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[发明专利]一种晶圆的背胶方法-CN201611264362.7有效
发明人： 施建根 -专利权人：通富微电子股份有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆的背胶方法。该晶圆的背胶方法包括：提供待背胶的晶圆；提供由感光材料制成的胶膜；将胶膜贴附至晶圆的背侧上；沿晶圆的外边缘对胶膜进行曝光；利用显影液对曝光后的胶膜进行清洗，以去除晶圆的外边缘外围的胶膜。本发明能够在晶圆的背侧形成完整贴附的胶膜，避免出现漏胶。
一种方法

[发明专利]蚀刻液、半导体封装器件及半导体封装器件的制备方法-CN201611246164.8有效
发明人： 施建根 -专利权人：通富微电子股份有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： C23F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种蚀刻液、半导体封装器件及半导体封装器件的制备方法，所述蚀刻液包括0.5‑5质量份的颗粒，所述颗粒为实心结构，所述颗粒的粒径为1‑10nm；或者，所述颗粒为多孔结构，所述颗粒的所述多孔结构的孔径为1‑10nm；所述半导体封装器件包括金属再布线层，所述金属再布线层的表面通过所述的蚀刻液蚀刻处理。通过上述方式，本发明能够增加金属再布线层与其上方材料的结合力。
半导体封装器件蚀刻液金属再布线层多孔结构制备蚀刻处理实心结构结合力质量份粒径

[发明专利]半导体器件扇出封装结构-CN201510995488.0有效
发明人： 施建根 -专利权人：通富微电子股份有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件扇出封装结构，包括：半导体器件柱状凸点单体，其特征在于，还包括：再布线基板，包括：聚合层，聚合层具有多个第一开口，在聚合层的表面和第一开口内设有再布线金属板，在再布线金属板上设有焊料凸点；半导体器件柱状凸点单体通过第二金属柱与焊料凸点相连接。本申请再布线金属板的厚度与半导体器件所需的电流相匹配；且两两再布线金属板的间隔得到进一步缩小，有利于提高半导体器件的封装密度。
半导体器件封装结构

[发明专利]半导体绝缘电阻监控方法-CN201511020112.4有效
发明人： 施建根 -专利权人：通富微电子股份有限公司
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体绝缘电阻监控方法，包括：提供待检测晶圆，晶圆的表面设有再造钝化层；测量再造钝化层表面的漏电流以确定再造钝化层表面的绝缘电阻的电阻值；判断电阻值是否满足合格条件；以及基于判断的结果执行相应的处理。本发明通过在线监控每片晶圆表面的绝缘电阻，主要是监控晶圆表面的再造钝化层的电阻，若当站发现异常产品，就及时进行蚀刻处理以去除再造钝化层表面的碳化层，避免发生产品电性能质量问题。本发明在不影响制造周期和监控成本的情况下实施半导体绝缘电阻的监控，判断影响晶圆绝缘电阻偏低的工艺，提高半导体产品的合格率。
半导体绝缘电阻监控方法

[发明专利]半导体器件封装方法-CN201410433400.1有效
发明人： 施建根;吴谦国;陈文军 -专利权人：通富微电子股份有限公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件封装方法，包括以下步骤，在芯片的电极上键合第一导电柱；在金属层上形成第二导电柱；在第二导电柱远离金属层的一端设置焊帽；倒装芯片，并将第一导电柱远离电极的一端焊接在焊帽上。本发明中芯片电极上键合形成的第一导电柱，能够很好的缓解凸点结构和半导体芯片结合点处的应力，解决由于热膨胀不均匀容易引起的电极断裂导致半导体器件的失效问题。
半导体器件封装方法

