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[发明专利]具有双向阈值开关的相变存储单元-CN202180083147.X在审
发明人：龚南博;安藤崇志;R·L·布鲁斯;A·雷茨尼采克;B·赫克马绍尔塔巴里 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种结构，包括底部电极(104)、垂直对准的相变材料层(106)和在所述相变材料层(106)上方垂直对准的双向阈值切换层(106)。一种结构，包括底部电极(104)、相变材料层(106)和在所述相变材料层(106)上方垂直对准的双向阈值切换层(118)、以及第二阻挡层(120，所述第二阻挡层将所述双向阈值切换层(118)与顶部电极(122)物理地分离。一种方法，包括：形成包括衬里的结构，所述衬里在第一阻挡层(108)上方垂直对准，所述第一阻挡层(108)在相变材料层(106)上方垂直对准，所述相变材料层(106)在底部电极(104)上方垂直对准；形成围绕所述结构的电介质(114)；以及在所述第一阻挡层(108)上形成双向阈值切换层(118)，所述双向阈值切换层(118)的垂直侧表面与所述第一阻挡层(108)、所述相变材料层(106)和所述底部电极(104)垂直对准。
具有双向阈值开关相变存储单元

[发明专利]用于神经形态计算的FeFET单位单元-CN202180080220.8在审
发明人：龚南博;安藤崇志;B·海克马特少塔巴瑞;A·雷茨尼采克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：电路结构包括具有第一栅电极、第一源电极和第一漏电极的第一铁电场效应晶体管(FeFET)和具有第二栅电极、第二源电极和第二漏电极的第二FeFET。第一栅电极连接到字线，并且第一源电极和第二源电极连接到位线。第一漏电极连接至第二栅电极并且第二漏电极连接至偏压线。通过组合两个电路结构来构造权重突触结构。多个权重突触结构被结合到交叉式阵列中。
用于神经形态计算 fefet 单位单元

[发明专利]使用场效应晶体管结构中的随机阈值电压变化作为物理不可克隆功能的安全芯片识别-CN202180075766.4在审
发明人： C·J·欧特瑞;A·雷茨尼采克;B·海克马特少塔巴瑞;张婧芸;谢瑞龙 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种半导体结构可以包括一个或多个金属栅极、在一个或多个金属栅极下方的一个或多个沟道、将一个或多个金属栅极与一个或多个沟道分离的栅极电介质层、以及嵌入在栅极电介质层中的高k材料。高k材料和栅极电介质层两者都可以与一个或多个沟道直接接触。高k材料可在一个或多个金属栅极中提供阈值电压变化。高k材料是第一高k材料或第二高k材料。半导体结构可以仅包括嵌入在栅极电介质层中的第一高k材料。半导体结构可以仅包括嵌入在栅极电介质层中的第二高k材料。半导体结构可以包括嵌入在栅极电介质层中的第一高k材料和第二高k材料两者。
使用场效应晶体管结构中的随机阈值电压变化作为物理不可克隆功能安全芯片

[发明专利]存储器装置阵列中的均匀电压降-CN202180071685.7在审
发明人：玉仁祚;徐顺天;A·雷茨尼采克;金永硕 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10B69/00 文献下载
摘要：提供了PCM装置阵列及其制造技术，其具有在加热器图案化期间形成的集成电阻器，用于PCM装置之间的均匀电压降。PCM装置包括：至少一个PCM单元，其包含安置于加热器上的相变材料；以及与所述至少一个PCM单元串联的至少一个电阻器，其中所述至少一个电阻器包含与所述加热器相同的材料组合。还提供了一种存储器阵列和一种形成PCM装置的方法。
存储器装置阵列中的均匀电压

[发明专利]具有N/P边界结构的纳米片半导体器件-CN202180084350.9在审
发明人：谢瑞龙;张婧芸;苗欣;A·雷茨尼采克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造纳米片场效应晶体管(FET)器件的方法。该方法包括在衬底上形成多个纳米片堆叠，这些纳米片堆叠包括第一类型牺牲层和有源半导体层的交替层。该方法包括：在这些纳米片堆叠的侧壁上形成该第一类型牺牲层；然后在相邻的纳米片堆叠的该第一类型牺牲层的侧壁部分之间形成电介质柱；并且然后去除该第一类型牺牲层。该方法还包括在通过去除纳米片堆叠中的第一个纳米片堆叠的第一类型牺牲层而形成的空间中形成PWFM层，并且包括在通过去除纳米片堆叠中的相邻的第二个纳米片堆叠的第一类型牺牲层而形成的空间中形成NWFM层。
具有边界结构纳米半导体器件

