“斯特凡·伯格伦德”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]有减小横向场终止距离的竖直取向半导体器件及相应方法-CN202310277063.0在审
发明人： 斯特凡·伯格伦德;斯特芬·霍兰;蒂姆·伯切尔;裴晟佑 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种竖直取向半导体器件和制造该竖直取向半导体器件的方法，该竖直取向半导体器件包括具有第一主表面的半导体主体，该半导体主体包括第一导电类型的第一区、第二导电类型的第二区，其中，所述第二区与所述第一区相邻，使得在所述第一区和所述第二区之间设置有结，所述结具有距所述第一主表面的最大距离，其中，所述半导体器件还包括沟槽，该沟槽从第一主表面延伸至半导体主体中，该沟槽的延伸深度至少等于所述最大距离，其中，所述沟槽包括布置成提供电绝缘的材料，从而限制与所述结相关联的横向场终止距离。
减小横向终止距离竖直取向半导体器件相应方法

[发明专利]芯片级封装件-CN202310041217.6在审
发明人：雷格纳斯·赫尔曼努斯·波尔玛;哈特穆特·宾宁;斯特凡·伯格伦德;汉斯-于尔根·芬克;约翰内斯·乔西斯科·伊珀斯;琼普·斯托克曼斯;沃尔夫冈·施尼特 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本公开的各方面涉及诸如芯片级封装件的半导体装置。本公开的各方面还涉及一种用于制造这种装置的方法。根据本公开的一方面，提供了一种半导体装置，该半导体装置包括布置在其侧壁上和半导体装置的半导体裸片的周边部分上的共形涂层。为了防止共形涂层覆盖诸如电端子的不需要的区域，在布置共形涂层之前布置牺牲层。通过去除牺牲层，可以局部地去除共形涂层。共形涂层覆盖半导体装置所包括的半导体裸片的周边部分，在该周边部分中提供了锯切线或切割道的剩余部分。
芯片级封装

[发明专利]半导体器件-CN201711200350.2有效
发明人： 斯特凡·伯格伦德;森克·哈贝尼希特;斯特芬·霍兰;提姆·伯切尔 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法。该器件包括具有主表面和背表面的半导体衬底。该器件还包括双极型晶体管。该双极型晶体管包括：集电极区域，位于半导体衬底中；基极区域，位于集电极区域内且邻近主表面安置；发射极区域，位于基极区域内且邻近主表面安置；以及集电极端子，位于半导体衬底的主表面上。该集电极端子包括：第一导电部分，电连接至集电极区域；电阻部分，电连接至第一导电部分；以及第二导电部分，用于允许与集电极端子进行外部电连接。第二导电部分经由电阻部分电连接至第一导电部分。
半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201911241615.2在审
发明人： 斯特凡·伯格伦德;斯特芬·霍兰 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明涉及一种双极晶体管半导体装置，包括：衬底层；由衬底层支撑的集电极外延层；由集电极外延层的一部分支撑的基极区域；以及由基极区域的一部分支撑的发射极区域，其中，发射极区域包括多晶硅材料。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件结构和制造方法-CN201811416090.7在审
发明人：马丁·罗弗;森克·哈贝尼希特;斯特凡·伯格伦德;裴晟佑 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件结构和制造半导体器件的方法。半导体器件结构包括半导体衬底，该半导体衬底具有与器件区横向分离的边缘区、布置在半导体衬底上的边缘终端结构，其中该边缘终端结构包括：第一氧化物层，其布置在衬底上以从有源区延伸到边缘区；隔离层，其布置在该第一氧化物层上方；以及金属层，其布置为至少部分地覆盖隔离层，并且其中该金属层还布置为从隔离层延伸以接触边缘区。
衬底半导体器件结构半导体边缘终端结构氧化物层边缘区隔离层金属层半导体器件覆盖隔离横向分离接触边缘器件区延伸源区制造

[发明专利]固态继电器-CN201710131781.1在审
发明人： 斯特凡·伯格伦德;森克·哈贝尼希特;米夏埃尔·弗利克斯·科奈容;约阿希姆·施坦格;裴晟佑 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H03K17/61 文献下载
摘要：本公开涉及用于切换电力负载的固态继电器电路。所述固态继电器电路可包括继电器晶体管；和驱动器电路，所述驱动器电路包括恒定电流源。所述驱动器电路被配置和布置成可切换地操作所述继电器晶体管，且所述继电器晶体管被配置和布置成可切换地操作所述电力负载。
固态继电器

1
共 6 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top