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[发明专利]沟槽形栅极的金属-绝缘体-硅器件的结构和制造方法-CN201010270010.9有效
发明人：阿纳普·巴拉;多曼·皮泽尔;杰克·科雷克;施晓荣;西克·路伊 -专利权人：西利康尼克斯股份有限公司
申请日： 2003-03-24 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在一种沟槽栅极型MIS器件中，在沟槽中形成与栅极的接触，从而消除了使栅极材料，通常为多晶硅，延伸至沟槽外的需要。这避免了沟槽上角的应力问题。栅极金属与多晶硅之间的接触通常在位于器件的有源区之外的栅极金属区中形成。描述了各种用于形成栅极金属与多晶硅之间的接触配置，包括其中沟槽在接触区中展宽的实施例。
沟槽栅极金属绝缘体器件结构制造方法

[发明专利]沟槽形栅极的MIS器件的结构和制造方法-CN03107661.0有效
发明人：阿纳普·巴拉;多曼·皮泽尔;杰克·科雷克;施晓荣;西克·路伊 -专利权人：西利康尼克斯股份有限公司
申请日： 2003-03-24 - 公布日： 2003-11-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在一种沟槽栅极型MIS器件中，在沟槽中形成与栅极的接触，从而消除了使栅极材料，通常为多晶硅，延伸至沟槽外的需要。这避免了沟槽上角的应力问题。栅极金属与多晶硅之间的接触通常在位于器件的有源区之外的栅极金属区中形成。描述了各种用于形成栅极金属与多晶硅之间的接触配置，包括其中沟槽在接触区中展宽的实施例。
沟槽栅极 mis 器件结构制造方法

[发明专利]沟槽形栅极的金属－绝缘体－硅器件的结构和制造方法-CN200810149203.1有效
发明人：阿纳普·巴拉;多曼·皮泽尔;杰克·科雷克;施晓荣;西克·路伊 -专利权人：西利康尼克斯股份有限公司
申请日： 2003-03-24 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：在一种沟槽栅极型MIS器件中，在沟槽中形成与栅极的接触，从而消除了使栅极材料，通常为多晶硅，延伸至沟槽外的需要。这避免了沟槽上角的应力问题。栅极金属与多晶硅之间的接触通常在位于器件的有源区之外的栅极金属区中形成。描述了各种用于形成栅极金属与多晶硅之间的接触配置，包括其中沟槽在接触区中展宽的实施例。
沟槽栅极金属绝缘体器件结构制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202110756311.0在审
发明人：西康一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供沟槽栅极的栅极绝缘膜的可靠性提高的半导体装置。半导体装置包含半导体基板、栅极电极和多个沟槽栅极。半导体基板包含有源区域和配线区域。沟槽栅极从有源区域延伸至配线区域。该沟槽栅极在有源区域形成晶体管的一部分。栅极电极设置于配线区域，与沟槽栅极电连接。沟槽栅极的端部位于配线区域。栅极电极以将在沟槽栅极的端部形成的栅极接触部覆盖的方式设置。栅极电极经由栅极接触部而与沟槽栅极电连接。多个沟槽栅极仅沿一个方向延伸。
半导体装置

[发明专利]一种密封垫-管片沟槽接触面应力松弛的测试方法-CN202210570191.X在审
发明人：龚琛杰;林赞权;雷明锋;朱彬彬;施成华 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G01N3/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种密封垫‑管片沟槽接触面应力松弛的测试方法，包括以下步骤：采用数值模拟得到密封垫对沟槽的挤压效果，确定接触路径；绘制路径上的接触应力分布曲线，采用数值积分方法得到密封垫对沟槽的闭合压力；进行密封垫力学压缩性能试验，采用薄膜压力传感器获取指定变形量下的密封垫‑沟槽接触面上的闭合压力值；将曲线积分计算值与压力传感器测量值进行对比，拟合标定系数；将密封垫以特定变形量固定在夹持装置中，置于老化炉中老化，实时读取薄膜压力传感器的测量值；根据标定系数及实时测量值，得到密封垫各个柱脚及与与沟槽接触边上的接触应力变化。本发明实现了老化过程中密封垫‑沟槽接触面应力松弛过程的实时监测。
一种密封垫管片沟槽接触面应力松弛测试方法

