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[发明专利]一种新型氮化镓基功率器件及其制备方法-CN202210972629.7在审
发明人：黄汇钦;吴龙江;曾健忠 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种新型氮化镓基功率器件及其制备方法，新型氮化镓基功率器件包括：衬底层、缓冲层、氮化镓层、势垒层、源极层、栅极层、漏极层、源极电极、栅极电极以及漏极电极，通过由设有肖特基接触的第一栅极区和设有欧姆接触的第二栅极区形成栅极层，从而使得新型氮化镓基功率器件具有两种栅极，当器件的漏极与源极之间的电压升高至栅极触发电压时，由于第二栅极区具有电导调变效应，使得大量的空穴从栅极流入二维电子气构成的通道内，降低了漏极与源极之间的内阻，此时源漏极电压形成一个负反馈机制，可以达到抑制器件的源漏极电压的效果，提升了开关器件应用于高负载电感场景时的可靠性。
一种新型氮化功率器件及其制备方法

[发明专利]一种多级沟槽增强型功率器件及其制备方法-CN202310037626.9在审
发明人：袁俊;徐东;郭飞;王宽;魏强明;黄俊;杨冰;吴畅 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多级沟槽增强型功率器件，包括：氧化镓衬底，位于所述氧化镓衬底上的氧化镓外延层，位于所述氧化镓外延层上方的源极；所述氧化镓外延层上部设有多级沟槽，所述多级沟槽开口附近的外延层表面与第一级沟槽的侧壁和部分底面覆盖有栅介质层，所述多级沟槽除第一级沟槽外的沟槽的侧壁和底部覆盖有绝缘介质层，所述栅介质层和所述绝缘介质层表面沉积有栅电极，所述栅电极与所述源极之间覆盖有层间介质层。本发明采用多级沟槽，能够进一步降低氧化镓表面的电场强度，提高器件可靠性。
一种多级沟槽增强功率器件及其制备方法

[发明专利]一种氧化镓增强型器件及其制作方法-CN202310692146.6在审
发明人：袁俊;徐少东;彭若诗;郭飞;王宽;魏强民;黄俊;杨冰;吴畅 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-06-11 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓增强型器件及其制作方法，首先通过外延生长的方式，在氧化镓衬底上依次生长N型氧化镓外延层和P型氧化镓外延层；然后通过光刻的方式，定义电流导通层的长度，接着通过自对准的方式形成源极和沟道长度，随后通过离子注入的方式形成偏置区，最后在器件上表面和下表面分别沉积金属并回火形成欧姆接触，再源极、漏极金属加厚分别形成接触电极，最终构成平面氧化镓增强型器件。本发明解决了氧化镓半导体中无法通过离子注入形成有效P型掺杂而形成P‑well制作MOSFET的技术难题。
一种氧化增强器件及其制作方法

[发明专利]一种用于功率氮化镓HEMT器件的4引脚TO-247封装结构-CN202210649449.5在审
发明人：张文理;吴毅锋;张大江 -专利权人：珠海镓未来科技有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于功率氮化镓HEMT器件的4引脚TO‑247封装结构。该封装结构将平面型氮化镓HEMT芯片，其正面包括栅极、源极和漏极；与导电载片台以及与之位于同侧的可插接引脚通过金属连接部件互连，其中平面型氮化镓HEMT芯片的源极与导电载片台通过金属部件连接。本发明实施例的技术方案相较于传统3引脚TO‑247封装，增加设置开尔文源极引脚，可有效解耦功率回路和控制回路，提高氮化镓HEMT器件的开关速度，降低开关损耗，减小开关涟波，提高器件使用的稳定性。并且这种平面型氮化镓HEMT封装结构的可插接引脚的电气功能的设置顺序与对应的垂直型结构的硅基或碳化硅基MOSFET器件的引脚功能设置顺序相同，从而实现直接替代，扩大了功率氮化镓HEMT器件的应用范围。
一种用于功率氮化 hemt 器件引脚 to 247 封装结构

