专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果67个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]用于GPU数据的无损压缩的方法和装置-CN202280012486.3在审
  • A·K·辛格;C-T·谢;M·卡尔切维茨 - 高通股份有限公司
  • 2022-01-05 - 2023-09-26 - H04N19/426
  • 本公开涉及用于数据或图形处理的方法和设备,包括例如GPU的装置。该装置可以接收包括多个比特的至少一个比特流,多个比特中的每一者对应于至少一个比特流中的位置,并且多个比特中的每一者与颜色数据相关联。该装置还可以布置至少一个比特流中的多个比特的顺序,使得多个比特中的至少一者对应于至少一个比特流中的更新位置。此外,该装置可以在布置多个比特的顺序后,转换与至少一个比特流中的多个比特中的每一者相关联的颜色数据。该装置还可以在转换与多个比特中的每一者相关联的颜色数据后,压缩至少一个比特流中的多个比特。
  • 用于gpu数据无损压缩方法装置
  • [发明专利]减轻应力引发的缺陷的碳CVD沉积方法-CN202180085817.1在审
  • V·V·哈桑;A·K·辛格;B·库玛 - 应用材料公司
  • 2021-11-22 - 2023-08-22 - C23C16/505
  • 一种方法包括以下步骤:使含碳前驱物和载气流入其中定位有基板的处理容积中;通过向基板支撑件施加第一RF偏压来在处理容积中产生等离子体,以将碳膜的第一部分沉积到基板上;以及终止含碳前驱物的流动,同时维持载气的流动,以将等离子体维持在处理容积内。方法还包括以下步骤:使含氮气体流入处理容积中并在存在等离子体的情况下将含氮气体离子化;将其上具有碳膜的基板暴露于离子化的含氮气体达少于三秒的时间段;以及终止含氮气体的流动,同时维持等离子体并在存在等离子体的情况下将含碳前驱物重新引入处理容积中,以沉积碳膜的第二部分。
  • 减轻应力引发缺陷cvd沉积方法
  • [发明专利]陈化处理腔室的方法-CN202180082511.0在审
  • V·V·哈桑;B·库玛;A·K·辛格 - 应用材料公司
  • 2021-10-14 - 2023-08-08 - C23C16/505
  • 本公开的实施例关于半导体处理。更具体地,本公开的实施例关于用于陈化处理腔室的一个或多个部件的方法。在至少一个实施例中,一种用于陈化处理腔室的方法包括在约4mTorr至约20mTorr的腔室压力和低于约200℃或约200℃至约400℃的温度下将陈化膜沉积到处理腔室的部件上。方法包括将沉积膜沉积到陈化膜上。在至少一个实施例中,方法包括将含氮气体引入陈化膜以形成经氮处理的陈化膜。在将沉积膜沉积到陈化膜上之前执行将含氮气体引入陈化膜。
  • 陈化处理方法
  • [发明专利]堆叠半导体管芯和芯片级封装单元-CN202211335420.6在审
  • A·K·辛格;冯志成;F·H·M·斯瓦特杰斯;A·J·莫尔 - 恩智浦有限公司
  • 2022-10-28 - 2023-05-05 - H01L23/498
  • 本公开涉及堆叠半导体管芯和芯片级封装单元。半导体封装组合件包括:基板,基板具有顶部基板表面和基板底部表面;第一半导体管芯,半导体管芯部分地在基板上方,并具有管芯底部表面,管芯底部表面在其上具有第一多个I/O焊盘和第二多个I/O焊盘;第一多个局部电连接组件(LECC),第一多个局部电连接组件附连在管芯底部表面与基板顶部表面之间,并提供基板与第一多个I/O焊盘之间的电连接;第二多个LECC,第二多个LECC附连到基板底部表面,并用于提供基板与电路板之间的电连接;其中第二多个I/O焊盘经布置用于提供到芯片级封装单元的电连接,芯片级封装单元将通过第三多个LECC附连到第一半导体管芯,并将定位在与基板相同的水平平面中。还公开了对应的方法。
  • 堆叠半导体管芯芯片级封装单元
  • [发明专利]通过等离子体处理的氟化铝减少-CN201780061897.0有效
  • V·B·沙赫;A·K·辛格;B·库玛;G·巴拉苏布拉马尼恩;金柏涵 - 应用材料公司
  • 2017-07-18 - 2023-04-28 - H01L21/02
  • 本文所述的实施方式总的来说涉及用于从半导体基板处理腔室的一个或多个内表面原位去除不想要的沉积堆积物的方法和装置。在一个实施方式中,所述方法包括由含氟清洁气体混合物来形成反应氟物质。所述方法进一步包括将所述反应氟物质递送到基板处理腔室的处理容积中。所述处理容积包括一个或多个含铝内表面,所述一个或多个含铝内表面上形成有不想要的沉积物。所述方法进一步包括允许所述反应氟物质与所述不想要的沉积物和所述基板处理腔室的所述含铝内表面反应以形成氟化铝。所述方法进一步包括将含氮清洁气体混合物暴露于原位等离子体以在所述处理容积中形成反应氮物质。所述方法进一步包括允许所述反应氮物质与氟化铵反应以将所述氟化铝转化为氮化铝。
  • 通过等离子体处理氟化减少

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top