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[发明专利]集成肖特基二极管的氮化镓晶体管的制造方法-CN201610099350.7在审
发明人：刘美华;孙辉;林信南;陈建国 -专利权人：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成肖特基二极管的氮化镓晶体管的制造方法，该方法包括在硅衬底上表面依次生长氮化镓缓冲层和铝镓氮势垒层；在铝镓氮势垒层上淀积氧化层；对左侧部分区域的氧化层进行刻蚀，形成源极接触孔；对右侧部分区域的氧化层进行刻蚀，形成氧化层开孔，在氧化层开孔内刻蚀铝镓氮势垒层、氮化镓缓冲层及部分硅衬底，形成漏极接触孔；制造集成肖特基二极管的氮化镓晶体管的源极及漏极；制造集成肖特基二极管的氮化镓晶体管的栅极；在硅衬底下表面形成肖特基电极，以使在漏极中的源漏极金属层、硅衬底及肖特基电极形成肖特基二极管。
集成肖特基二极管氮化晶体管制造方法

[实用新型]一种p型增强型氮化镓芯片封装器件及装置-CN202320215882.8有效
发明人：窦娟娟;李成 -专利权人：青岛聚能创芯微电子有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种p型增强型氮化镓芯片封装器件及装置，应用于氮化镓芯片封装领域，该器件中绝缘基板一侧与p型增强型氮化镓芯片的基底连接，对侧与TO引线框架中的基岛连接；p型增强型氮化镓芯片中的栅极焊盘与TO引线框架中的栅极引脚相连，p型增强型氮化镓芯片中的漏极焊盘与TO引线框架中的基岛相连，p型增强型氮化镓芯片中的源极焊盘与TO引线框架中的源极引脚相连；绝缘基板与p型增强型氮化镓芯片的基底相连的一侧与TO引线框架中的源极引脚相连，TO引线框架中的基岛与漏极引脚为一体，实现了与硅基器件相同的引脚定义，使得该p型增强型氮化镓芯片封装器件能够直接替换硅基器件使用，无需重新排布电路板。
一种增强氮化芯片封装器件装置

[发明专利]发光二极管外延片的生长方法-CN201910069091.7在审
发明人：从颖;姚振;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：所述生长方法包括：提供一衬底；在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；P型半导体层包括依次层叠的多个子层，第一个层叠的子层采用如下方式生长：打开镁源和氮源，在有源层的表面形成镓空位；打开铟源和镓源，对镁进行活化；关闭铟源，在有源层的表面形成子层；其它子层采用如下方式生长：关闭镓源，在已形成的子层的表面形成镓空位；打开镓源，在已形成的子层的表面形成子层；多个子层的厚度沿多个子层的层叠方向逐渐增大
子层生长表面形成源层镓源发光二极管外延层叠方向镓空位衬底铟源半导体技术领域空穴依次层叠逐渐增大缓冲层氮源活化镁源掺杂升高

[发明专利]一种基于镍-63源和砷化镓p-n结器件的微型核电池-CN202210266537.7在审
发明人：张光辉;刘玉敏;李嘉芯;林坤宇 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于镍‑63源和砷化镓p‑n结器件的微型核电池，其基本结构包括：镍‑63源，砷化镓p‑n结器件，电池防护外壳和电池正、负极引线。这种核电池中砷化镓p‑n结器件内部结构依次为：正面铟锡金属氧化物(ITO)薄膜电极层，p型高掺杂砷化镓帽子层，p型砷化镓发射层，n型砷化镓基区层，n型铝砷化镓(Al0.7Ga0.3As)背散层，n型砷化镓缓冲层，n型砷化镓衬底层和背面金属电极层。接着，将薄片状镍‑63源耦合加载到正面铟锡金属氧化物(ITO)薄膜电极层的上表面。最后，将这个装置封装后制备成一种微型核电池，它是各种以微机电系统为基础的电子设备理想的微电源。
一种基于 63 砷化镓器件微型核电

[发明专利]一种氮化镓基HEMT器件的制备方法及氮化镓基HEMT器件-CN201810694477.2在审
发明人：李亦衡;张葶葶;朱廷刚;朱友华 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L21/8232 文献下载
摘要：本申请提供一种氮化镓基HEMT器件的制备方法及氮化镓基HEMT器件。所述方法包括：在预选定的衬底上依次外延生长缓冲层、沟道层、势垒层；在所述势垒层上沉积形成钝化层；对所述钝化层和所述势垒层的一部分进行刻蚀，形成凹槽；在所述凹槽中再生长p型氮化镓，使p型氮化镓填满所述凹槽；在所述p型氮化镓两侧分别形成第一源极和第一漏极，均插接至所述沟道层；在所述第一漏极的一侧形成第二源极和第二漏极；在所述p型氮化镓上形成第一栅极；在所述第二源极和所述第二漏极形成第二栅极。利用本申请中各个实施例，可以得到在同一片晶片上实现常开和常闭两种特性的氮化镓基HEMT器件。
氮化镓基HEMT 漏极势垒层源极钝化层沟道层制备外延生长缓冲层再生长插接常闭沉积衬底晶片刻蚀填满申请