[发明专利]氧化镓薄膜晶体生长方法-CN202010841304.6有效
发明人：杨安丽;张新河;高博;张志新;陈施施;温正欣;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体晶体生长技术，公开了一种氧化镓薄膜晶体生长方法，用载气将含镓源的金属有机化合物和含氧物质的气态源分别通入MOCVD设备中，在低温下对衬底进行一层低温氧化镓材料的生长；关闭金属有机化合物源，打开高温加热源，进行高温快速退火；重复上述过程，关闭高温加热源，对高温快速退火之后生长有氧化镓材料的衬底在低温下继续生长。由于氧化镓材料的低温生长和高温退火是在同一反应室内连续进行，中间的热处理过程不需要将样品取出。可以方便地进行多次高低温调制生长，大大提高了氧化镓的生长效率。
氧化薄膜晶体生长方法

[发明专利]一种采用半浮栅结构的氮化镓功率器件-CN201410404475.7有效
发明人：王鹏飞;刘晓勇;黄泓帆;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2014-08-17 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体为一种采用半浮栅结构的氮化镓功率器件。该氮化镓功率器件包括一个常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管和一个常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管，其中常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管的第一源极和第一控制栅分别与常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管的第二漏极和第二控制栅连接；且常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管的第一浮栅通过一个第一二极管与常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管的第二源极连接。本发明的氮化镓功率器件可以在同一个氮化镓基底上形成，结构简单、易于封装、适合高压、高速操作并且具有很高的可靠性。
一种采用半浮栅结构氮化功率器件

[发明专利]氮化镓器件结构及其制备方法-CN202310579265.0有效
发明人：温雷;庞振江;洪海敏;顾才鑫;文豪;廖刚 -专利权人：深圳智芯微电子科技有限公司;深圳市国电科技通信有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种氮化镓器件结构及其制备方法。氮化镓器件结构的制备方法包括：提供一衬底；在衬底上形成氮化镓外延层；通过刻蚀去除氮化镓外延层的预定区域以在预定区域形成第一区域，并在预定区域外形成第二区域；在第一区域生成硅外延层；生成介质层以隔开第一区域和第二区域；在硅外延层和氮化镓外延层上分别加工形成低压硅MOSFET器件和高压氮化镓HEMT器件，并通过内部金属连线形成共源共栅的高耐压的氮化镓器件。可以同时将低压硅器件和高压氮化镓器件制备在一个衬底上，减少多次流片，将低压控制的硅器件与高耐压的氮化镓器件集成在同一芯片上，减小封装器件的面积，简化封装，降低目前共源共栅氮化镓器件的寄生电感，提升器件性能
氮化器件结构及其制备方法

[发明专利]一种CVD法合成铋辅助的氧化镓纳米环的方法-CN201110100178.X无效
发明人：沈国震;梁博;陈娣 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明属于镓、铟或铊的化合物技术，为一种使用CVD法合成铋辅助的氧化镓纳米环。本发明方法利用金属单质铋及其氧化物氧化铋的低熔点特性，以BiOCl为铋源，氧化镓Ga2O3为镓源，活性炭为还原剂，在水平管式炉中保护气体保护下加热进行反应，合成较高产量的氧化镓纳米环。合成反应中首先在活性炭的还原作用下在衬底上获得铋和镓的共融合金的液球，部分铋和镓被反应系统中的氧气分别氧化为氧化铋和氧化镓，当反应系统中的温度进一步升高之后，氧化铋以及未被反应的单质铋、镓被蒸发，保持一定时间之后只剩下熔点更高的氧化镓在衬底上形成纳米环结构
一种 cvd 合成辅助氧化纳米方法

[发明专利]HVPE腔室硬件-CN201410593230.3有效
发明人：石川哲也;D·H·考齐;常安中;O·克利里欧科;Y·梅尔尼克;H·S·拉迪雅;S·T·恩古耶;L·庞 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-04-09 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：腔室可具有两个不同的前驱物源，两个不同的前驱物源与腔室耦接以便沉积两个不同层。举例而言，镓源与不同的铝源可耦接至处理腔室以便在相同处理腔室中分别地沉积氮化镓与氮化铝于基板上。可在较低温度下在与镓及铝不同的位置处将氮导入处理腔室。不同温度造成气体混合在一起、反应且沉积于基板上，且极少或没有沉积于腔室壁上。
hvpe 硬件