[发明专利]一种沟槽型半导体功率器件及其制备方法-CN201010104901.7有效
发明人：张崇兴;梁安杰;苏冠创 -专利权人：香港商莫斯飞特半导体有限公司
申请日： 2010-02-03 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种沟槽型半导体功率器件及其制备方法，该方法包括：利用沟槽掩模对衬底上的外延层进行侵蚀而形成多个栅极沟槽，并注入掺杂剂分别形成源区和基区；利用接触孔掩模，对层间介质进行侵蚀形成接触沟槽，并对接触沟槽进行填充形成沟槽插塞
一种沟槽半导体功率器件及其制备方法

[发明专利]沟槽切削设备和方法-CN201280061191.1在审
发明人： J·R·曼彻斯特 -专利权人： IHC工程贸易有限公司
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： E02F5/14 文献下载
摘要：沟槽切削设备包括主体部分；多个地面接触传送装置，该本体部分被安装在这些地面接触传送装置上，并且该设备可以通过这些地面接触传送装置来横越地面；以及至少一个土壤切削装置，该至少一个土壤切削装置是可操作来切削出沟槽，其中该土壤切削装置的姿态是在构造用于切削出直线性沟槽部分的第一使用构型与构造用于切削出弯曲沟槽部分的第二使用位置之间可调整的，所述第二使用位置被选择成在形成所述弯曲沟槽部分时最小化对沟槽壁的凹切。
沟槽切削设备方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202111402935.9在审
发明人：于业笑;刘忠明;孔忠;陈龙阳 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决导电触点之间易相互接触发生短路的技术问题，该半导体结构的制作方法包括：提供衬底，衬底内设置有多个间隔设置的有源区，衬底上覆盖有依次层叠的绝缘层和阻挡层；在阻挡层内形成多条间隔设置且沿第一方向延伸的第一沟槽，第一沟槽贯穿阻挡层；在第一沟槽内形成填充层，并在阻挡层和填充层上形成第一掩膜层；在第一掩膜层内形成多条间隔设置且沿第二方向延伸的第二沟槽，第二沟槽暴露填充层；去除暴露在第二沟槽内的填充层和与填充层对应的绝缘层，形成接触孔。利用第一沟槽和第二沟槽形成接触孔，减少了接触孔之间连通，从而降低导电触点之间相接触发生短路的可能性。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]提高栅氧耐压性能的MOS结构及其制造方法-CN202211524507.8在审
发明人：潘嘉;杨继业 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种提高栅氧耐压性能的MOS结构，包括衬底，衬底上形成有外延层，外延层上形成有阱和掺杂漏；在阱上形成有第一沟槽以及位于第一沟槽两侧的第二沟槽，第二沟槽的深度大于第一沟槽，第一、二沟槽的底部延伸至阱下方的外延层，第一、二沟槽中形成有填充层；第一、二沟槽的底部的外延层上形成有掺杂区，掺杂区的掺杂类型与外延层的掺杂类型相反；在外延层的表面上形成有要制造的器件的导电接触结构，其中导电接触结构分别电接触不同的填充层。本发明形成的MOS结构在器件反向时，第一、二沟槽底部的掺杂区屏蔽掉对第一、二沟槽底部的电场，尤其加强了对第一沟槽底部拐角处的保护，提高了器件的栅氧耐压性能。
提高耐压性能 mos 结构及其制造方法

[发明专利]在接触沟槽中形成多层势垒金属的器件-CN201010540074.6有效
发明人：常虹;陈军;翁丽敏;李文军 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：一种形成在半导体衬底上的半导体器件，包括一个形成在接触沟槽中的组件，接触沟槽位于有源晶胞区中。该组件是由一种沉积在接触沟槽底部和侧壁部分的势垒金属，以及一个沉积在接触沟槽剩余部分中的钨插头构成的。第一金属层位于接触沟槽的侧壁和底部附近。第一金属层含有一种氮化物。第二金属层可以位于第一金属层和钨插头之间，以及钨插头和侧壁之间。第二金属层覆盖未被第一金属层覆盖的部分侧壁。
接触沟槽形成多层金属器件