[实用新型]半导体绝缘电阻测量装置-CN201521128701.X有效
发明人： 施建根 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体绝缘电阻测量装置，包括轴线竖直设置的真空旋转吸盘，真空旋转吸盘的顶部具有真空吸附平面，用以放置待检测晶圆，晶圆的表面设有再造钝化层，在真空旋转吸盘的上方沿竖直方向滑动设置有电流测量装置，用以根据施加电流测量装置上的电压以及电流测量装置获得的电流生成再造钝化层表面的绝缘电阻的电阻值。本申请提供的半导体绝缘电阻测量装置，通过在真空旋转吸盘的上方沿竖直方向滑动设置电流测量装置，方便在线监控每片晶圆表面的绝缘电阻，如有异常当站产品实时及时再次进行去除碳化层的作业，保证产品的电性能质量。
半导体绝缘电阻测量装置

[发明专利]一种半导体封装结构-CN201610301968.7有效
发明人： 施建根 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2016-05-09 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体封装结构。该封装结构包括芯片和载体，该芯片包括芯片主体、设置在芯片主体上的电极以及固定在电极上的金属凸块。该载体包括介电层、形成于介电层上的再布线层以及形成于再布线层上的第一端子，其中第一端子包括焊料。金属凸块由焊料固定于再布线层上。在本发明中，利用金属凸块取代现有技术中的形成于电极上的球状焊料，并利用形成于再布线层上的第一端子中的焊料将金属凸块固定于再布线层上，可有效避免电极间的桥接以及焊料中的α射线对芯片性能的影响。进一步，所形成的半导体封装结构中端子的节距减小，使在小尺寸芯片上实现多端子成为可能。
一种半导体封装结构

[发明专利]一种半导体封装结构的制造方法-CN201610302306.1有效
发明人： 施建根 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2016-05-09 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体封装结构的制造方法。该制造方法包括以下步骤：提供一基材；在基材上形成介电层；在介电层上形成再布线层；在再布线层上形成第一端子，其中第一端子包括焊料；提供一芯片，芯片包括芯片主体、设置在芯片主体上的电极以及固定在电极上的金属凸块；利用焊料将金属凸块固定于再布线层上。本发明利用金属凸块取代现有技术中的形成于电极上的球状焊料，并利用形成于再布线层上的第一端子中的焊料将金属凸块固定于再布线层上，可有效避免电极间的桥接以及焊料中的α射线对芯片性能的影响。进一步，通过该制造方法所形成的半导体封装结构中端子的节距减小，使在小尺寸芯片上实现多端子成为可能。
一种半导体封装结构制造方法

[发明专利]半导体晶圆凸点结构的形成方法-CN201510993403.5有效
发明人： 施建根 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体晶圆凸点结构的形成方法，包括：在晶圆上表面形成再造钝化层；在晶圆下表面形成聚合物材料层；在聚合物材料层的各裸露面上形成背胶层。与现有技术相比，本发明提供的半导体晶圆凸点结构的形成方法，能够削弱晶圆翘曲，从而有利于切割前的测试、打印、植球等工序的制造。
半导体晶圆凸点结构形成方法

[发明专利]半导体晶圆凸点结构-CN201511000180.4有效
发明人： 施建根 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体晶圆凸点结构，其包括：晶圆；形成于晶圆上表面的再造钝化层；形成于晶圆下表面的聚合物材料层；形成于聚合物材料层的各裸露面上的背胶层。与现有技术相比，本发明提供的半导体晶圆凸点结构的形成方法，能够削弱晶圆翘曲，从而有利于切割前的测试、打印、植球等工序的制造。
半导体晶圆凸点结构

[发明专利]半导体器件扇出封装结构的制作方法-CN201510996030.7有效
发明人： 施建根 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件扇出封装结构的制作方法，包括：制作半导体器件柱状凸点单体以及再布线基板，将半导体器件柱状凸点单体倒装于再布线基板上，回流实施树脂填充；制作再布线基板包括：在载板表面形成聚合层，在聚合层上形成多个第一开口；在聚合层的正面涂上感光膜，对感光膜进行曝光显影形成图案；采用电镀方法在聚合层表面以及第一开口内形成再布线金属板，再布线金属板的厚度根据半导体器件柱状凸点单体中的芯片所需的电流而匹配；在再布线金属板上形成焊料凸点。本申请以载板代替种子层，在再布线基板形成后可直接去除；再布线金属板的厚度可根据半导体器件所需的电流而匹配，两两再布线金属板间隔进一步缩小，提高封装精度。
半导体器件封装结构制作方法

