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[发明专利]接触孔的形成方法及接触孔结构-CN202211327486.0在审
发明人：张宏敏 -专利权人：杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供一种接触孔的形成方法，包括：设置沟槽于衬底，沟槽填充有绝缘层；形成介质层于衬底上；形成具有开口的光阻层于介质层上；部份刻蚀对应沟槽的位置的介质层，及部份刻蚀沟槽的绝缘层，形成聚合物，并使开口贯穿介质层及部份绝缘层并延伸至沟槽的第一位置；执行聚合物清洗工序，以清除聚合物；部份刻蚀经过聚合物清洗工序的绝缘层，使开口贯穿部份绝缘层并延伸至沟槽的第二位置而形成接触孔；去除光阻层。透过聚合物清洗工序清除堆积在沟槽底部的聚合物，可改善接触孔的刻蚀速率。
接触形成方法结构

[发明专利]半导体组件以及制造方法-CN200910206803.1有效
发明人： P·A·伯克;D·B·巴伯;B·普拉蒂 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体材料具有器件区、栅极接触区、终止区和漏极接触区。在器件区中形成一个或多个器件沟槽并且在边缘终止区中形成一个或多个终止沟槽。在器件沟槽的邻近它们的基底的部分中形成屏蔽电极。在器件区中的沟槽的侧壁上形成栅极电介质材料，并且将栅电极形成在屏蔽电极之上并且与其电隔离。在器件区中的沟槽中的栅电极连接到在栅极接触区中的沟槽中的栅电极。在器件区中的沟槽中的屏蔽电极连接到在终止区中的屏蔽电极。
半导体组件以及制造方法

[发明专利]制造用于鳍式场效应晶体管的源极-漏极接触件的方法-CN201710446932.2有效
发明人：乔治·A·凯特尔;徐大卫;及川弘太;金昶和;沃克·森古皮塔;马克·S·罗德尔 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供了一种用于对鳍式场效应晶体管器件的源极‑漏极结构形成低寄生电容接触件的方法。在一些实施例中所述方法包括将长沟槽向下刻蚀至源极‑漏极结构，沟槽足够长以延伸横跨器件的所有源极‑漏极区。导电层形成在源极‑漏极结构上，沟槽填充有第一填充材料。第二、较窄沟槽沿第一沟槽的长度的一部分开口，并且填充有第二填充材料。第一填充材料可以是导电的，并且可以形成所述接触件。如果第一填充材料不是导电的，则第三沟槽可以在第一沟槽的未填充有第二填充材料的部分中开口，并且填充有导电材料以形成所述接触件。
制造用于场效应晶体管接触方法

[发明专利]半导体组件以及制造方法-CN200910206802.7无效
发明人： P·A·伯克;D·B·巴伯;B·普拉蒂 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体材料具有器件区、栅极接触区、终止区和漏极接触区。在器件区中形成一个或多个器件沟槽并且在边缘终止区中形成一个或多个终止沟槽。在邻近它们的基底的器件沟槽的部分中形成屏蔽电极。在器件区中的沟槽的侧壁上形成栅极电介质材料，并且将栅电极形成在屏蔽电极之上并且与其电隔离。在器件区中的沟槽中的栅电极连接到在栅极接触区中的沟槽中的栅电极。在器件区中的沟槽中的屏蔽电极连接到在终止区中的屏蔽电极。
半导体组件以及制造方法

[实用新型]新型高速直角坐标机械手-CN201520674445.8有效
发明人：翁海龙 -专利权人：浙江斯凯瑞机器人股份有限公司
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： B25J9/02 文献下载
摘要：一种新型高速直角坐标机械手，包括底座、固定在底座左右两端的端盖，底座和端盖的底部设有T型槽，底座的顶部安装有滑台，滑台的底部连接有滚轮座，滚轮座的内外两侧分别安装有一组滚轮，滚轮外设有滚道沟槽，底座的内壁设有圆弧槽，圆弧槽内安装有直线光轴，滚道沟槽与直线光轴滑动配合，直线光轴的两端通过螺丝固定在端盖上；滚道沟槽为双圆弧结构，滚道沟槽的圆弧半径大于直线光轴的半径；直线光轴与滚道沟槽之间存在两个接触点，接触点与滚道沟槽的中心水平面之间角度为30-45°，且两个接触角沿着滚道沟槽的中心水平面上下对称。
新型高速直角坐标机械手

