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[发明专利]降低栅源电容的屏蔽栅MOSFET结构及其制备方法-CN201710997735.X在审
发明人：徐承福;朱阳军 -专利权人：贵州芯长征科技有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低栅源电源的屏蔽栅MOSFET结构及其制备方法，其在第一元胞沟槽内设置屏蔽栅结构，在第二元胞沟槽内设置沟槽栅结构；第一元胞沟槽的一侧上方设置第二导电类型第一基区，第一元胞沟槽与第二元胞沟槽间设置第二导电类型第二基区，第二元胞沟槽的一侧上方设置第二导电类型第三基区，第一导电类型源区、第二导电类型第一基区、第二导电类型第二基区、第二导电类型第三基区、沟槽内下层多晶硅体以及沟槽导电多晶硅均与源极金属欧姆接触，沟槽内上层多晶硅体与栅极金属欧姆接触，能进一步降低屏蔽栅MOSFET器件的栅极和源极接触面积，从而降低栅极和源极之间的电容，与现有工艺兼容，安全可靠。
降低电容屏蔽 mosfet 结构及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202010418849.6在审
发明人：肖魁;方冬 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，器件包括：漂移区和形成于漂移区上表层的体区；形成于体区上表层第一掺杂区；第一沟槽，自体区内延伸至漂移区内，第二沟槽，贯穿第一掺杂区、体区并延伸至漂移区内，第一沟槽的侧壁和第二沟槽的侧壁均形成有氧化层，第一沟槽内填充有第一导电结构，第二沟槽填充有第二导电结构；第一扩展区，包围第一沟槽的底部；栅极与第二导电结构接触；第一电极延伸至第一沟槽顶部并与第一掺杂区、体区和第一沟槽接触；第二电极与半导体衬底接触通过第一沟槽和扩展区的作用，可增强漂移区的耗尽，提高器件耐压。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]沟槽栅MOSFET及其制造方法-CN201510184263.7有效
发明人：陈正嵘 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽栅MOSFET，包括形成于硅衬底中的栅沟槽，栅沟槽的位置由硬掩膜定义；在栅沟槽内表面形成有栅介质层并填满多晶硅栅；在各栅沟槽顶部形成有局部场氧化层，局部场氧化层的位置采用定义栅沟槽的位置的硬掩膜定义，局部场氧化层还延伸到栅沟槽外部的硅中并形成鸟嘴；源区形成于相邻两个栅沟槽之间的硅衬底表面；源区的接触孔的位置由相邻两个局部场氧化层自对准定义，源区的接触孔和栅沟槽之间的间距由局部场氧化层的鸟嘴的长度确定本发明还公开了一种沟槽栅MOSFET的制造方法。本发明能实现源区的接触孔的自对准定义，能使器件的尺寸得到最大限度的缩小，提高集成度以及降低成本。
沟槽 mosfet 及其制造方法

[发明专利]一种浅沟槽隔离结构的制造方法-CN201410390784.3在审
发明人：鲍宇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制造方法，通过在硬掩膜层的浅沟槽图案侧壁形成侧墙，扩大了浅沟槽填充的工艺窗口，保证了半导体衬底表面延伸的浅沟槽隔离结构的距离以及后续浅沟槽隔离结构的圆角工艺效果；同时利用浅沟槽隔离结构的介质密度小于侧墙的介质密度，在后续硬掩膜层去除工艺以及栅极刻蚀工艺过程中，使用侧墙很好的反向保护浅沟槽隔离结构与半导体衬底接触位置的结构，避免浅沟槽隔离结构与半导体衬底表面接触的位置出现凹坑缺陷。
一种沟槽隔离结构制造方法

[发明专利]带有释放的源极和漏极的半导体装置-CN201680086334.2有效
发明人： W.拉克马迪;S.K.加德纳;C.S.莫哈帕特拉;M.V.梅茨;G.德韦;S.T.马;J.T.卡瓦利罗斯;A.S.墨菲;T.加尼 -专利权人：太浩研究有限公司
申请日： 2016-07-02 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：方法的实施例包括：蚀刻半导体装置的缓冲层，以在装置的沟道层的栅极沟道部分的底下形成栅极沟槽；用氧化物材料填充栅极沟槽，以形成氧化物隔离层；在装置的源极和漏极区的层间介电（ILD）层中蚀刻一个或多个源极/漏极接触件沟槽；在一个或多个源极/漏极接触件沟槽内蚀刻氧化物隔离层，以在源极和漏极区中的源极/漏极沟道的底下形成一个或多个腔，其中，每个接触件沟槽的蚀刻将使源极/漏极沟道的所有侧面都暴露；以及使接触件金属沉积于一个或多个接触件沟槽中，包括使接触件金属沉积于源极/漏极沟道底下的腔中。
带有释放半导体装置

