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[发明专利]一种芯片、信号位移电路及电子设备-CN201980093562.6在审
发明人：蒋其梦;彭兴强;孙程豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本申请公开了一种芯片及信号位移电路，应用于充电器或适配器等移动终端上，该芯片合封有采用硅基工艺制作的第一硅基驱动裸片和第二硅基驱动裸片，以及采用氮化镓工艺制作的第一氮化镓裸片和第二氮化镓裸片，第一硅基驱动裸片与控制器的两个输出端连接，第一硅基驱动裸片上集成有第一硅基电路，第二硅基驱动裸片集成有第二硅基电路，第一氮化镓裸片上集成有氮化镓电路，氮化镓电路耐高压，第一硅基电路接收控制器输出的脉冲信号HI，并将HI传递到氮化镓电路；氮化镓电路分担第二硅基电路的输入电压VB，并将HI传递到第二硅基电路。这样可以确保采用低压硅基工艺制作的低压第二硅基驱动裸片不被高输入电压损坏，从而降低了芯片的成本。
一种芯片信号位移电路电子设备

[发明专利]一种芯片、信号位移电路及电子设备-CN201910172026.7有效
发明人：蒋其梦;彭兴强;孙程豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本申请公开了一种芯片及信号位移电路，应用于充电器或适配器等移动终端上，该芯片合封有采用硅基工艺制作的第一硅基驱动裸片和第二硅基驱动裸片，以及采用氮化镓工艺制作的第一氮化镓裸片和第二氮化镓裸片，第一硅基驱动裸片与控制器的两个输出端连接，第一硅基驱动裸片上集成有第一硅基电路，第二硅基驱动裸片集成有第二硅基电路，第一氮化镓裸片上集成有氮化镓电路，氮化镓电路耐高压，第一硅基电路接收控制器输出的脉冲信号HI，并将HI传递到氮化镓电路；氮化镓电路分担第二硅基电路的输入电压VB，并将HI传递到第二硅基电路。这样可以确保采用低压硅基工艺制作的低压第二硅基驱动裸片不被高输入电压损坏，从而降低了芯片的成本。
一种芯片信号位移电路电子设备

[发明专利]多通道硅基开关滤波器组及其制作方法-CN201710399394.6有效
发明人：刘秀博;王绍东;王志强 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种多通道硅基开关滤波器组及其制作方法，涉及半导体和微电子器件技术领域，包括硅基载体层、硅基引线保护层、硅基外框层、硅基盖板层和开关芯片；本发明利用硅基MEMS工艺制作开关滤波器组，将开关芯片预埋在硅基载体层上，并采用硅基MEMS结构的叉指滤波器，硅基基板具有较高的介电常数，因此可以在硅基基板上制作小体积的滤波器，同时采用带状线结构，应用MEMS工艺加工的滤波器，进一步减小了滤波器组的体积，借助高精度半导体加工工艺
通道开关滤波器及其制作方法

[发明专利]基于CMOS硅基平台的低成本多芯片选区异质集成方法-CN201710818651.5有效
发明人：冯朋;肖希;王磊;李淼峰;杨奇;余少华 -专利权人：武汉邮电科学研究院
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于CMOS硅基平台的低成本多芯片选区异质集成方法，涉及硅与非硅材料的异质集成领域。该方法包括：在非硅衬底上通过外延，光刻，刻蚀等工艺制作出共面电极非硅芯片；然后在非硅芯片的晶圆正面注入热固性聚合物溶剂并固化，通过选择性腐蚀工艺去掉衬底与缓冲层，并通过光刻溅射等工艺形成键合金属层；利用集成了非硅芯片台面与对版标记的版图通过CMOS工艺在SOI晶圆的顶层硅上制作出硅基器件结构与键合金属层；利用集成非硅芯片与硅基芯片的版图完成对准贴合，并通过真空键合完成非硅芯片在硅基芯片上异质集成。本发明操作简单，工艺兼容性好，制作成本低，集成度高，可用于硅基平台上非硅材料功能器件的有效集成。
基于 cmos 平台低成本芯片选区集成方法

[发明专利]基于QoS工艺的加速度计芯片及加工工艺和加速度计-CN201811626393.1有效
发明人：李村;韩超;赵玉龙;李波;张全伟;白冰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： G01P15/097 文献下载
摘要：本发明提供基于QoS工艺的加速度计芯片及加工工艺和加速度计，芯片包括键合在硅基结构两侧的第一、第二石英结构，石英结构包括石英框架、双端固定石英音叉、石英支撑梁和石英质量块，硅基结构包括硅基框架和硅质量块；在石英框架和硅基框架处，以及石英质量块和硅质量块处完全键合，形成第一石英结构、硅基结构、第二石英结构的三明治形式；加工工艺是先进行硅基初加工，再进行硅基和两个石英片双面键合，两个石英片减薄和抛光，然后进行石英振梁电极及石英结构的制作，最后进行硅基结构的释放。
基于 qos 工艺加速度计芯片加工