[发明专利]HVPE腔室硬件-CN201080019343.2无效
发明人：石川哲也;D·H·考齐;常安中;O·克利里欧科;Y·梅尔尼克;H·S·拉迪雅;S·T·恩古耶;L·庞 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-04-09 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：腔室可具有两个不同的前驱物源，两个不同的前驱物源与腔室耦接以便沉积两个不同层。举例而言，镓源与不同的铝源可耦接至处理腔室以便在相同处理腔室中分别地沉积氮化镓与氮化铝于基板上。可在较低温度下在与镓及铝不同的位置处将氮导入处理腔室。不同温度造成气体混合在一起、反应且沉积于基板上，且极少或没有沉积于腔室壁上。
hvpe 硬件

[发明专利]轻汽油降烯烃-改质催化剂及其制备方法、轻汽油降烯烃-改质方法-CN202110015518.2在审
发明人：李天舒;鞠雅娜;马安;胡亚琼;张然;葛少辉;赵秦峰;康宏敏;钟海军;李阳 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： B01J29/76 文献下载
摘要：本发明涉及一种轻汽油降烯烃‑改质催化剂的制备方法，采用水热合成法，该制备方法至少包括以下步骤：首先，将含硅源溶液与含铝源溶液混合形成混合溶液，其中，所述含硅源溶液的组成为：硅源、模板剂、镍源和水；所述含铝源溶液的组成为：硅源、铝源、模板剂、碱金属、镁源、镓源和水；混合溶液中，以相应的氧化物计，各组分的摩尔比为：硅源：模板剂：铝源：碱金属：镍源：镁源：镓源：水为1：0.5‑0.9：0.02‑0.1：0.1‑0.5：0‑0.03：0‑0.1：0.005‑0.015：12‑20；然后，所述混合溶液进行水热晶化、后处理、焙烧，得到含原位掺杂镓及含镍或/和镁的多级结构Beta分子筛催化剂。
汽油烯烃催化剂及其制备方法

[发明专利]一种氧化镓外延薄膜的制备方法-CN201911123810.5在审
发明人：郭道友;王顺利;吴超 -专利权人：金华紫芯科技有限公司
申请日： 2019-11-17 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料制备领域，公开了一种氧化镓外延膜的制备方法。该方法以金属镓为镓源，氧气作为氧源，氩气作为运输气体，(0001)面Al2O3为衬底，采用等离子增强化学气相沉积法，衬底的加热温度在740‑900℃下，生长氧化镓外延薄膜。该方法借助辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，进而实现薄膜材料生长，可以显著降低反应温度、提高薄膜沉积的效率和质量，制备的氧化镓外延膜性能优异，符合未来工业化量产的需求。
一种氧化外延薄膜制备方法

[发明专利]增强型高电子迁移率晶体管器件-CN201911334570.3有效
发明人：陈智伟;温文莹 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种增强型高电子迁移率晶体管器件，包括设置于基板上的沟道层、阻挡层、P型氮化镓层、保护层、栅极以及源极与漏极。阻挡层设置于沟道层上，P型氮化镓层设置于阻挡层上，保护层设置于P型氮化镓层上。源极与漏极分别位于栅极的两侧，且设置于沟道层、阻挡层、P型氮化镓层及保护层中，源极与漏极的上表面从保护层的上表面凸出。
增强电子迁移率晶体管器件

[发明专利]一种带有刻蚀保护层的金刚石基氮化镓器件的制备方法-CN202210151050.4在审
发明人：林长志;陈兴;王东;吴勇;黄永;陈瑶;李彦佐;邱慧嫣;谢雨峰 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有刻蚀保护层的金刚石基氮化镓器件的制备方法，涉及半导体技术领域，通过上述方法获得了器件，该器件包括金刚石衬底、第一衬底、低温氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层、漏电极、源电极、栅电极、介质层和保护层，本发明可以有效解决刻蚀氮化镓带来的损伤，还可以改善金刚石与氮化镓之间的应力问题。以提升氮化镓功率器件散热能力。
一种带有刻蚀保护层金刚石氮化器件制备方法

[发明专利]氮化镓晶体管的制造方法-CN201610178146.4在审
发明人：刘美华;孙辉;林信南;陈建国 -专利权人：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化镓晶体管的制造方法，该方法包括在硅衬底上依次生长氮化铝层、氮化镓缓冲层、铝镓氮势垒层及氮化镓帽层；在氮化镓帽层上依次沉积氮化硅钝化层及氧化层；制造氮化镓晶体管的源极和漏极；制造氮化镓晶体管的栅极
氮化晶体管制造方法