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[发明专利]基于AlBN铁电材料的深紫外探测器及制备方法-CN202310951204.2在审
发明人：苏杰;肖正懋;陈子龙;常晶晶;林珍华;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于AlBN铁电材料的深紫外探测器及制备方法，主要解决现有探测器材料带隙不够宽、暗电流较大导致器件性能不佳的问题。结构从下至上包括Al2O3衬底以及依次生长沉积的W底电极、AlBN光吸收层、SiO2介电层和HfO2紫外阻挡层，在光吸收层上的Ni顶电极，且Ni顶电极与SiO2介电层和HfO2紫外阻挡层之间被Ti/Au接触垫隔开；AlBN光吸收层和顶电极与底电极形成欧姆接触。本发明利用AlBN材料的宽带隙、强极化特性以及铁电特性的优势，通过调控铁电极化方向和外加偏压实现对探测器性能的调节；在深紫外光照下能够有效地分离和传输光生电子和空穴，且制备方法简单可行，具备广阔的应用前景。
基于 albn 材料深紫探测器制备方法

[发明专利]基于超疏水薄膜的柔性摩擦纳米发电机及其制备方法-CN202310648898.2在审
发明人： 常晶晶;马馨童;林珍华;焦勇;郭兴;胡赵胜;苏杰;魏葳;赵雪;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H02N1/04 文献下载
摘要：本发明公开了基于超疏水薄膜的柔性摩擦纳米发电机，包括正摩擦层和负摩擦层，正负摩擦层选用柔性薄膜作为电极基础材料，正负摩擦极均以柔性材料为基底，正摩擦层和负摩擦层之间存在间隔距离，两摩擦层边缘电性连接，相对连接处两摩擦层能够接触产生正负静电荷，电子在两电极层间流动形成交流电。本发明正负摩擦层选用柔性薄膜作为电极基础材料，获得高介电常数的同时保证聚合物基质的柔韧及拉伸性，有效提高TENG的输出电功率，输出更好的电性能。
基于疏水薄膜柔性摩擦纳米发电机及其制备方法

[发明专利]一种基于电容式柔性传感器的可穿戴压力传感设备-CN202210722231.8有效
发明人：李迎春;李欣樾;常晶晶;魏葳;袁瑞梅;杨余洲 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电容式柔性传感器的可穿戴压力传感设备，包括传感模块和检测模块；感模块包括一个电容式柔性传感单元，柔性传感模块包括具有微结构的两层柔性电极和两层柔性介电层由上至下依次叠放微金字塔阵列电极、电纺丝膜介电层、微柱阵列介电层和微凹槽阵列电极，所述顶部和底部的柔性电极采用负载一维和二维导电材料的硅基弹性体组成，柔性介电层由负载纳米颗粒的电纺丝膜和具有微结构的硅基弹性体组成；检测模块包括用于将电容式柔性传感单元由压力引起的电容变化转换为相对应的电信号的电路元件、电信号检测元件以及供电、储能模块。本发明通过电极微结构设和引入双介电层提高传感器灵敏度和稳定性。
一种基于电容柔性传感器穿戴压力传感设备

[发明专利]一种AlBN基铁电隧道结器件及其制备方法-CN202310951315.3在审
发明人：苏杰;肖正懋;陈子龙;常晶晶;林珍华;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种AlBN基铁电隧道结器件及其制备方法，主要解决现有器件无法平衡存储性能以及进行非破坏性读取，导致器件性能不佳的问题。主要结构为金属/铁电/绝缘体/半导体叠层结构，从下至上包括重掺杂P型Si衬底以及依次生长沉积的SiO2绝缘层、AlBN铁电层和钛/金顶电极；其中AlBN铁电层为厚度小于5nm的AlBN薄膜，钛/金顶电极是钛层位于金层下的两层结构，钛层直接接触AlBN铁电层。本发明利用AlBN材料的高极化强度和铁电特性的优势调节肖特基势垒形成高阻态和低阻态，能够进一步压缩器件尺寸，并提升存储性能和可擦写次数，在铁电隧道结存储器方面具备广阔的应用前景。
一种 albn 基铁电隧道器件及其制备方法

