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[实用新型]一种具有双门极的双波状基区GCT器件-CN201620749835.1有效
发明人： -专利权人：
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有双门极的双波状基区GCT器件，包括N‑基区、N基区、P基区、N+阴极发射区、P+阳极发射区，N‑基区位于P基区与N基区之间，N‑基区与P基区的交界处为JB结，N‑基区与N基区的交界处为JA结，JB结、JA结都呈波状，P+阳极发射区与N基区相连，N+阴极发射区与P基区相连，N+阴极发射区与P基区的交界处为JC结，N+阴极发射区引出K极，P基区的两侧都引出G1极，N基区两侧都引出G2极，
一种具有双门极波状 gct 器件

[发明专利]门极换流晶闸管及其制备方法-CN202310645829.6有效
发明人：刘佳鹏;吴锦鹏;曾嵘;张君明;余占清;屈鲁;陈政宇 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：该门极换流晶闸管包括：第一导电类型基区；设置在第一导电类型基区上的第二导电类型基区；第二导电类型基区包括设置在第一导电类型基区上的第二导电类型第三基区、设置在第二导电类型第三基区上的第二导电类型第二基区和设置在第二导电类型第二基区上的第二导电类型第一基区；覆盖第二导电类型第一基区部分上表面的具有凸台结构的第一导电类型发射极；以及位于第二导电类型第一基区和第二导电类型第二基区两侧的第二导电类型掺杂区域。
换流晶闸管及其制备方法

[发明专利]一种小功率抗辐射晶体管芯片及制备方法-CN201811383553.4在审
发明人：赵志桓;张礼;安兆嵬;王传超;韩镒戎;田鑫浩;路凯歌;郭英华 -专利权人：山东农业工程学院
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明公开了一种小功率抗辐射晶体管芯片及制备方法，由基区、发射区、发射区键合点和基区键合点组成，基区的轮廓为葫芦形，基区一端的轮廓为大圆弧，基区另一端的轮廓为小圆弧，大圆弧的半径大于小圆弧的半径，基区位于大圆弧区域的表面由下向上依次设有发射区、发射区键合点，基区位于小圆弧区域的表面设有基区键合点，发射区、发射区键合点和基区键合点均位于基区的同一侧表面，基区的另一侧表面与基底接触，发射区、发射区键合点和基区键合点的轮廓均为圆形，基区的大圆弧半径、发射区的半径、发射区键合点的半径依次减小，基区的小圆弧半径、基区键合点的半径依次减小，发射区、基区和基底均为半导体层。
基区发射区键合点大圆弧小圆弧抗辐射晶体管芯片依次减小小功率制备半导体层基底接触葫芦形基底芯片

[发明专利]嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法-CN201210153063.1有效
发明人：王玉东;付军;崔杰;赵悦;刘志弘;张伟;李高庆;吴正立;许平 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区，在集电区上的基区和外基区、在基区上的发射极、以及在发射极两侧的侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成且嵌入在集电区内。外基区的一部分位于侧墙的下方。外基区在基区上产生应力。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。
嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法

[发明专利]嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法-CN201210153410.0有效
发明人：王玉东;付军;崔杰;赵悦;刘志弘;张伟;李高庆;吴正立;许平 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区、集电区上的基区和外基区、基区上的发射极、以及发射极两侧的侧墙，所述外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在集电区内。外基区的一部分位于侧墙的下方。外基区在基区上产生应力。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。
嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法

[发明专利]锗硅异质结双极型晶体管的基区结构-CN201110006712.0有效
发明人：陈帆;陈雄斌 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-01-13 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅异质结双极型晶体管的基区结构，包括发射区、基区和集电区；基区由一锗硅外延层组成，基区的第一侧和发射区接触、基区的第二侧和集电区接触。基区的锗分布结构为：在基区的第一侧和第二侧间包括一锗浓度峰值；从基区的第一侧到锗浓度峰值位置处之间，锗浓度逐渐增加，锗浓度的增加曲线包括多个逐渐减少的梯度。从基区的锗浓度峰值位置处到第二侧之间，锗浓度线性减少。本发明能在基区内形成持续的内建电场、并能提高基区的锗总体组分，从而能在增加器件电流增益的同时、提高基区的截止频率，改善器件的高频特性。
锗硅异质结双极型晶体管结构

[发明专利]一种优化的TVS结构器件-CN202111478416.0在审
发明人：倪侠;邹有彪;张荣;王全;霍传猛;肖海林 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种优化的TVS结构器件，N型半导体衬底的P基区形成三次叠加扩散的基区，P基区的P1基区与N型半导体衬底形成目标电压，P基区的P2基区和P3基区在P1基区上两层扩散形成电压调制区，通过在N型半导体衬底上设置三次叠加扩散的P基区，使P1基区与N型半导体衬底形成目标电压后，通过两次高浓度的杂质掺杂，即P2基区和P3基区两层扩散，使P基区总体具有更高的杂质浓度梯度，当PN结发生雪崩击穿时，P2基区和P3基区的区域内高浓度载流子会快速漂移至PN结的空间电荷区，并参与雪崩效应，提高PN
一种优化 tvs 结构器件