[发明专利]电阻式存储器阵列-CN202180078881.7在审
发明人：金永硕;李忠贤;T·M·菲利普;徐顺天;玉仁祚;A·雷茨尼采克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：呈现垂直电阻式存储器阵列。所述阵列包括柱电极和围绕所述柱电极的所述侧周界的开关衬垫。该阵列包括连接到开关衬垫的第一侧的两个或更多个垂直堆叠的单池(SC)电极。开关衬垫、柱电极和每一个SC电极的并置形成相应电阻开关单元(例如，OxRRAM单元)。这些单元的垂直组或组可并联连接并且各自共享相同的柱电极。垂直单元组中的单元可以作为组写入或读取，以限制组内的任何一个或多个单独单元的不一致CF形成的影响。
电阻存储器阵列

[发明专利]用于缩放垂直传输场效应晶体管的埋入式电源轨-CN202180075474.0在审
发明人：谢瑞龙;王俊利;李忠贤;A·雷茨尼采克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种半导体结构可以包括在垂直晶体管的底部源极漏极下方的埋入式电源轨和在底部源极漏极下方的电介质双层。电介质双层可以在埋入式电源轨和底部源极漏极之间。半导体结构可以包括在底部源极漏极下方的硅锗双层，硅锗双层可以与埋入式电源轨相邻。半导体结构可以包括埋入式电源轨触点。埋入式电源轨触点可以将底部源极漏极连接至埋入式电源轨。所述电介质双层可以包括第一电介质层和电介质衬垫。第一电介质层可以与底部源极漏极直接触。电介质衬垫可以围绕埋入式电源轨。硅锗双层可以包括第一半导体层和在第一半导体层下方的第二半导体层。
用于缩放垂直传输场效应晶体管埋入电源

[发明专利]垂直可重配置场效应晶体管-CN202180075473.6在审
发明人： B·海克马特少塔巴瑞;A·雷茨尼采克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种垂直可重配置场效应晶体管(VRFET)具有衬底和垂直沟道。垂直沟道与顶部硅化物区和顶部硅化物区接触，顶部硅化物区与垂直沟道形成下肖特基结，顶部硅化物区与垂直沟道形成上肖特基结。下硅化物区和上硅化物区分别形成器件的源/漏(S/D)。下栅极堆叠围绕垂直沟道，并且具有包围下肖特基结的下交叠。上栅极堆叠围绕垂直沟道，并且具有包围上肖特基结的上交叠。下栅极堆叠与上栅极堆叠电绝缘。下栅极堆叠可以电控制下肖特基结(S/D)。上栅极堆叠可以电控制上肖特基结(S/D)。对下肖特基结(S/D)的控制独立于对上肖特基结(S/D)的控制，并与之分开。上栅极堆叠被堆叠在下栅极堆叠上方，从而实现减小的器件占用面积。
垂直配置场效应晶体管

[发明专利]纳米片选通二极管-CN202180039416.2在审
发明人： A·雷茨尼采克;B·赫克玛特绍塔巴里;K·巴拉克里希南 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一个或多个选通纳米片二极管设置在衬底上并且由纳米片结构制成。第一(第二)源极/漏极(S/D)布置在衬底上。第一(第二)S/D具有第一(第二)S/D掺杂类型的第一(第二)S/D掺杂浓度。一个或多个p‑n结形成一个或多个相应的二极管。p‑n结中的每个具有第一侧和第二侧。p‑n结的第一(第二)侧电和物理地连接至第一(第二)S/D并且分别具有相同类型的掺杂。由栅极电介质层和栅极金属制成的栅极堆叠体接界并围绕p‑n结中的每个。
纳米片选通二极管

[发明专利]倾斜外延掩埋接触件-CN202180038008.5在审
发明人：李桃;康宗圣;谢瑞龙;A·雷茨尼采克;O·格鲁斯臣科夫 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了半导体器件设计，具有掩埋电源轨(602)，该掩埋电源轨具有倾斜外延掩埋接触件(1702)。在一个方面，半导体FET器件包括：至少一个栅极，设置在衬底(202)上；源极和漏极(906)，在至少一个栅极的相对侧上，其中，源极和漏极(906)中的至少一个具有倾斜表面(1402)；掩埋电源轨(602)，其嵌入在衬底(202)中；以及掩埋接触件(1702)，其将掩埋电源轨(602)连接到至少一个源极和漏极(906)的倾斜表面(1402)。侧壁间隔体(502)将掩埋电源轨(602)与衬底(202)分隔开。该至少源极和漏极(906)的倾斜表面(1402)的顶部在该掩埋接触件(1702)的顶表面上方。还提供了形成半导体FET器件的方法。
倾斜外延掩埋接触