[发明专利]一种硅基芯片背腔湿法释放工艺-CN202211702442.1在审
发明人：王丹丹;孔亮;陈迎迎 -专利权人：苏州恒芯微电子有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体芯片加工技术领域，具体涉及一种硅基芯片背腔湿法释放工艺。本发明中通过在硅基芯片正面形成聚酰亚胺涂层保护硅基芯片正面的金属线路，用氮化硅保护膜保护硅基芯片背面待腐蚀区域以外的区域，用湿法腐蚀液对硅基芯片背面待腐蚀区域进行刻蚀，释放出背腔，得到具有背腔结构的硅基芯片该工艺有效避免了使用聚四氟乙烯夹具保护硅基芯片正面的金属线路时可能出现的硅基芯片受损，以及使用聚四氟乙烯夹具时手动安装需要耗费大量的时间的问题；利用本发明的硅基芯片背腔湿法释放工艺，能够在不变动芯片产线原有设备的前提下，能够实现硅基芯片的大批量的在线连续湿法释放。
一种芯片湿法释放工艺

[实用新型]抗电磁干扰的微波功率分配器-CN201720621456.9有效
发明人：刘秀博;王绍东;王志强 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗电磁干扰的微波功率分配器，涉及半导体和微电子封装技术领域，包括顶层硅基基板、底层硅基基板、电阻薄膜、顶金属层、中间金属层和底金属层；应用硅基MEMS加工工艺加工了一款抗电磁辐射的功率分配器此功率分配器应用带状结构的微波传输线金属层，由顶层硅基基板和底层硅基基板组成，应用硅基MEMS表面硅加工工艺制作金属层和电阻层。硅基MEMS体硅加工工艺制作硅通孔，实现顶层金属和底层金属的互联。
电磁干扰微波功率分配器

[发明专利]一种亚微米尺寸的硅通孔结构及其制备方法、电子设备-CN202310467668.6有效
发明人：王玮;林晨希;陈浪 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供一种亚微米尺寸的硅通孔结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，包括：提供硅基衬底；在硅基衬底的第一侧形成第一金属层；对硅基衬底的第二侧进行减薄，以使第一金属层贯穿硅基衬底的第二侧；在硅基衬底的第二侧形成第二金属层；其中，在硅基衬底的第一侧形成第一金属层，包括：对硅基衬底的第一侧进行刻蚀，形成多个盲孔；在盲孔的一侧形成第一金属材料层；对第一金属材料层进行刻蚀，形成第一金属层。本申请通过在硅基衬底一侧直接制备盲孔，避免形成外延层，提升了硅通孔制备工艺的工艺兼容性，降低了硅通孔制备工艺的制作难度以及制作成本。
一种微米尺寸硅通孔结构及其制备方法电子设备

[发明专利]一种集成锗电阻温度传感器的硅基光子芯片-CN201611219563.5有效
发明人：王磊;肖希;陈代高;李淼峰;杨奇;余少华 -专利权人：武汉邮电科学研究院
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成锗电阻温度传感器的硅基光子芯片，所述硅基光子芯片集成的锗电阻温度传感器制作在SOI晶圆上，所述硅基光子芯片上的锗电阻温度传感器设置在靠近待测硅基光波导的一侧，所述锗电阻温度传感器的电阻随着所述待测硅基光波导的温度变化而变化本发明利用锗材料，在硅基光子芯片中集成锗电阻温度传感器，该锗电阻温度传感器能够通过硅基光子芯片常规工艺实现，与硅基光子芯片的制作工艺兼容，能够大规模生产，大大降低了成本。
一种集成电阻温度传感器光子芯片

[发明专利]太阳电池单晶硅基绒面生成工艺-CN202010997821.2在审
发明人：韩超 -专利权人：江苏润阳新能源科技有限公司
申请日： 2018-09-16 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池制造工艺，公开一种太阳电池单晶硅基绒面生成工艺，该工艺采用以下步骤：首先，单晶硅太阳电池片在生成绒面之前，使用氢氧化钾溶液，去除硅基表面切割损伤层，使硅基表面平整；其次，使用氢氧化钾与双氧水混合溶液，在光滑平整的该硅基上形成二氧化硅氧化层；最后，使用氢氧化钾、山梨酸钾、乙酸钠、消泡剂、表面活性剂混合溶液，在形成氧化层的该硅基上生成致密、均匀的绒面结构。
太阳电池单晶硅基绒面生成工艺