[发明专利]一种基于掺杂Al1-x-CN202310713333.8在审
发明人： 常晶晶;刘瑜;林珍华;袁海东;郭兴;苏杰;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于掺杂Al1‑xScxN的铁电调控场效应晶体管及其制备方法，铁电调控场效应晶体管包括：自下而上依次设置的衬底层、种子层、第一铁电层、第一介质层、沟道层、第二介质层、第二铁电层和栅电极；源电极与漏电极，源电极与漏电极分别设置于沟道层两侧以及部分沟道层的上表面；第二介质层覆盖在沟道层上表面、部分源电极和部分漏电极的上表面；第一铁电层为Sc掺杂浓度为35％～40％的Al1‑xScxN；第二铁电层为HZO。本发明提供的铁电调控场效应晶体管作为存储器件的存储性能好，内存窗口大，在存在外部干扰的情况下数据的可靠性以及稳定性更胜一筹，同时其制备方法能与现有CMOS工艺兼容，降低了生产成本。
一种基于掺杂 al base sub

[发明专利]一种具有缓冲层的氧化镓/氧化镍梯度异质结日盲紫外探测器及其制备方法-CN202310846265.2在审
发明人：苏杰;陈子龙;张孜鑫;常晶晶;林珍华;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有缓冲层的氧化镓/氧化镍梯度异质结日盲紫外探测器及其制备方法，主要解决现有技术中界面能级不匹配、界面载流子复合严重的问题。包括：1)选用衬底并对其进行预处理；2)在预处理后的衬底上通过MOCVD生长氧化镓感光层；3)采用射频磁控溅射技术在氧化镓感光层上生长得到BaSnO3缓冲层；4)采用ALD技术在缓冲层上沉积多层的梯度氧化镍层；5)在氧化镓感光层上部的一端制备源电极，在梯度氧化镍层上部与金属源电极相对的一端制备漏电极，得到自下而上包括衬底、氧化镓感光层、缓冲层、梯度氧化镍层及源漏电极的探测器。本发明能够有效减少界面载流子复合，降低界面接触电阻，提高探测器的响应速度与性能。
一种具有缓冲氧化梯度异质结日盲紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于AlScN的增强型GaN HEMT器件及其制备方法-CN202310501530.3在审
发明人： 常晶晶;师小鸥;魏葳;林珍华;袁海东;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于AlScN的增强型GaN HEMT器件及其制备方法，GaN HEMT器件包括：衬底层、成核过渡层、GaN缓冲层、GaN沟道层、Al1‑xScxN势垒层、Al1‑yScyN帽层、源极、漏极和栅极，衬底层、成核过渡层、GaN缓冲层、GaN沟道层、Al1‑xScxN势垒层依次层叠，15％≤x≤25％；Al1‑yScyN帽层、源极和漏极均位于Al1‑xScxN势垒层上，Al1‑yScyN帽层位于源极和漏极之间，y＞30％；源极和漏极相互分离且对称分布；栅极位于源极和漏极之间。该器件两种不同Sc掺杂浓度的AlScN薄膜在界面处晶格匹配度较好，既可通过压电极化特性使异质结处产生更高浓度的2DEG，增加HEMT器件的漏极电流，又能通过铁电极化对HEMT进行非易失性调控，使阈值电压从负值变为正值，实现增强型HEMT器件，同时减小了漏极电流崩塌，显著提升了器件的电学性能。
一种基于 alscn 增强 gan hemt 器件及其制备方法