[实用新型]一种集成异质结二极管的平面栅碳化硅MOSFET-CN202222053224.1有效
发明人：张瑜洁;李昀佶;单体玮 -专利权人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种集成异质结二极管的平面栅碳化硅MOSFET，包括：漂移层设于碳化硅衬底的上侧面，漂移层内设有第一基区、第二基区、第三基区及第四基区，第一基区、第二基区、第三基区以及第四基区内均设有源区；第一源极金属层连接至第一基区及第二基区的源区；第二源极金属层连接至第三基区及第四基区的源区；源极异质结连接至漂移层、第二基区及第三基区；第一栅介质隔离层连接至所述漂移层；第二栅介质隔离层连接至所述漂移层
一种集成异质结二极管平面碳化硅 mosfet

[发明专利]嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法-CN201210153147.5有效
发明人：王玉东;付军;崔杰;赵悦;刘志弘;张伟;李高庆;吴正立;许平 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括重掺杂的埋层集电区、集电区、选择性注入集电区、基区、外基区、发射极以及侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在集电区内。外基区的一部分位于侧墙的下方。外基区在基区上产生应力。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。
嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法

[发明专利]嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法-CN201210153269.4有效
发明人：王玉东;付军;崔杰;赵悦;刘志弘;张伟;李高庆;吴正立;许平 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括重掺杂的埋层集电区、集电区、基区、外基区、发射极以及侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在集电区内。外基区的一部分位于侧墙的下方。外基区在基区上产生应力。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。
嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法

[发明专利]外基区与集电区隔离的双极晶体管及其制备方法-CN201210536372.7有效
发明人：王玉东;付军;崔杰;赵悦;刘志弘;张伟;吴正立;李高庆 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开一种外基区与集电区隔离的双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品基区-集电区结寄生电容过大的缺陷而设计。本发明外基区与集电区隔离的双极晶体管包括集电区、本征基区、隔离氧化层、外基区、发射区、以及侧墙。本征基区的边缘位于隔离氧化层的上方，外基区全部位于隔离氧化层的上方。外基区上表面与发射区上表面形成平整表面，外基区与发射区由侧墙隔离。本发明外基区与集电区隔离的双极晶体管有效地减小了基区-集电区结寄生电容，改善了器件的性能。本发明外基区与集电区隔离的双极晶体管制备方法工艺步骤简明，对设备等技术条件要求低，适于大规模生产加工。
外基区集电区隔离双极晶体管及其制备方法

[发明专利]一种沟槽隔离IGBT器件-CN201410271677.9有效
发明人：胡爱斌;张杰;赵佳;王海军;吴凯 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件技术领域，公开了一种沟槽隔离IGBT器件，包括P型有源基区、沟槽栅电极、P型冗余基区、隔离沟槽以及P型主结；所述P型有源基区包括N+源区和P型基区；所述P型冗余基区包括第二P型基区；所述P型主结包括P+基板；所述P型冗余基区设置在两个所述P型有源基区之间；两个相邻的所述P型有源基区和所述P型冗余基区之间设置所述沟槽栅电极；所述P型冗余基区与所述P型主结之间设置隔离沟槽。本发明提供的沟槽隔离IGBT器件通过设置P型冗余基区能够增强对空穴的阻挡作用，维持等离子体浓度，降低导通压降，从而优化导通电压和关断损耗的折衷特性。
一种沟槽隔离 igbt 器件

[发明专利]功率半导体器件-CN202211600204.X在审
发明人：陈勇民;陈芳林;曹强;操国宏;徐焕新;蒋谊;潘学军;曾宏 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本公开提供一种功率半导体器件，包括：从下至上依次设置的第一P型区、第一N型区、第二P型区和第二N型区，第二N型区嵌入第二P型区，第二N型区与第二P型区的顶表面共面，第二P型区包括：P基区以及位于P基区上方的第一子基区、第二子基区和第三子基区，第二子基区位于第二N型区下方且沿水平方向不超出第二N型区，第三子基区环绕第二子基区，第一子基区环绕第三子基区，第三子基区至少与第二N型区的侧部接触，P基区的掺杂浓度记为n0，第一子基区的掺杂浓度记为n1，第二子基区的掺杂浓度记为n2，第三子基区的掺杂浓度记为n3，满足：n2＞n1＞n3＞n0。
功率半导体器件

[发明专利]锗硅HBT选择性外基区的注入方法-CN201910034192.0在审
发明人：陈曦;黄景丰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅HBT选择性外基区的注入方法，在外基区注入之前，先淀积一层氧化膜，然后进行回刻，在外基区与外侧墙之间再形成侧墙，填充外基区与外侧墙之间的不规则间隙，然后进行外基区注入。在外基区注入时，保护住外基区与外侧墙之间区域的下层不被注入，降低基极‑集电极电容。
外基区外侧墙锗硅不规则间隙集电极电容氧化膜侧墙淀积回刻填充下层

[发明专利]自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法-CN201210160790.0有效
发明人：付军;王玉东;张伟;李高庆;吴正立;崔杰;赵悦;刘志弘 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、单晶锗硅外延基区、多晶锗硅基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅抬升外基区、外基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅发射区、发射区低电阻金属硅化物层、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区。基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法降低了基极电阻RB，工艺简单，成本低。
对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法

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