[发明专利]太阳电池单晶硅基绒面生成工艺-CN201811077767.9有效
发明人：韩超 -专利权人：苏州润阳光伏科技有限公司
申请日： 2018-09-16 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池制造工艺，公开一种太阳电池单晶硅基绒面生成工艺，该工艺采用以下步骤：首先，单晶硅太阳电池片在生成绒面之前，使用氢氧化钾溶液，去除硅基表面切割损伤层，使硅基表面平整；其次，使用氢氧化钾与双氧水混合溶液，在光滑平整的该硅基上形成二氧化硅氧化层；最后，使用氢氧化钾、山梨酸钾、乙酸钠、消泡剂、表面活性剂混合溶液，在形成氧化层的该硅基上生成致密、均匀的绒面结构。
太阳电池单晶硅基绒面生成工艺

[发明专利]抗电磁干扰的微波功率分配器及其制作方法-CN201710399395.0在审
发明人：刘秀博;王绍东;王志强 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗电磁干扰的微波功率分配器及其制作方法，涉及半导体和微电子封装技术领域，包括顶层硅基基板、底层硅基基板、电阻薄膜、顶金属层、中间金属层和底金属层；应用硅基MEMS加工工艺加工了一款抗电磁辐射的功率分配器此功率分配器应用带状结构的微波传输线金属层，由顶层硅基基板和底层硅基基板组成，应用硅基MEMS表面硅加工工艺制作金属层和电阻层。硅基MEMS体硅加工工艺制作硅通孔，实现顶层金属和底层金属的互联。
电磁干扰微波功率分配器及其制作方法

[发明专利]一种降低静态随机存储器制备工艺中阴影效应的方法-CN201310491996.6无效
发明人：俞柳江 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/8244 文献下载
摘要：一种降低静态随机存储器制备工艺中阴影效应的方法，包括：步骤S1：提供硅基衬底，并形成浅沟槽隔离；步骤S2：在硅基衬底上设置栅氧化层和多晶硅栅，并在栅氧化层两侧设置源极区和漏极区；步骤S3：在硅基衬底表面设置光阻层，且光阻层之侧壁与硅基衬底之上表面具有倾角α，0＜α＜90°；步骤S4：通过环状注入工艺，对目标区域进行离子注入。本发明通过在所述硅基衬底之异于所述栅氧化层的表面设置光阻层，且光阻层之侧壁与硅基衬底之上表面具有倾角α，0＜α＜90°，使得所述环状注入之注入方向在所述硅基衬底上的投影面积减小，故在进行所述环状注入工艺时，所述环状注入离子便可注入到目标区域，以降低静态随机存储器制备工艺中的阴影效应。
一种降低静态随机存储器制备工艺阴影效应方法

[发明专利]一种硅基陶瓷型芯成型方法-CN201810009989.0有效
发明人：乔经纬;徐泽跃;陆丽芳;伦文山;武振飞;庞佳敏 -专利权人：江苏省陶瓷研究所有限公司
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C04B35/82 文献下载
摘要：一种硅基陶瓷型芯成型方法，一种两步法制备硅基陶瓷型芯：第一步,以注射成型工艺制备氧化硅型芯粗坯；第二步：用溶胶凝胶结合超临界干燥工艺在粗坯中引入纳米及亚微米级颗粒，增强硅基陶瓷型芯的综合性能。与单独用注射成型方式制备硅基陶瓷型芯的工艺相比，本发明过程可控度更高，制备的产品收缩率更小，产品的组织结构更均匀，强度更高，能极大提高硅基陶瓷型芯的良率。
一种陶瓷成型方法

[发明专利]一种提高单室沉积硅基太阳电池用窗口层材料性能的方法-CN200910071050.8有效
发明人：张晓丹;赵颖;王光红;许盛之;郑新霞;魏长春;孙建;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2010-04-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种提高单室沉积硅基太阳电池用窗口层材料性能的方法，制备单室沉积硅基薄膜太阳电池的窗口层材料采用高频率、高气压、高功率密度和小电极间距相结合的工艺，该方法既适用于单结、双结或三结叠层微晶硅基或纳米硅基薄膜太阳电池，也适用于分室微晶硅基薄膜太阳电池的沉积。本发明的有益效果是：该方法工艺简单、成本低、交叉污染低、实用性强，利用快速成核工艺制备的窗口层材料同时具有高电导率和高透过率，明显提高了硅基薄膜太阳电池的开路电压和短路电流密度，进而提高硅基薄膜太阳电池的光电转换效率，特别是对单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的产业化具有非常重要的意义。
一种提高沉积太阳电池窗口材料性能方法

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