[发明专利]一种具有石墨烯和极性J-TMD插入层的氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法-CN202210843942.0在审
发明人：苏杰;常晶晶;陈子龙;林珍华;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有石墨烯和极性J‑TMD插入层的氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法，主要解决现有技术光吸收率低、表面接触电阻过大的问题。方案为：自下而上依次包括衬底、第一氧化镓沟道层、石墨烯层、金属纳米结构层和第二氧化镓沟道层、二维层状材料界面修饰层和源电极、漏电极；其中源电极位于第二氧化镓沟道层上的一端，漏电极位于二维层状材料界面修饰层上与源电极相对的一端以J‑TMD层材料作为金属‑氧化镓界面修饰层修饰氧化镓沟道层表面，并在氧化镓层中插入金属纳米颗粒修饰的高迁移率石墨烯材料。
一种具有石墨极性 tmd 插入氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种低阻抗高过流的氮化镓器件、驱动装置和电子设备-CN202310500129.8在审
发明人：杨超;高吴昊;吴毅锋 -专利权人：珠海镓未来科技有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种低阻抗高过流的氮化镓器件、驱动装置和电子设备，该氮化镓器件包括衬底、形成在衬底之上的外延层、设置在外延层上的漏极、源极和栅极以及设置在漏极、源极和栅极上方的第一金属层；栅极还与栅极屏蔽场板连接，栅极屏蔽场板设置在第一金属层与栅极之间，栅极屏蔽场板与栅极形成共栅结构；源极和漏极与第一金属层的金属线之间采用平行布局并通过通孔连接。该氮化镓器件通过栅极屏蔽场板与栅极形成共栅结构提高了该氮化镓器件的响应速度；采用金属线平行布局连接方式的该氮化镓器件的金属连接结构，降低了该氮化镓器件的电阻；共栅结构和金属线平行布局连接方式使得该氮化镓器件能够满足高功率密度电源产品的需求
一种阻抗高过氮化器件驱动装置电子设备

[发明专利]半导体照明外延结构形成方法-CN202010154491.0有效
发明人：孙蕾蕾 -专利权人：孙蕾蕾
申请日： 2020-03-07 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体照明外延结构形成方法，包括提供一基板，依次在所述基板上形成半结晶性层、3D未掺杂层，形成3D未掺杂层后排出腔体内氮源，接着通入镓源且不通入氮源，通入镓源后通入氮源，通入氮源后形成N本发明在形成3D未掺杂层后将腔体内氮源排出，此时岛状结构表面没有气体保护，腔体内的高温对岛状结构顶部氮化镓进行烘烤并产生一相对粗糙表面，通入镓源后分解产生液态金属镓覆盖在粗糙表面上对缺陷位错进行填充并得到一相对平整表面，再通入氮源，氮源与液态金属镓表面接触形成氮化镓，晶格重新排序并阻断前面形成的位错缺陷，提高了晶体质量。
半导体照明外延结构形成方法