[发明专利]半导体连接结构及其制造方法-CN202110147466.4在审
发明人：李俊霖 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：此半导体连接结构包括具有阵列区的基板、第一沟槽、金属线、功函数层及接触结构。阵列区包括中心区域及围绕中心区域的边缘区域。第一沟槽形成于基板中，且沿着第一方向自中心区域延伸至边缘区域。第一沟槽在中心区域中具有第一部分，且在边缘区域中具有较宽的第二部分。金属线及功函数层形成于第一沟槽中。接触结构形成于边缘区域的第一沟槽中接触结构位于金属线之上且直接接触金属线。接触结构的底部被功函数层围绕。
半导体连接结构及其制造方法

[发明专利]一种集成SBD的槽型裂源SiC VDMOS结构及制造方法-CN202310418848.5在审
发明人：田甜;廖光朝 -专利权人：重庆云潼科技有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成SBD的槽型裂源SiC VDMOS结构，包括导电类型的衬底(1)和形成于衬底(1)上侧的外延层(2)，外延层(2)经蚀刻形成至少两个间隔的沟槽(3)，沟槽(3)之间的外延层(2)的表面形成SBD接触层(4)。本SiC VDMOS结构将VDMOSFET元胞P阱表面的P+欧姆接触区裂开，引入n≥2个间隔的沟槽，沟槽之间形成SBD接触层，在N型漂移区处表面形成肖特基接触，器件的其他部分不变。此结构相当于在SiC VDMOS中集成了一个沟槽式肖特基势垒二极管(TMBS)结构。在器件反偏耐压时，槽栅进行电荷耦合，夹断肖特基接触位置下方的电流通道，降低了器件漏电。
一种集成 sbd 槽型裂源 sic vdmos 结构制造方法

[发明专利]具有沟槽接触部的过电压保护器件-CN202310283010.X在审
发明人： A·施门;I·格茨;E·泰莱特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及具有沟槽接触部的过电压保护器件。一种过电压保护器件包括半导体本体、设置在半导体本体的上表面之上的第一接触焊盘和第二接触焊盘、形成在半导体本体中的沟槽式连接件，以及形成在半导体本体中的竖直电压阻挡器件，该半导体本体包括设置在半导体本体的上表面之下的衬底区域，其中沟槽式连接件包括形成在半导体本体的上表面中并且延伸到衬底区域的沟槽以及设置在沟槽内的金属电极，其中金属电极在第一接触焊盘与衬底区域之间形成导电连接，并且其中电压阻挡器件连接在第二接触焊盘与衬底区域之间
具有沟槽接触过电压保护器件

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110975447.0在审
发明人：钱仕兵 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：基底，基底内具有多个间隔排布的字线，相邻字线间具有沟槽；位线接触层，位线接触层底面和沟槽底面相接触，且位线接触层在远离沟槽底面的方向上具有非平面接触部；导电层，导电层与位线接触层的非平面接触部接触连接。本申请实施例至少有利于降低包括位线接触层和导电层的位线自身的电阻，从而有利于提高半导体结构的电学性能。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]改善沟槽底部栅氧耐压性能的MOS结构及其制造方法-CN202211522326.1在审
发明人：潘嘉;杨继业 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种改善沟槽底部栅氧耐压性能的MOS结构，包括衬底，衬底上形成有外延层，在外延层上形成有沟槽，沟槽上形成有栅极氧化层，栅极氧化层上形成有填充沟槽的栅极多晶硅；在外延层上形成有位于沟槽两侧下方的第一掺杂区，第一掺杂区域与外延层的掺杂类型相反；在外延层中形成有要制造的器件的第二掺杂区；在外延层的表面上，形成有要制造的器件的导电接触结构，其中导电接触结构电接触第二掺杂区。本发明改善了沟槽底部的栅氧耐压性能，提高了器件性能。
改善沟槽底部耐压性能 mos 结构及其制造方法