[实用新型]一种临床麻醉咽喉镜-CN202320429269.6有效
发明人： 常晶晶 -专利权人：中国人民解放军总医院第六医学中心
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： A61B1/267 文献下载
摘要：本实用新型涉及外科诊断设备技术领域，且公开了一种临床麻醉咽喉镜，包括咽喉镜主体，所述咽喉镜主体上固定安装有两个第一伸缩杆，所述第一伸缩杆的材质皆为钛合金，所述第一伸缩杆相互远离的一侧皆固定安装有喉部支撑体，所述咽喉镜主体的前方和后方皆固定安装有唾液吸管，所述握把的底端一侧设置有唾液排放管。本实用新型通过设有第一伸缩杆、喉部支撑体、唾液吸管，采用这种设计在实际使用中有效解决了现有的传统麻醉咽喉镜在为一些咽喉狭窄的患者检查时，常常因为患者的咽喉受到刺激收缩而无法正常插管，导致需要使用特定的咽喉支撑设备，使得检查难度增高的问题。
一种临床麻醉咽喉

[发明专利]基于极性二维材料量子阱的pn型β-Ga2-CN202210646462.5有效
发明人：苏杰;常晶晶;戚萧镕;王博文;林珍华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于极性二维材料量子阱的pn型β‑Ga2O3日盲深紫外光电探测器，主要解决现有pn结型光电探测器内部增益不足的问题。其自下而上设有衬底(1)、β‑Ga2O3层(2)、多量子阱层(3)和NiO层(4)，其中，多量子阱层(3)由α‑In2Se3与MoSSe两种二维层状极性材料构成，其位于β‑Ga2O3层的一端上部；β‑Ga2O3层的另一端上设有负电极(6)，NiO层上部设有正电极(5)。本发明由于在β‑Ga2O3层与NiO层之间增设了多量子阱层，利用其量子限制斯塔克效应和单极载流子输运的效果，增加了器件的光导增益，提高了器件的量子效率和响应度，可用于火灾预警、目标识别和信息通讯。
基于极性二维材料量子 pn ga base sub

[发明专利]一种柔性电容式压力传感器的制备方法-CN202210722507.2有效
发明人：李迎春;李欣樾;张苗;张凯瑜;常晶晶 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性电容式压力传感器的制备方法，包括以下步骤；S1.选择传感器各层材料，并设计器件结构为双层介电层，分别包括掺有银纳米颗粒的纳米纤维膜层和PDMS微结构层；S2.制备双层介电层，分别为掺有银纳米颗粒的纳米纤维膜和PDMS微结构层；S3.制备电极层，进行微结构化处理；S4.将两层电极和双介电层按三明治结构叠放，导线贴附于上下电极层两侧；S5.用生物性透气胶带进行封装，得到柔性电容式压力传感器。本发明制备出的传感器具有高灵敏度、宽传感范围和良好稳定性的特点。
一种柔性电容压力传感器制备方法

[发明专利]基于多孔结构和微结构的柔性电容式压力传感器及方法-CN202310525933.1在审
发明人：李迎春;李欣樾;刘彦楠;常晶晶;白建斌;康乐海;林宸旭 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：基于多孔结构和微结构的柔性电容式压力传感器及方法，包括上下两个平行电极，两个平行电极之间设有多孔结构泡沫层，在多孔结构泡沫层的上下表面化学合成导电聚合物，再附加带有微结构弹性体层，上下平行电极采用导电胶带或导电薄膜，分别直接延伸用作与外接设备相连接的引线。该方法采用气相氧化聚合的方式将导电聚合物沉积在泡沫材料中；将弹性体材料涂于微结构化的模板上，得到微结构弹性体层，将聚合好的多孔结构泡沫层轻置于其上，粘附后进行加热固化，重复此步骤制备双面微结构；将导电胶带或导电薄膜置于上下两侧作为上下平行电极，并直接延伸用作与外界设备相连的引线，使用防水透气胶带进行封装。本发明具有高灵敏度、稳定性好的特点。
基于多孔结构微结构柔性电容压力传感器方法