[发明专利]场效应晶体管的隔离结构及其制作方法-CN201711273144.4有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种场效应晶体管的隔离结构及其制作方法，包括：半导体衬底、介质层、金属层、绝缘层、接触窗以及接触电极。半导体衬底中具有场效应晶体管区域以及环绕所场效应晶体管区域的环形沟槽。介质层形成于环形沟槽侧壁及底部。金属层填充于环形沟槽，其上层部分被去除，以形成环形凹槽。绝缘层填充于环形凹槽，以掩埋金属层。接触窗显露环形沟槽中的金属层。接触电极填充于接触窗并与金属层接触。本发明采用新型的隔离结构，场效应晶体管之间无需传统的浅沟槽隔离结构也能防止各个晶体管之间的漏电，并可有效提高防漏电性能。相比于传统的浅沟槽隔离结构，本发明所占面积大大减小，可有效提高场效应晶体管的集成密度。
场效应晶体管隔离结构及其制作方法

[实用新型]场效应晶体管的隔离结构-CN201721676195.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本实用新型提供一种场效应晶体管的隔离结构，包括：半导体衬底、介质层、金属层、绝缘层、接触窗以及接触电极。半导体衬底中具有场效应晶体管区域以及环绕所场效应晶体管区域的环形沟槽。介质层形成于环形沟槽侧壁及底部。金属层填充于环形沟槽，其上层部分被去除，以形成环形凹槽。绝缘层填充于环形凹槽，以掩埋金属层。接触窗显露环形沟槽中的金属层。接触电极填充于接触窗并与金属层接触。本实用新型采用新型的隔离结构，场效应晶体管之间无需传统的浅沟槽隔离结构也能防止各个晶体管之间的漏电，并可有效提高防漏电性能。相比于传统的浅沟槽隔离结构，本实用新型所占面积大大减小，可有效提高场效应晶体管的集成密度。
场效应晶体管环形沟槽本实用新型隔离结构接触窗金属层绝缘层填充场效应晶体管区域浅沟槽隔离结构环形凹槽接触电极传统的介质层衬底半导体金属层接触掩埋金属层漏电防漏电晶体管侧壁减小去除环绕显露上层

[发明专利]静态随机存取存储器单元-CN200610071509.0有效
发明人：黄俊麒;梁佳文;林永昌;李瑞池 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-03-29 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种静态随机存取存储器单元，包括一基底、一层栅介电层、一个栅极、一个沟槽式电容器、一个源极/漏极区、一个第一接触窗及一个第二接触窗。其中，基底已形成有一个沟槽，而栅介电层配置于基底上。栅极配置于栅介电层上，而沟槽式电容器配置于栅极一侧的沟槽中。源极/漏极区配置于栅极两侧的基底中，栅极一侧的源极/漏极区是位于栅极与沟槽式电容器之间。第一接触窗电连接于沟槽式电容器，而第二接触窗电连接于栅极另一侧的源极/漏极区。
静态随机存取存储器单元

[发明专利]摩擦轮-CN201680049042.1在审
发明人：伊东聪佑;井上雅彦 -专利权人： NOK株式会社
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： F16H55/34 文献下载
摘要：摩擦轮(50)包括在外周具有沟槽(4)的可旋转的旋转轮(40)、以可收纳于沟槽(4)内的方式形成的橡胶环(3)。沟槽(4)具有一对侧面(16，26)，橡胶环(3)包括接触面(33)与摩擦面(31，32)，接触面(33)被压接于旋转构件以向外周传递动力，摩擦面(31，32)是与沟槽(4)相对应的一对面，橡胶环(3)至少在为了传递动力而将接触面(33)推压接触于旋转构件的动力传递状态下，使摩擦面(31，32)被按压至沟槽(4)的侧面(16，26)，摩擦轮(50)包括防止橡胶环(3)从沟槽(4)向外侧分离的分离防止单元
摩擦