[发明专利]发光二极管的外延片及其制造方法-CN202011186919.6有效
发明人：丁涛;龚程成;尹涌;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：该制造方法包括：提供一衬底；在衬底上依次生长缓冲层、n型AlGaN层、有源层、p型阻挡层；交替采用三甲基镓和三乙基镓作为镓源，在p型阻挡层上生长p型GaN层。三甲基镓作为镓源进行生长时，生长出来的表面平整度较低，有利于表面的粗化，可以减少光的全反射，提高光的散射，三乙基镓作为镓源进行生长时，生长形成的薄膜具有较高的晶体质量，有利于Mg的掺杂，能够提高空穴的浓度
发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法-CN202010013525.4有效
发明人：吕元杰;王元刚;周幸叶;刘宏宇;宋旭波;梁士雄;马春雷;付兴昌;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法。其中，所述氧化镓场效应晶体管包括衬底，设于所述衬底上的氧化镓沟道层，设于所述氧化镓沟道层上的源电极和漏电极，设于所述源电极和所述漏电极之间的栅介质层，设于所述栅介质层上的栅电极，以及，覆盖所述源电极和所述漏电极之间表面区域的钝化介质层本发明提供的氧化镓场效应晶体管可以有效抑制栅电极偏漏电极一侧区域内可能出现的尖峰电场，使电场的分布更加均匀，氧化镓场效应晶体管的击穿电压大幅提升，有利于扩展氧化镓场效应晶体管器件在高压场景中的应用。
一种氧化场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种斜栅型氧化镓场效应晶体管及制备方法-CN202110125791.0有效
发明人：吕元杰;刘宏宇;徐森峰;王元刚;付兴昌;梁士雄;郭红雨;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明适用于半导体制造技术领域，提供了一种斜栅型氧化镓场效应晶体管及制备方法。所述斜栅型氧化镓场效应晶体管，包括衬底、形成在所述衬底上的n型氧化镓沟道层、分别形成在所述n型氧化镓沟道层两端的源电极和漏电极、以及设置在所述源电极和漏电极之间的栅电极；还包括：p型介质层，形成在所述n型氧化镓沟道层与所述栅电极之间，所述p型介质层的厚度由靠近所述源电极一侧向靠近所述漏电极一侧逐渐变薄。本发明提供的斜栅型氧化镓场效应晶体管不仅可以有效平滑沟道电场分布，有效抑制沟道尖峰电场强度，进而大幅改善器件击穿电压，而且可以保持低的沟道电阻，从而有效降低氧化镓MOSFET的导通电阻。
一种斜栅型氧化场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种氧化镓场效应晶体管及制备方法-CN202110125788.9有效
发明人：吕元杰;王元刚;马春雷;刘宏宇;付兴昌;宋旭波;郭红雨;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明适用于半导体制造技术领域，提供了一种氧化镓场效应晶体管及制备方法。所述氧化镓场效应晶体管，包括衬底、形成在所述衬底上的n型氧化镓沟道层、分别形成在所述n型氧化镓沟道层两端的源电极和漏电极、以及设置在所述源电极和漏电极之间的栅介质层和栅电极；在所述n型氧化镓沟道层中、栅电极的下方设有p型离子注入区，所述p型离子注入区的深度由靠近所述源电极的一端向靠近所述漏电极的一端逐渐变浅。本发明提供的氧化镓场效应晶体管，不仅可以有效平滑沟道电场分布，有效抑制沟道尖峰电场强度，进而大幅改善器件击穿电压，而且可以保持低的沟道电阻，从而有效降低氧化镓MOSFET的导通电阻。
一种氧化场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种集成自反馈栅控制结构的氮化镓功率半导体器件-CN202210643562.2在审
发明人：李胜;刘梦丽;张弛;马岩锋;刘斯扬;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种集成自反馈栅控制结构的氮化镓功率半导体器件，包括：衬底，缓冲层，沟道层，势垒层，由第一金属源电极、第一P型氮化镓帽层、第一金属栅电极、第一金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属栅电极构成的栅控制区，由第一金属源电极、第三P型氮化镓帽层、第三金属栅电极、第二金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属源电极构成的有源工作区；本发明通过栅控制区调节器件整体栅漏电大小，集成度高，寄生少，同时可以有效缓解电荷存储效应
一种集成反馈控制结构氮化功率半导体器件

[实用新型]GaN器件封装结构与电子装置-CN202122284511.9有效
发明人：谢文华;任炜强 -专利权人：深圳真茂佳半导体有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本申请涉及一种GaN器件封装结构与电子装置，GaN器件封装结构包括导线框架、氮化镓HEMT芯片、MOSFET芯片和塑封体；导线框架包括散热载片、第一栅极引脚、第二栅极引脚和漏极引脚；氮化镓HEMT芯片和MOSFET芯片设置在散热载片上并分别通过第一栅极引脚和第二栅极引脚进行控制；MOSFET芯片的漏极和氮化镓HEMT芯片的源极内部相连，MOSFET芯片的源极作为GaN器件的源极输入，氮化镓HEMT芯片的漏极作为本申请具有外部电路能单独对氮化镓HEMT芯片的栅极进行控制，摆脱了MOSFET芯片的最高工作频率对GaN器件的限制的效果。
gan 器件封装结构电子装置

[发明专利]一种增强型氮化物场效应晶体管及其制备方法-CN201710091485.3在审
发明人：马平;姬小利;李喜林;刘波亭;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型氮化物场效应晶体管及其制备方法，该方法在衬底上依次生长成核层、铟镓氮高阻缓冲层、铝铟镓氮势垒层；在铝铟镓氮势垒层上制备源极和漏极；源漏之间刻蚀有单条或多条沟槽，沟槽的深度大于铝铟镓氮势垒层的厚度，沟槽内填充有高介电常数、宽带隙的电解质材料，在沟槽上方制备栅极；源极、漏极和栅极之间为钝化层，完成晶体管的制作。
一种增强氮化物场效应晶体管及其制备方法