[发明专利]一种SWCNTs薄膜晶体管器件的P型掺杂方法-CN202310427884.8在审
发明人：高香香;白皓宇;常晶晶;林珍华;苏杰;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10K71/30 文献下载
摘要：本发明属薄膜晶体管器件掺杂技术领域，具体涉及一种SWCNTs薄膜晶体管器件的P型掺杂方法。本发明采用自组装的方式通过两种物质之间的相互作用力组装SWCNTs薄膜用于制备晶体管器件阵列，通过超强吸电子能力双三氟甲烷磺酰亚胺(TFSI)P型掺杂剂处理SWCNTs薄膜，能够调控SWCNTs薄膜晶体管器件阈值电压，大幅提升SWCNTs薄膜晶体管器件的载流子迁移率和最大开态电流。本发明的有益效果在于，通过改变TFSI处理SWCNTs薄膜的温度和对器件进行退火处理能够调控SWCNTs薄膜晶体管器件的P型掺杂，在高性能SWCNTs薄膜晶体管器件领域具有广阔的应用前景。
一种 swcnts 薄膜晶体管器件掺杂方法

[发明专利]一种GaN HEMT功率半桥电路系统-CN202310160863.4在审
发明人：李祥东;王峻博;王萌;杨伟涛;袁嘉惠;游淑珍;常晶晶 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H02M1/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN HEMT功率半桥电路系统，包括：死区时间控制电路(1)、电平移位电路和上侧逻辑电路(2)、逻辑和控制电路(3)、高侧驱动(4)、低侧驱动(5)、电流检测电路(6)、高侧器件(7)、低侧器件(8)、二极管(D)、第一电容(C101)、电感(L)、第二电容(C102)和第一电阻(R101)。本发明实施例的GaN HEMT半桥电路系统在降低电路静态功耗的同时，提高电路性能，且具备防止高侧与低侧器件串通的保护电路系统功能；在提升半桥电路性能的同时，提升了电路的可靠性，降低了设备损坏的风险。
一种 gan hemt 功率电路系统

[发明专利]一种引入电荷传输限制层的光响应摩擦纳米发电机及其制备方法-CN202211643770.9在审
发明人： 常晶晶;马馨童;林珍华;焦勇;郭兴;胡赵胜;苏杰;魏葳;赵雪;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H02N1/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种引入电荷传输限制层的光响应摩擦纳米发电机及其制备方法，包括第一基底、正摩擦层、负摩擦层、电极层和第二基底，负摩擦层和电极层之间设置有电荷传输限制层，电荷传输限制层为还原的氧化石墨烯与银的混合纳米层，用于对界面电荷进行捕获及限制。正摩擦层为掺杂碘氧化铋和氟化碳纳米管混合纳米颗粒的有机无机钙钛矿薄膜；负摩擦层为多壁碳纳米管/聚二甲基硅氧烷/聚偏二氟乙烯/二氧化钛复合膜；电荷传输限制层为还原的氧化石墨烯/银纳米粒子杂化膜。本发明通过控制界面电荷，进一步拓宽摩擦电极性，提升TENG的电输出特性。
一种引入电荷传输限制响应摩擦纳米发电机及其制备方法

[发明专利]一种小鼠视觉辨别行为实验装置及其方法-CN202211588268.2在审
发明人：胡繁;常晶晶 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： A01K15/02 文献下载
摘要：一种小鼠视觉辨别行为实验装置及其方法，装置包括固定组件、喷嘴调整组件、吹气模块、舔水检测模块、控制模块C、显示模块；固定组件用于固定小鼠，喷嘴调节组件用于固定小鼠可舔到的给水管，固定组件和喷嘴调节组件还包括在两者相对水平距离和竖向高度差上调节的部件；吹气模块的出口正对固定组件上的小鼠；舔水检测模块包括导电块，导电块与电源DC正极连接，给水管的出水端也设置有导电线，导电线的一端经过电阻R2与电源DC的负极连接，另一端与控制模块C的控制芯片的对应采样引脚连接；控制模块C与显示模块连接。本申请可实现利用配套的小鼠固定贴片将小鼠固定在配套的固定装置上面，可实现小鼠在清醒的状态下执行以舔水为导向的视觉辨别任务。
一种小鼠视觉辨别行为实验装置及其方法

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