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[发明专利]一种增强型异质金属栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件及其制备方法-CN201911032794.9有效
发明人：李迈克 -专利权人： 中证博芯（重庆）半导体有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型异质金属栅AlGaN/GaN MOS‑HEMT器件及其制备方法，包括：位于Al2O3衬底之上的AlN过渡层；位于所述AlN过渡层之上的多层缓冲结构；位于多层缓冲结构之上的AlGaN阻挡层；位于所述AlGaN阻挡层之上的GaN帽层；位于所述第一GaN层之上且向上穿过所述AlGaN阻挡层以及GaN帽层的源极和漏极；位于所述GaN帽层、源极和漏极之上的栅极氧化层；位于所述栅极氧化层之上的异质栅极结构。本发明能够提高沟道驱动电流，可对阈值电压进行灵活调整、能防止沟道载流子迁移率的恶化。
一种增强型异质金属 algan gan mos hemt 器件及其制备方法

[实用新型]一种新型DBR结构的VCSEL-CN201821740060.7有效
发明人：周广正;黄瑞;代京京 -专利权人： 中证博芯（重庆）半导体有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型提供一种新型DBR结构的VCSEL，包括背面设有N面电极的导电衬底，导电衬底的表面自下而上依次生长有N型GaAs缓冲层、N型DBR和量子阱有源区，量子阱有源区表面一区域生长有氧化限制层，氧化限制层的外周同层设有铝氧化产物AlxOy圆环，氧化限制层和铝氧化产物AlxOy的表面设有平面圆形的P型DBR，在铝氧化产物AlxOy和P型DBR同层外周的量子阱有源区表面设有SiO2填充层，P型DBR的表面设有空气隙DBR，SiO2填充层的表面设有P面电极。本申请通过采用空气隙结构DBR，增大了DBR材料的折射率差，减少了DBR对数，进而减小了串联电阻和对光的吸收。
一种新型 dbr 结构 vcsel

[发明专利]NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件及其制备方法-CN201911303100.0在审
发明人：李迈克 -专利权人： 中证博芯（重庆）半导体有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件及制备方法，从下往上依次包括：衬底、埋氧层、集电区、基区以及发射区，所述集电区包括下层的N型单晶硅层以及上层的TiSi2层，所述基区包括P型GaN层，所述发射区包括N型AlGaN层以及位于其上的N型GaN帽层；所述N型单晶硅层上设有集电极，所述基区设有基极，所述GaN帽层上设有发射极。本发明接触界面特性好，可提高器件开关速度和截止频率，工艺简单且兼容现有硅基工艺。
npn 型肖特基集电区 algan gan hbt 器件及其制备方法

[实用新型]NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件-CN201922274451.5有效
发明人：李迈克 -专利权人： 中证博芯（重庆）半导体有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本实用新型公开了NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件及制备方法，从下往上依次包括：衬底、埋氧层、集电区、基区以及发射区，所述集电区包括下层的N型单晶硅层以及上层的TiSi2层，所述基区包括P型GaN层，所述发射区包括N型AlGaN层以及位于其上的N型GaN帽层；所述N型单晶硅层上设有集电极，所述基区设有基极，所述GaN帽层上设有发射极。本实用新型接触界面特性好，可提高器件开关速度和截止频率。
npn 型肖特基集电区 algan gan hbt 器件

[实用新型]PNP型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件-CN201922274452.X有效
发明人：李迈克 -专利权人： 中证博芯（重庆）半导体有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本实用新型公开了PNP型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件，从下往上依次包括：衬底、埋氧层、集电区、基区以及发射区，所述集电区包括下层的P型单晶硅层以及上层的金属硅化物层，所述基区包括N型AlGaN层，所述发射区包括P型GaN层；所述P型单晶硅层上设有集电极，所述N型AlGaN层上设有基极，所述P型GaN层上设有发射极。本实用新型接触界面特性好，可提高器件开关速度和截止频率。
pnp 型肖特基集电区 algan gan hbt 器件

[实用新型]一种抑制浮体效应的新型SOI器件-CN201821728293.5有效
发明人：黄瑞;周广正;代京京 -专利权人： 中证博芯（重庆）半导体有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种抑制浮体效应的新型SOI器件，包括从下往上依次层叠由底部硅层、中间BOX埋层和顶层硅膜组成的SOI衬底，顶层硅膜两侧形成有浅槽隔离层，顶层硅膜中注入有P离子形成P型硅，顶层硅膜上表面依次设有栅极氧化物和栅电极并以此组成Y型分布栅极，栅极正下方顶层硅膜中注入金属离子形成金属层，栅极两侧源漏区掺杂形成有源漏区超浅结，栅极周围形成有栅极侧墙，源漏区超浅结下方离子注入形成有源漏区晕环区，源栅漏区表面形成有硅化物，源漏极硅化物表面形成有源漏电极。本申请通过向顶层硅膜中注入金属离子形成金属层，有效减轻PD SOI器件中浮体效应，且Y型栅可以减少占用芯片面积，增加栅极接触面积。
顶层硅膜源漏区浮体效应金属离子金属层本实用新型硅化物表面浅槽隔离层栅极氧化物表面形成底部硅层离子形成依次层叠源漏电极栅极侧墙栅极接触超浅结硅化物上表面源漏极栅电极衬底环区漏区埋层源栅离子掺杂芯片占用申请

[发明专利]低暗电流PIN探测器及其加工方法-CN201610562077.7有效
发明人：李冲;丰亚洁;刘巧莉;吕本顺;郭霞;王华强;黎奔 -专利权人： 中证博芯（重庆）半导体有限公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明揭示了一种低暗电流PIN探测器，包括衬底，所述衬底的上端面生长有P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层上设置有至少一个与之触接的P型欧姆接触电极，所述衬底上端面生长有针对不同波长的特定厚度的增透膜，所述衬底的上端面开设有两个用于实现器件内部电场与器件边缘阻断的隔离沟槽，所述隔离沟槽位于所述P型欧姆接触层的两侧，所述隔离沟槽内填充有阻隔材料，所述衬底的上端面除所述形槽外的区域均覆盖有阻隔层，所述衬底的下端面由上至下依次覆盖生长有N型欧姆接触层及N型欧姆接触电极。本发明能够有效减少器件内部的暗电流，使用效果优异，具有很高的使用及推广价值。
电流 pin 探测器及其加工方法