[发明专利]与堆叠的垂直晶体管集成的电阻式随机存取存储器-CN202180013505.X在审
发明人： K·巴拉克瑞什那;B·海克马特少塔巴瑞;A·雷茨尼采克;安藤崇志 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种方法可以包括形成一个堆叠在另一个顶上并且由电阻式随机存取存储器结构分开的两个垂直传输场效应晶体管。两个垂直传输场效应晶体管可以包括源极(104,112)、沟道(106,110)和漏极，其中，电阻式随机存取存储器结构的接触层(152)用作两个垂直传输场效应晶体管的漏极。形成两个垂直传输场效应晶体管可以进一步包括形成第一源极(104)和第二源极(112)。第一源极(104)是底部源极，第二源极(112)是顶部源极。该方法可以包括形成围绕沟道(106,110)的栅极导体层(138,140)。电阻式随机存取存储器结构可包含由尖头界定的刻面外延体(144)。刻面外延体(144)的尖端可以朝向彼此垂直延伸。刻面外延体(144)可以在两个垂直传输场效应晶体管之间。
堆叠垂直晶体管集成电阻随机存取存储器

[发明专利]具有注入钴的钌衬里和钴盖帽的互连结构-CN202180012703.4在审
发明人： J·马尼斯卡尔科;本山幸一;O·范德斯特拉滕;S·德夫里;A·雷茨尼采克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：一种互连结构及其形成方法，包括在介电层内形成凹槽，并在凹槽内保形沉积阻挡层。在阻挡层上方形成注入钴的钌衬里，通过在第一衬里上方堆叠第二衬里来形成含钴的钌衬里，第一衬里位于阻挡层上方。第一衬里包括钌，而第二衬里包括钴。钴原子从第二衬里迁移到第一衬里，形成注入钴的钌衬里。在注入钴的钌衬里上方沉积导电材料以填充凹槽，随后沉积由钴制成的覆盖层。
具有注入衬里盖帽互连结构

[发明专利]与垂直场效应晶体管集成的电阻式随机存取存储器单元-CN202080083203.5在审
发明人： A·雷茨尼采克;B·海克马特少塔巴瑞;安藤崇志;K·巴拉克瑞什那 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种单晶体管双电阻器(1T2R)电阻式随机存取存储器(ReRAM)结构及用于形成所述结构的方法，包括形成垂直场效应晶体管(VFET)，所述VFET包括位于沟道区域(502)上方和介电盖(708)下方的外延区域(810)。外延区域(810)包括由水平延伸超过沟道区域(502)的111平面界定的三角形形状的两个相对的突出区域。在VFET上共形地沉积ReRAM堆叠体。ReRAM堆叠体包括直接位于外延区域(810)上方的氧化物层(1910)、直接在氧化物层(1910)上方的顶部电极层(1912)和在顶部电极层(1912)上方的金属填充物(1920)。外延区域(810)的两个相对的突出区域中的每个充当ReRAM堆叠体的底部电极。
垂直场效应晶体管集成电阻随机存取存储器单元

[发明专利]与竖直传输场效应晶体管集成的电阻式随机存取存储器-CN202080084126.5在审
发明人： A·雷茨尼采克;K·巴拉克里希南;B·赫克玛特绍塔巴里;安藤崇志 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种半导体结构(100)可以包括：两个竖直传输场效应晶体管，该竖直传输场效应晶体管包括顶部源漏极(124)、底部源漏极(106)和外延沟道(120)；以及在两个竖直传输场效应晶体管之间的电阻式随机存取存储器，该电阻式随机存取存储器可以包括氧化物层(144)、顶部电极(146)和底部电极，其中，氧化物层(144)可以接触两个竖直场效应晶体管的顶部源漏极。顶部源漏极(124)可以用作电阻式随机存取存储器的底部电极。半导体结构(100)可以包括在两个竖直传输场效应晶体管之间的浅沟槽隔离(136)，该浅沟槽隔离(136)可以被嵌入在第一间隔物(108)、被掺杂的源极(106)、以及衬底(102)的一部分中。
竖直传输场效应晶体管集成电阻随机存取存储器

[发明专利]纳米片的多阈值电压-CN202111435501.9在审
发明人：张婧芸;安藤崇志;李忠贤;A·雷茨尼采克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构。该半导体结构包括在衬底上的纳米片堆叠，每个纳米片堆叠包括牺牲半导体材料和半导体沟道材料的交替层以及围绕纳米片堆叠的第一子组的半导体沟道层的结晶化栅极电介质层、在结晶化栅极电介质的顶部上并且包围纳米片堆叠的第一子组的半导体沟道材料层的偶极层、以及由围绕纳米片堆叠的第二子组的半导体沟道层的扩散的偶极材料改性的栅极电介质。一种方法，包括在衬底上形成纳米片堆叠，每个纳米片堆叠包括牺牲半导体材料和半导体沟道材料的交替层，去除纳米片堆叠的组的牺牲半导体材料层，形成围绕纳米片堆叠的半导体沟道层的栅极电介质，以及结晶化纳米片堆叠的子组的栅极电介质。
纳米阈值电压

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