[发明专利]带有自对准接触增强型插头的高密度MOSFET阵列及其制备方法-CN201510079863.7有效
发明人：李亦衡;金钟五;常虹 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2015-02-15 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体衬底包含外延区、本体区和源极区；一个交叉氮化物压盖‑有源沟槽栅极堆栈（ANCTGS）和自引导接触增强型插头（SGCEP）设置在半导体衬底上方，并且部分嵌入在源极区、本体区和外延区中，构成沟槽栅极MOSFET每个氮化物压盖‑有源沟槽栅极堆栈都包含一个多晶硅沟槽栅极堆栈，嵌入在栅极氧化物壳中，以及一个氮化硅垫片盖，覆盖多晶硅沟槽栅极顶部；每个自引导接触增强型插头都包含一个底部紧密接触增强部分（ICES），准确定位至其附近的氮化物压盖‑有源沟槽栅极堆栈；一个顶部远端接触增强部分（DCES），具有一个横向相对于邻近氮化物压盖‑有源沟槽栅极堆栈的定位偏差；以及一个中间锥形过渡段（TTS）位于底部紧密接触增强部分和顶部远末端接触增强部分之间，并且桥接底部紧密接触增强部分和顶部远末端接触增强部分；一个在MOSFET阵列上方的带图案的电介质区上方的带图案的金属层，通过自引导接触增强型插头构成子引导的源极和本体接头。
沟槽栅极插头氮化物增强型堆栈压盖多晶硅沟槽末端接触外延区源极区衬底嵌入半导体图案氮化硅垫片栅极氧化物锥形过渡段自对准接触电介质区定位偏差栅极堆栈准确定位金属层引导的桥接源极远端制备邻近覆盖

[发明专利]半导体装置-CN201811107461.3有效
发明人：伊奈务;上野幸久;冈彻 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：提供缓和沟槽的底面端部附近的电场集中的技术。在半导体装置中，非有源区域具备：外周沟槽，其贯通第三半导体层和第二半导体层，到达第一半导体层并包围有源区域；第二绝缘膜，其覆盖外周沟槽的表面；导电体，其形成在被第二绝缘膜覆盖的外周沟槽，并与控制电极以及接触电极电绝缘；以及外周电极，其位于外周沟槽的外侧，与第二半导体层接触并与接触电极电连接。
半导体装置

[实用新型]一种管道沟槽加工用夹具-CN202220178779.6有效
发明人：阮周红;王琪;甘伟家 -专利权人：四川比耐斯管业有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： B21D43/00 文献下载
摘要：本申请涉及管道生产技术领域，公开了一种管道沟槽加工用夹具，用于支撑管道进行沟槽加工，包括底座，还包括：支撑座，设置在底座上用于与管道外侧壁接触以支撑管道；端部限位机构，设置于所述支撑座一侧并与管道端面接触本申请在利用支撑座支撑管道并限制管道在竖直方向位移的同时，设置端部限位机构，通过与管道远离沟槽加工设备的端面接触来限制管道沿轴线方向的位移，从而提高管道沟槽加工过程中的稳定性，减少沟槽加工的误差。
一种管道沟槽工用夹具

[发明专利]半导体装置和制作半导体装置的方法-CN201611041068.X有效
发明人：雷德弗里德勒·阿德里安斯·玛利亚·胡尔克斯;约翰内斯·J·T·M·唐克尔;简·雄斯基;杰伦·安东·克龙 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：该装置还包括多个接触。接触中的至少一个接触包括位于衬底的主表面上的欧姆接触部分。欧姆接触部分包括第一导电材料。接触中的至少一个接触还包括沟槽，该沟槽从主表面向下延伸到衬底中。沟槽穿过AlGaN层且到GaN层中。沟槽至少部分地用第二导电材料填充。第二导电材料是与第一导电材料不同的导电材料。
半导体装置制作方法

[发明专利]具有栅极接触部的自对准栅极端帽（SAGE）架构-CN202010081594.9在审
发明人： S.苏布拉马尼恩;W.M.哈费茨 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-02-06 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：描述了具有栅极接触部的自对准栅极端帽（SAGE）架构以及制作具有栅极接触部的SAGE架构的方法。在示例中，一种集成电路结构，包括半导体鳍之上的栅极结构。栅极端帽隔离结构与所述栅极结构横向相邻并且相接触。沟槽接触部结构在所述半导体鳍之上，其中所述栅极端帽隔离结构与所述沟槽接触部结构横向相邻并且相接触。本地栅极到接触部互连将所述栅极结构电连接到所述沟槽接触部结构。
具有栅极接触对准 sage 架构

[发明专利]双向功率器件的制造方法-CN202011165966.2在审
发明人：杨彦涛;张邵华 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/8232 文献下载
摘要：本申请公开了一种双向功率器件的制造方法，包括：在半导体层中形成第一掺杂区；在第一沟槽区形成多个沟槽，第一沟槽区的多个沟槽位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；形成覆盖第一沟槽区的多个沟槽的下部侧壁的栅介质层；形成覆盖第一沟槽区的多个沟槽的上部侧壁的屏蔽介质层；以及在第一沟槽区的多个沟槽的中形成分别与栅介质层和屏蔽介质层接触的栅极导体，其中，栅极导体包括相连的控制栅与屏蔽栅，控制栅与栅介质层接触，屏蔽栅与屏蔽介质层接触该制造方法利用沟槽将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区，构成双向功率器件的源区和漏区，降低了器件的面积。
双向功率器件制造方法