[发明专利]一种沟槽栅型半导体器件结构及其制作方法-CN201410607160.2在审
发明人：郭景贤;白玉明;张海涛 -专利权人：无锡同方微电子有限公司
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽栅型半导体器件结构，包括：衬底；至少两条相互平行排列的沟槽栅结构；将各沟槽栅结构并联的多晶硅桥；覆盖所述沟槽栅结构及所述多晶硅桥的绝缘层；位于所述多晶硅桥上方并贯通所述绝缘层的至少一个接触孔；形成于所述绝缘层表面并填充于所述接触孔内、与所述多晶硅桥欧姆接触的栅极金属层；所述多晶硅桥靠近所述沟槽栅结构的第一端，所述多晶硅桥外侧与所述沟槽栅结构第一端之间的距离为L，其中，L>0。本发明中，由于多晶硅桥避开了沟槽栅结构末端，这种连接方式可以有效降低沟槽栅结构末端栅氧化层击穿的概率，从而提高了器件的可靠性。
一种沟槽半导体器件结构及其制作方法

[发明专利]一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构-CN201711408786.0在审
发明人：井亚会;戚丽娜;俞义长;张景超;林茂;刘利峰;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：其包括IGBT或MOSFET版，所述IGBT或MOSFET版上间隔设置若干列沟槽，所述同一列沟槽重复断开，所述同一列沟槽断开间距0.6um，所述同一列沟槽断开间距的中间设置发射极接触孔，所述发射极接触孔与相邻所述沟槽之间的间距0.2um，相邻两列所述沟槽错位设置并横向连接，相邻两列所述沟槽之间的间距为0.2um。本发明通过沟槽以及发射极接触孔的版图设计使得元胞尺寸缩小，沟道密度增加，从而电流密度大大提高，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大减小，从而成本降低，同时整个设计的余量也会更加充分。
一种电动汽车 igbt mosfet 版图结构

[发明专利]一种肖特基势垒二极管及其制造方法-CN201710171378.1在审
发明人：刘伟 -专利权人：杭州立昂微电子股份有限公司
申请日： 2017-03-21 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基势垒二极管，包括包括至少一个半导体单元，所述半导体单元包括第二导电类型掺杂衬底，在所述衬底的一侧上方同时设置有相互独立的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽顶端开口处设置有金属层，所述金属层包括阴极金属层和阳极金属层；沿所述第一沟槽内壁设置有欧姆接触金属层，沿所述第二沟槽内壁设置有肖特基势垒金属层，所述第一沟槽的导电层沿与衬底相反的方向延伸与阴极金属层接触，所述第二沟槽的导电层沿与衬底相反的方向延伸与阳极金属层接触
一种肖特基势垒二极管及其制造方法

[发明专利]一种具有沟槽电极结构的碳化硅二极管及其制造方法-CN201711267995.8在审
发明人：刘东;周正东;吴佳;王弋宇;张文杰;史晶晶;李诚瞻 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有沟槽电极结构的碳化硅二极管及其制造方法。所述具有沟槽电极结构的碳化硅二极管包括衬底层和欧姆接触金属层。衬底层的第一表面设置有多个沟槽，沟槽的底部与所述衬底层的第二表面的距离大于预设距离。欧姆接触金属层设置于每个所述沟槽的侧壁和底部以及衬底层的第一表面未设置沟槽的部分上，并与每个所述沟槽的侧壁和底部以及所述衬底层的第一表面未设置沟槽的部分之间形成欧姆接触。
衬底层碳化硅二极管第一表面沟槽电极欧姆接触金属层侧壁导通电阻第二表面欧姆接触预设距离电阻减薄制造

[发明专利]屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法及MOSFET器件-CN202310390632.2在审
发明人：管浩;阚志国;何云;丛茂杰 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法及MOSFET器件，提供衬底上已形成沟槽，且沟槽内已形成屏蔽栅氧化层、屏蔽栅、隔离层的半导体结构；在半导体结构位于隔离层上部裸露的沟槽侧壁处外延形成单晶硅层，然后在单晶硅层侧壁形成栅氧化层，并在沟槽内填充多晶硅形成栅多晶硅层，最后在衬底表面形成绝缘介质层后进行源极接触孔刻蚀。本发明在栅氧化层形成前，通过外延工艺在屏蔽栅上部的沟槽侧壁上生长一层单晶硅，增大了沟槽到源极接触孔之间的横向距离，能够保证小尺寸MOSFET在进行源极接触孔光刻时有充足的工艺窗口，有利确保了器件VT参数的稳定性，提高了屏蔽栅沟槽MOSFET的生产合格率。
屏蔽沟槽 mosfet 制造方法器件