N型漂移区中间引入绝缘介质，同时将P型阱区分隔为位于N型漂移区上的第一P型阱区和位于P型漂移区上的第二P型阱区两个部分。第一P型阱区与源极金属形成肖特基接触。在第二P型阱区内引入一个平面N型MOSFET，器件的N+源区通过一个浮空金属连接到平面N型MOSFET的漏极。N型MOSFET的源极作为本发明器件的源极，而其栅极与本发明器件栅极相连接。器件反向导通时，由于肖特基二极管处于反偏状态，因此与其相连接的N型漂移区一侧体二极管不导通，只有P型漂移区一侧体二极管导通，因此反向导通时漂移区内存储的电荷减少。本发明改善了器件反向恢复特性。
- 一种改善反向恢复特性mosfet
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