[实用新型]划片槽阻隔分离型保护层半导体结构-CN201420860952.6有效
发明人：陈文军;施建根;冯玉祥 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种划片槽阻隔分离型保护层半导体结构，包括焊锡球，所述焊锡球下设有再布线金属层，所述再布线金属层下设有第一钝化层，所述第一钝化层下设有圆片衬底，所述第一钝化层外围的圆片衬底上设有圆片线路层，所述圆片线路层上设有至少一第一正性聚酰亚胺层，所述第一正性聚酰亚胺层位于所述圆片线路层与所述再布线金属层之间，每个第一正性聚酰亚胺层对应一第二正性聚酰亚胺层，所述第二正性聚酰亚胺层设置在所述圆片线路层上，所述第一正性聚酰亚胺层与所述第二正性聚酰亚胺层之间设有第一开口。本实用新型通过设置第一开口，降低材料间由于膨胀系数不一致而引起的应力，有效提高工艺稳定性并降低由此导致的设备运行成本。
划片阻隔分离保护层半导体结构

[实用新型]全包封半导体芯片-CN201420785526.0有效
发明人： 施建根 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种全包封半导体芯片，包括：晶片结构，所述晶片结构底部开设有朝向所述晶片顶部延伸的背面盲孔；保护层，形成于所述晶片结构外和所述盲孔内，并露出所述晶片结构上植球部的上表面。本实用新型至少具备如下有益效果：不需要形成第三钝化层，避免第三钝化层底部与晶圆之间分层，保护层包裹在晶片结构外不易分层变形，保护层还伸入到盲孔内，使保护层结构更加牢靠。
全包封半导体芯片

[实用新型]半导体晶圆制造显影预对准装置-CN201420766748.8有效
发明人： 施建根 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：一种半导体晶圆制造显影预对准装置，包括轴线竖直设置的真空旋转吸盘，真空旋转吸盘的顶部具有真空吸附平面，真空旋转吸盘的上方沿水平方向滑动设置有边缘曝光装置，边缘曝光装置包括具有通孔的可调节挡板和紫外线发光装置，紫外线发光装置位于可调节挡板的正上方，紫外线发光装置用于发出紫外线并通过所述通孔向真空旋转吸盘一侧照射。用本实用新型装置对半导体晶圆边缘曝光，待显影后形成的无光刻胶电镀阴极金属环接触区域宽度范围为1.2mm到1.6mm之间，不会造成电镀时设备报警、电镀高度不一致甚至是产品报废情况。而且所形成的光滑垂直截面边缘光刻胶不会脏污电镀治具的接触电极，大大减少了电镀治具的预防性维护频次。
半导体制造显影对准装置

[发明专利]半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法-CN201410683305.7有效
发明人： 施建根 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法，包括以下步骤：在半导体晶圆上形成金属种子层；在金属种子层上形成负性光阻，且负性光阻的外周面与半导体晶圆的外周面平齐；遮挡负性光阻的边缘，并对负性光阻遮挡区域外的部分进行曝光，形成曝光图案，且被遮挡部分的负性光阻形成为边缘光阻；对边缘光阻内侧的部分进行曝光处理；去除边缘光阻的外侧部分。本发明中在半导体晶圆边缘形成用于电镀治具密封环所需要的无图形光阻以及控制半导体晶圆边缘形成的无光刻胶电镀阴极金属环接触区域宽度范围，可以有效的防止渗镀，延长电镀治具的预防性维护周期。
半导体制造电镀密封接触区域形成方法

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