[发明专利]半导体装置-CN201710138246.9有效
发明人：小野泽勇一;大井幸多;内藤达也;高桥美咲 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供具有接触区的半导体装置。所述半导体装置具备：半导体基板；多个第一沟槽部，形成在半导体基板的正面侧，并在俯视时沿预定的延伸方向延伸；第一导电型的发射极区，在多个第一沟槽部的相邻的沟槽之间，形成在半导体基板的正面侧；第二导电型的第一接触区，形成在多个第一沟槽部的相邻的沟槽之间，并在延伸方向上与发射极区交替地配置；第二导电型的第二接触区，在第一接触区的上方与发射极区分离地形成，且与第一接触区相比为高掺杂浓度。
半导体装置

[发明专利]沟槽随动件-CN202210580301.0在审
发明人： K·R·E·亨德里克斯 -专利权人：邦奇动力有限责任公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： F16H59/02 文献下载
摘要：提供了一种沟槽随动件用于与用在机动车辆的多级顺序变速器的换挡鼓的换挡沟槽协配，其包括沟槽随动件主体，其包括用于接触换挡鼓的换挡沟槽的横向面的至少一个接触表面，其中至少一个接触表面中的至少部分形成为具有螺旋直径和螺旋螺距的三维螺旋的外表面的部分
沟槽随动件

[发明专利]超结型沟槽功率MOSFET器件及其制备方法-CN201710571855.3在审
发明人：杨东;林河北;郑方伟;李龙;杜永琴 -专利权人：深圳市金誉半导体有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结型沟槽功率MOSFET器件及其制备方法。超结型沟槽功率MOSFET器件包括衬底；外延层，形成于所述衬底表面；若干第一沟槽，形成于外延层且贯穿外延层，该第一沟槽底部与衬底接触；氧化层，沿所述第一沟槽底部和侧壁连续形成，氧化层在第一沟槽侧壁倾斜配置；多晶硅层，填满于配置有氧化层的第一沟槽中；P型注入区与N型注入区，交替形成于包含填充部分的外延层表面；其中，部分N型注入区与多晶硅层表面接触，另一部分N型注入区与外延层表面接触。
超结型沟槽功率 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]屏蔽栅场效应晶体管-CN202211576163.5有效
发明人：钱振华;康子楠;陈霞;张子敏;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种屏蔽栅场效应晶体管，该屏蔽栅场效应晶体管包括基本单元、屏蔽栅沟槽以及源极接触层；相邻的基本单元之间接触设置；基本单元内设有多个屏蔽栅沟槽；源极接触层设置于相邻的屏蔽栅沟槽之间，且设置方向与屏蔽栅沟槽的方向相同；设置在不同的基本单元中的屏蔽栅沟槽的方向不同。本发明通过在不同的基本单元中的屏蔽栅沟槽的方向不同，避免了现有的SGT的条形沟槽在一个方向上延伸，减轻了材料之间积累较大应力所导致的晶圆出现翘曲的现象，提高了芯片性能。
屏蔽场效应晶体管

[发明专利]燃料电池-CN200410064184.4无效
发明人：吉冈省二;冈田达典;广井治 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2004-08-24 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01M8/02 文献下载
摘要：燃料气体流动路径或氧化气体流动路径的至少一个具有弯曲延伸的流动沟槽，使得气体从流动沟槽的一端流向另一端，并且，在相邻的流动沟槽上游侧部分和流动沟槽的下游侧部分之间的脊部中，接触在上游侧流动沟槽的上游区域和下游侧流动沟槽的下游区域之间的至少一个脊部的气体扩散层的孔隙率低于接触其它脊部的气体扩散层和接触流动沟槽的气体扩散层的孔隙率
燃料电池